公开(公告)号：CN101383290A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200810215715.3

申请日：2008-09-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  笹川慎也 ,  石塚章广

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L33/0058 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种漏电流小且可靠性高的半导体装置的制造方法。在薄膜晶体管的制造方法中，通过利用抗蚀掩模进行蚀刻来在薄膜晶体管中形成背沟道部，通过去掉该抗蚀掩模并蚀刻所述背沟道部的一部分，去掉残存于背沟道部上的蚀刻残渣等，由此可以降低产生的漏电流。当进一步蚀刻背沟道部时，可以以无偏向的干法蚀刻来进行。