公开(公告)号：CN103151387A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310060424.2

申请日：2010-08-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  野田耕生 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  丸山穗高

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。本发明的一个目的是制造含有电特性稳定的薄膜晶体管的高度可靠的半导体器件。覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层的绝缘层含有硼元素或铝元素。通过使用含有硼元素或铝元素的硅靶或氧化硅靶的溅射法来形成含有硼元素或铝元素的绝缘层。可选地，含有替代硼元素的锑（Sb）元素或磷（P）元素的绝缘层覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN102906882A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180025328.3

申请日：2011-05-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太 ,  佐佐木俊成 ,  野田耕生 ,  佐藤瑞穗

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 通过氧从绝缘层放出，可以降低氧化物半导体层中的氧缺陷及所述绝缘层与所述氧化物半导体层之间的界面态。因此，可以制造电特性的变动小且可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN102893403A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201180024131.8

申请日：2011-05-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  佐佐木俊成 ,  野田耕生

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/385 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种包括氧化物半导体的半导体装置，其具有稳定的电特性和高可靠性。通过在超过200℃的温度下利用溅射法形成用作晶体管的沟道形成区的氧化物半导体膜，使根据热脱附谱分析法从所述氧化物半导体膜脱离的水分子的数量为0.5个/nm3以下。通过防止会成为包括氧化物半导体膜的晶体管的电特性变动原因的水、氢、羟基或氢化物等的包含氢原子的物质混入到氧化物半导体膜中，可以使氧化物半导体膜高纯度化并成为电特性i型（本征）化半导体。

公开(公告)号：CN102598283A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080050485.5

申请日：2010-08-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  野田耕生 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  丸山穗高

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的是制造含有电特性稳定的薄膜晶体管的高度可靠的半导体器件。覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层的绝缘层含有硼元素或铝元素。通过使用含有硼元素或铝元素的硅靶或氧化硅靶的溅射法来形成含有硼元素或铝元素的绝缘层。可选地，含有替代硼元素的锑(Sb)元素或磷(P)元素的绝缘层覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN102522430A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201210004802.0

申请日：2008-03-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野田耕生 ,  佐藤奈奈绘

IPC: H01L29/792 ,  H01L27/02 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1237 ,  H01L29/66833

Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法。本发明改进了非易失性存储晶体管的电荷保持特性。用作隧穿绝缘膜的第一绝缘膜、电荷存储层和第二绝缘膜夹在半导体衬底与导电膜之间。电荷存储层由两个硅氮化物膜构成。作为下层的硅氮化物膜通过CVD方法使用NH3作为氮源气体来形成，并且所包含的N-H键的数目大于上层的N-H键的数目。作为上层的第二硅氮化物膜通过CVD方法使用N2作为氮源气体来形成，并且所包含的Si-H键的数目大于下层的Si-H键的数目。

公开(公告)号：CN110824800B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN201911225794.0

申请日：2010-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  三宅博之 ,  津吹将志 ,  野田耕生

IPC: G02F1/1368 ,  G09G3/36 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G09G5/18

Abstract: 本发明涉及一种显示设备，包括：包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区包括氧化物半导体；电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；以及与所述像素电极相邻的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。

公开(公告)号：CN107925016B

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201680029827.2

申请日：2016-06-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野田耕生

IPC: H01M50/102 ,  H01M50/136 ,  H01M50/121 ,  H01G11/78 ,  H01M10/04

Abstract: 本发明提供一种单位体积的容量高的蓄电装置、具有新颖结构的柔性蓄电装置、能够反复弯曲的蓄电装置、可靠性高的蓄电装置或者寿命长的蓄电装置。一种蓄电装置，包括内部结构物及包围内部结构物的外包装体。内部结构物包括正极及负极。外包装体包括包含钛以及选自铌、钽、钒、锆和铪中的一个或多个元素的第一膜。第一膜优选还包含选自钼、铬和铝中的一个或多个元素。

公开(公告)号：CN110061144A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201811233695.2

申请日：2010-09-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  津吹将志 ,  野田耕生

IPC: H01L51/52 ,  H01L29/786 ,  H01L23/544 ,  H01L27/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06

Abstract: 逻辑电路包括：薄膜晶体管，具有使用氧化物半导体所形成的沟道形成区；以及具有端子的电容器，通过使薄膜晶体管截止来使端子之一进入浮动状态。氧化物半导体具有5×1019(原子/cm3)或更小的氢浓度，并且因此在没有生成电场的状态中实质上用作绝缘体。因此，薄膜晶体管的截止状态电流能够降低，从而引起抑制通过薄膜晶体管的电容器中存储的电荷的泄漏。相应地，能够防止逻辑电路的故障。此外，能够通过薄膜晶体管的截止状态电流的降低，来降低逻辑电路中流动的过量电流，从而导致逻辑电路的低功率消耗。

公开(公告)号：CN104835850B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201510215816.0

申请日：2010-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  细羽幸 ,  野田耕生 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 包括具有稳定电特性的薄膜晶体管的高度可靠半导体器件，以及其制造方法。在制造包括薄膜晶体管(其中包括沟道形成区的半导体层是氧化物半导体层)在内的半导体器件的方法中，在氧气气氛中执行减少诸如湿气之类的杂质来改进氧化物半导体层的纯度并氧化该氧化物半导体层的热处理(用于脱水或脱氢的热处理)。不仅减少氧化物半导体层中诸如湿气之类的杂质，还减少了栅绝缘层中已经存在的那些杂质，且减少了诸如在氧化物半导体层与被设置在与氧化物半导体层接触的上面和下面的膜之间界面中存在的湿气之类的杂质。

公开(公告)号：CN106816383A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201710158461.5

申请日：2011-08-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野田耕生 ,  佐佐木俊成

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。制造具有优良的电特性的晶体管。在衬底之上形成氧化物绝缘膜，在该氧化物绝缘膜之上形成氧化物半导体膜，然后在使氧化物半导体膜中所含有的氢解除吸附并且使氧化物绝缘膜中所含有的部分氧解除吸附的温度下执行热处理，然后将所加热的氧化物半导体膜蚀刻成预定形状以形成岛形氧化物半导体膜，在该岛形氧化物半导体膜之上形成电极对，在该电极对和岛形氧化物半导体膜之上形成栅极绝缘膜，以及在栅极绝缘膜之上形成栅电极。