公开(公告)号：CN103151266B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310055161.6

申请日：2010-10-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细羽幸 ,  坂田淳一郎 ,  大原宏树 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/78696 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/133531 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G09G3/3677 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/324 ,  H01L21/477 ,  H01L21/67115 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 一个目的是提供具有稳定电特性的使用氧化物半导体的半导体器件。氧化物半导体层经受在氮气体或者诸如稀有气体(例如氩或氦)之类的惰性气体气氛中或者在降低的压力下的用于脱水或脱氢处理的热处理以及经受在氧的气氛、氧和氮的气氛或者空气(露点优选地低于或等于40C，更优选地低于或等于50C)气氛中的用于提供氧的处理的冷却步骤。因此，氧化物半导体层经过高度纯化，由此形成i型氧化物半导体层。制造包括具有氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体器件。

公开(公告)号：CN101997005B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201010248853.9

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  细羽幸 ,  西田惠里子

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/52 ,  H01L29/43 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/45 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的一个目的是增加半导体器件的孔径比。在一个衬底上提供像素部分和驱动器电路。像素部分中的第一薄膜晶体管(TFT)包括：衬底上的栅极电极层；栅极电极层上的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的源极和漏极电极层；在栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极和漏极电极层上的、与氧化物半导体层的一部分接触的保护性绝缘层；以及在保护性绝缘层上的像素电极层。所述像素部分具有光透射性质。此外，驱动器电路中的第二TFT的源极和漏极电极层的材料不同于第一TFT的源极和漏极电极层的材料。

公开(公告)号：CN102473731B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201080032159.1

申请日：2010-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  细羽幸 ,  野田耕生 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 包括具有稳定电特性的薄膜晶体管的高度可靠半导体器件，以及其制造方法。在制造包括薄膜晶体管(其中包括沟道形成区的半导体层是氧化物半导体层)在内的半导体器件的方法中，在氧气气氛中执行减少诸如湿气之类的杂质来改进氧化物半导体层的纯度并氧化该氧化物半导体层的热处理(用于脱水或脱氢的热处理)。不仅减少氧化物半导体层中诸如湿气之类的杂质，还减少了栅绝缘层中已经存在的那些杂质，且减少了诸如在氧化物半导体层与被设置在与氧化物半导体层接触的上面和下面的膜之间界面中存在的湿气之类的杂质。

公开(公告)号：CN103474456A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310338191.8

申请日：2009-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊藤俊一 ,  佐佐木俊成 ,  细羽幸 ,  坂田淳一郎

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G09G3/20 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/247 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种氧化物半导体、使用该氧化物半导体的薄膜晶体管、和使用该薄膜晶体管的显示装置，其一个目的是控制氧化物半导体的组成和缺陷，另一个目的是提高薄膜晶体管的场效应迁移率，并通过减小截止电流来获得充分的通断比。所采用的技术方案是采用其组成用InMO3(ZnO)m表示的氧化物半导体，其中M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素，且m优选地为大于或等于1且小于50的非整数。Zn的浓度低于In和M的浓度。氧化物半导体具有非晶结构。可以配置氧化物层和氮化物层以防止氧化物半导体的污染和劣化。

公开(公告)号：CN102005449A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010263823.5

申请日：2010-08-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  细羽幸 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/49 ,  H01L21/77 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L21/477 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。本发明提供一种显示特性优越的显示装置，其中使用根据其电路特征的不同结构的晶体管分别形成同一衬底上的像素电路及驱动电路。在该驱动电路部中，包括栅电极层、源电极层及漏电极层由金属膜构成，且沟道层由氧化物半导体构成的驱动电路用晶体管。此外，在该像素部中，包括栅电极层、源电极层及漏电极层由氧化物导电体构成，且半导体层由氧化物半导体构成的像素用晶体管。该像素用晶体管由具有透光性的材料形成，并制造高开口率的显示装置。

公开(公告)号：CN105448969B

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201510834526.4

申请日：2009-10-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 須沢英臣 ,  笹川慎也 ,  村冈大河 ,  伊藤俊一 ,  细羽幸

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法，其一个目的在于通过缩减曝光掩模数简化光刻工序，以低成本且高生产率地制造具有氧化物半导体的半导体装置。在具有沟道蚀刻结构的反交错型薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，使用由透过的光成为多个强度的曝光掩模的多级灰度掩模形成的掩模层进行氧化物半导体膜以及导电膜的蚀刻工序。在蚀刻工序中，第一蚀刻工序采用使用蚀刻液的湿蚀刻，而第二蚀刻工序采用使用蚀刻气体的干蚀刻。

公开(公告)号：CN104091811B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410345567.2

申请日：2010-07-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂田淳一郎 ,  佐佐木俊成 ,  细羽幸

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，本发明的课题在于提供一种使用具有稳定的电特性的晶体管来进行稳定的工作的显示装置。当应用以氧化物半导体层为沟道形成区的晶体管来制造显示装置时，至少在应用于驱动电路的晶体管上进一步配置栅电极。当制造以氧化物半导体层为沟道形成区的晶体管时，对氧化物半导体层进行用来实现脱水化或脱氢化的加热处理，以减少存在于以上下接触的方式设置的栅极绝缘层及保护绝缘层与氧化物半导体层的界面的水分等杂质。

公开(公告)号：CN103474456B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310338191.8

申请日：2009-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊藤俊一 ,  佐佐木俊成 ,  细羽幸 ,  坂田淳一郎

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G09G3/20 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/247 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种氧化物半导体、使用该氧化物半导体的薄膜晶体管、和使用该薄膜晶体管的显示装置，其一个目的是控制氧化物半导体的组成和缺陷，另一个目的是提高薄膜晶体管的场效应迁移率，并通过减小截止电流来获得充分的通断比。所采用的技术方案是采用其组成用InMO3(ZnO)m表示的氧化物半导体，其中M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素，且m优选地为大于或等于1且小于50的非整数。Zn的浓度低于In和M的浓度。氧化物半导体具有非晶结构。可以配置氧化物层和氮化物层以防止氧化物半导体的污染和劣化。

公开(公告)号：CN104835850A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510215816.0

申请日：2010-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  细羽幸 ,  野田耕生 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 包括具有稳定电特性的薄膜晶体管的高度可靠半导体器件，以及其制造方法。在制造包括薄膜晶体管(其中包括沟道形成区的半导体层是氧化物半导体层)在内的半导体器件的方法中，在氧气气氛中执行减少诸如湿气之类的杂质来改进氧化物半导体层的纯度并氧化该氧化物半导体层的热处理(用于脱水或脱氢的热处理)。不仅减少氧化物半导体层中诸如湿气之类的杂质，还减少了栅绝缘层中已经存在的那些杂质，且减少了诸如在氧化物半导体层与被设置在与氧化物半导体层接触的上面和下面的膜之间界面中存在的湿气之类的杂质。

公开(公告)号：CN101996989B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201010246771.0

申请日：2010-08-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  坂田淳一郎 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  细羽幸 ,  及川欣聪

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/32 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明的目的之一在于提供一种发光装置以及该发光装置的制造方法，在该发光装置中，在同一衬底上形成有多种电路，并具备分别对应于多种电路的特性的多种薄膜晶体管。作为用于像素的薄膜晶体管，使用具有重叠于源电极层及漏电极层上的氧化物半导体层的反共面型。作为用于驱动电路的薄膜晶体管，使用沟道停止型。在与用于像素的薄膜晶体管电连接的发光元件重叠的位置上且在薄膜晶体管和发光元件之间设置滤色片层。