滤波电路以及安装了滤波电路的通信系统的前端及通信装置

    公开(公告)号:CN1449111A

    公开(公告)日:2003-10-15

    申请号:CN03107586.X

    申请日:2003-03-28

    CPC classification number: H03H11/04

    Abstract: 一种滤波电路,以及安装了这种滤波电路的通信系统的前端及通信装置。其使用在接收信号和发送信号时的数据传输率不同的有非对称型通信路的通信系统且有滤波电路的前端,兼用构成这个滤波电路的放大器组及电容器组减小电路规模。它包含滤波处理接收信号的信号接受用滤波电路及滤波处理发送信号的信号发送用滤波电路。信号接受用滤波电路,包含由复数个放大器构成的放大器组,由复数个电容器构成且与上述放大器组相连的电容器组,各自由复数个电阻器构成的第一及第二电阻器组。第一及第二电阻器组中的任何一个,通过电阻器组切换电路的切换有选择地与放大器组连接。信号发送用滤波电路也有同样的构成。

    基准信号发生电路
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1236268A

    公开(公告)日:1999-11-24

    申请号:CN99106701.0

    申请日:1999-05-14

    CPC classification number: H04N9/45

    Abstract: 提供一种可节省空间,低成本,同时可从多种色同步信号中稳定产生多个基准信号的基准信号发生电路。该电路包括:第一振荡器11,第二振荡器15,第一分频器14,第二分频器16,第一相位比较器17a,第一低通滤波器17b,第二相位比较器19a,第二低通滤波器19b,从第二电压控制振荡器15的输出信号中可获得期望频率的连续基准频率信号。

    激光二极管驱动装置
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1326299C

    公开(公告)日:2007-07-11

    申请号:CN200310115788.2

    申请日:2003-11-28

    CPC classification number: G11B7/126 H01S5/042 H01S5/0428

    Abstract: 本发明的一种激光二极管驱动装置能够在从小电流区至大电流区的范围内适当缩短激光二极管驱动电流的上升时间和下降时间。微分电流与从输入恒定电流源向激光二极管驱动电流放大器施加初始输入电流同步地,通过微分电路和引入型V-I转换电路被添加至该输入电流,由此使激光二极管驱动电流的上升变得陡峭。另外,通过与输入电流断开同步地,利用微分电流和引出型V-I转换电路增加构成激光二极管驱动电流放大器的输入PchMOS晶体管的栅电势,可以使激光二极管驱动电流的下降变得陡峭。

    滤波器自动调整电路
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1254011C

    公开(公告)日:2006-04-26

    申请号:CN01120073.1

    申请日:2001-07-11

    CPC classification number: H03H11/0433

    Abstract: 将构成窄频带的带通滤波器的gm-C滤波器的中心频率调整为目标频率。因此,仅在调整时将该滤波器的电路结构变更为具有高的信噪比的电路结构,由特性调整电路利用脉冲信号或阶跃信号检测和调整该滤波器的中心频率,并将该调整结果存储到非易失性存储器中,用于再利用。在该滤波器使用时停止特性调整电路的动作,降低功耗。

    半导体装置
    15.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1244152C

    公开(公告)日:2006-03-01

    申请号:CN02150573.X

    申请日:2002-11-14

    CPC classification number: H01L27/0266 H01L27/0251 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明是为了提高在电源端子及接地端子处于开放状态时的半导体装置的耐冲击电荷的性能。在有相互串联的第1、第2及第3反相器100、200、300的半导体装置上,为将外部加在信号输入端子10上的正冲击电荷导向电源线21的第1输入保护电源50,加上为将外部加在信号输入端子10上的负冲击电荷导向接地线31的第2输入保护电源60,又为了从第1输入保护电路50导向电源线21,再从第2反相器200中的P沟道晶体管201流向第3反相器300的冲击电荷导向接地线31,设置了内部保护电路250。

    半导体装置
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1420563A

    公开(公告)日:2003-05-28

    申请号:CN02150573.X

    申请日:2002-11-14

    CPC classification number: H01L27/0266 H01L27/0251 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明是为了提高在电源端子及接地端子处于开放状态时的半导体装置的耐冲击电荷的性能。在有相互串联的第1、第2及第3反相器100、200、300的半导体装置上,为将外部加在信号输入端子10上的正冲击电荷导向电源线21的第1输入保护电源50,加上为将外部加在信号输入端子10上的负冲击电荷导向接地线31的第2输入保护电源60,又为了从第1输入保护电路50导向电源线21,再从第2反相器200中的P沟道晶体管201流向第3反相器300的冲击电荷导向接地线31,设置了内部保护电路250。

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