公开(公告)号：CN101997007B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201010248886.3

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  细羽幸 ,  高桥辰也

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/40 ,  H01L29/786 ,  H01L23/52 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/32 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。半导体装置包括一个衬底上方的驱动电路和像素，该驱动电路包括第一薄膜晶体管，该像素包括第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一栅电极层、栅极绝缘层、第一氧化物半导体层、第一氧化物导电层、第二氧化物导电层、与第一氧化物半导体层的一部分接触并且与第一氧化物导电层和第二氧化物导电层的外围和侧表面接触的氧化物绝缘层、第一源电极层以及第一漏电极层。第二薄膜晶体管包括第二栅电极层、第二氧化物半导体层、以及都使用透光材料形成的第二源电极层和第二漏电极层。

公开(公告)号：CN102945862A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210332037.5

申请日：2009-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊藤俊一 ,  细羽幸 ,  須沢英臣 ,  笹川慎也 ,  村冈大河

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的一个目的在于以通过减少曝光掩模数量而简化光刻处理的方式制造成本低、生产率高的包括氧化物半导体的半导体器件。在包括沟道蚀刻反向交错薄膜晶体管的半导体器件的制造方法中，使用利用多色调掩模形成的掩模层蚀刻氧化物半导体膜和导电膜，多色调掩模是通过其光透射成具有多种光强的曝光掩模。在蚀刻步骤中，通过使用蚀刻气体的干蚀刻进行第一蚀刻步骤，通过使用蚀刻剂的湿蚀刻进行第二蚀刻步骤。

公开(公告)号：CN101997007A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010248886.3

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  细羽幸 ,  高桥辰也

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/40 ,  H01L29/786 ,  H01L23/52 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/32 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。半导体装置包括一个衬底上方的驱动电路和像素，该驱动电路包括第一薄膜晶体管，该像素包括第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一栅电极层、栅极绝缘层、第一氧化物半导体层、第一氧化物导电层、第二氧化物导电层、与第一氧化物半导体层的一部分接触并且与第一氧化物导电层和第二氧化物导电层的外围和侧表面接触的氧化物绝缘层、第一源电极层以及第一漏电极层。第二薄膜晶体管包括第二栅电极层、第二氧化物半导体层、以及都使用透光材料形成的第二源电极层和第二漏电极层。

公开(公告)号：CN101997005A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010248853.9

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  细羽幸 ,  西田惠里子

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/52 ,  H01L29/43 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/45 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的一个目的是增加半导体器件的孔径比。在一个衬底上提供像素部分和驱动器电路。像素部分中的第一薄膜晶体管(TFT)包括：衬底上的栅极电极层；栅极电极层上的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的源极和漏极电极层；在栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极和漏极电极层上的、与氧化物半导体层的一部分接触的保护性绝缘层；以及在保护性绝缘层上的像素电极层。所述像素部分具有光透射性质。此外，驱动器电路中的第二TFT的源极和漏极电极层的材料不同于第一TFT的源极和漏极电极层的材料。

公开(公告)号：CN104091834B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410345770.X

申请日：2010-07-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂田淳一郎 ,  佐佐木俊成 ,  细羽幸

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及一种发光显示装置，本发明的课题在于提供一种使用具有稳定的电特性的晶体管来进行稳定的工作的显示装置。当应用以氧化物半导体层为沟道形成区的晶体管来制造显示装置时，至少在应用于驱动电路的晶体管上进一步配置栅电极。当制造以氧化物半导体层为沟道形成区的晶体管时，对氧化物半导体层进行用来实现脱水化或脱氢化的加热处理，以减少存在于以上下接触的方式设置的栅极绝缘层及保护绝缘层与氧化物半导体层的界面的水分等杂质。

公开(公告)号：CN102640292B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080053374.X

申请日：2010-10-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  细羽幸 ,  平石铃之介

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L33/0041 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种包括薄膜晶体管和连接至该薄膜晶体管的布线的半导体装置，其中，该薄膜晶体管具有处于氧化物半导体层中的沟道形成区，并且将铜金属用于栅极电极、源极电极、漏极电极、栅极布线、源极布线以及漏极布线中的至少一个。具有氧化物半导体层的晶体管的极其低的截止电流有助于降低半导体装置的功耗。另外，使用铜金属允许半导体装置与显示元件的组合，从而提供具有由利用铜金属形成的布线和电极的低电阻而产生的高显示质量和可忽略缺陷的显示装置。

公开(公告)号：CN104091811A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410345567.2

申请日：2010-07-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂田淳一郎 ,  佐佐木俊成 ,  细羽幸

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，本发明的课题在于提供一种使用具有稳定的电特性的晶体管来进行稳定的工作的显示装置。当应用以氧化物半导体层为沟道形成区的晶体管来制造显示装置时，至少在应用于驱动电路的晶体管上进一步配置栅电极。当制造以氧化物半导体层为沟道形成区的晶体管时，对氧化物半导体层进行用来实现脱水化或脱氢化的加热处理，以减少存在于以上下接触的方式设置的栅极绝缘层及保护绝缘层与氧化物半导体层的界面的水分等杂质。

公开(公告)号：CN101944506B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201010222538.9

申请日：2010-07-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂田淳一郎 ,  佐佐木俊成 ,  细羽幸

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种具有晶体管的显示装置及其制造方法，本发明的课题在于提供一种使用具有稳定的电特性的晶体管来进行稳定的工作的显示装置。当应用以氧化物半导体层为沟道形成区的晶体管来制造显示装置时，至少在应用于驱动电路的晶体管上进一步配置栅电极。当制造以氧化物半导体层为沟道形成区的晶体管时，对氧化物半导体层进行用来实现脱水化或脱氢化的加热处理，以减少存在于以上下接触的方式设置的栅极绝缘层及保护绝缘层与氧化物半导体层的界面的水分等杂质。

公开(公告)号：CN103426935A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310303981.2

申请日：2010-10-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  细羽幸 ,  平石铃之介

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L33/0041 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请涉及半导体装置和及其制造方法。公开了一种包括薄膜晶体管和连接至该薄膜晶体管的布线的半导体装置，其中，该薄膜晶体管具有处于氧化物半导体层中的沟道形成区，并且将铜金属用于栅极电极、源极电极、漏极电极、栅极布线、源极布线以及漏极布线中的至少一个。具有氧化物半导体层的晶体管的极其低的截止电流有助于降低半导体装置的功耗。另外，使用铜金属允许半导体装置与显示元件的组合，从而提供具有由利用铜金属形成的布线和电极的低电阻而产生的高显示质量和可忽略缺陷的显示装置。

公开(公告)号：CN103400857A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310303972.3

申请日：2010-10-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  细羽幸 ,  平石铃之介

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L33/0041 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置和及其制造方法。公开了一种包括薄膜晶体管和连接至该薄膜晶体管的布线的半导体装置，其中，该薄膜晶体管具有处于氧化物半导体层中的沟道形成区，并且将铜金属用于栅极电极、源极电极、漏极电极、栅极布线、源极布线以及漏极布线中的至少一个。具有氧化物半导体层的晶体管的极其低的截止电流有助于降低半导体装置的功耗。另外，使用铜金属允许半导体装置与显示元件的组合，从而提供具有由利用铜金属形成的布线和电极的低电阻而产生的高显示质量和可忽略缺陷的显示装置。