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公开(公告)号：CN1748102A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200480004084.0
申请日：2004-02-09
CPC classification number: F16K7/14 , F16K27/003 , F16K51/02
Abstract: 本发明提供一种阀，这种阀能够与旨在实现真空排气系统的设备的小型化并由此降低成本和缩短真空排气时间的真空排气系统配管的小口径化相适应，并能够防止由气体分解产生的离解生成物的堆积所导致的内部的腐蚀、堵塞、阀座泄漏等。具体地说，将铝钝态用于在真空排气系统中使用的阀等配管零件，来抑制因烘焙时的温度升高而引起的气体分解，从而提供与真空排气系统的小口径化相适应的零件，特别是使得不会因气体分解产生的生成物的堆积而发生腐蚀、堵塞、阀座泄漏等。
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公开(公告)号：CN1665952A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN03816181.8
申请日：2003-07-09
Applicant: 株式会社富士金
CPC classification number: C22C38/46 , C22C38/001 , C22C38/42 , C22C38/44 , F16J15/102 , F16K7/123 , F16K27/0236 , F16K31/122 , F16L19/0218 , F16L19/103 , F16L58/184
Abstract: 本发明提供一种流体部件，流体部件是配管和流体控制装置中使用的阀、接头等，构成流体部件的预定金属制部件，由合金制成，该合金包含有：按照重量％，C：0.001～0.01％、Si：≤5％、Mn：≤2％、P：≤0.03％、S：≤100ppm、O：≤50ppm、Cr：18～25％、Ni：15～25％、Mo：4.5～7.0％、Cu：0.5～3.0％、N：0.1～0.3％，其余部分是Fe和其它不可避免的杂质，并且为了基本确保耐缝隙腐蚀性，从用重量百分比表示各合金成分复合添加的CRI=〔Cr〕＋4×〔Mo〕＋30×〔N〕式求出的CRI(耐缝隙腐蚀性指标)值设定在40≤CRI≤55的范围内。
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公开(公告)号：CN1342217A
公开(公告)日：2002-03-27
申请号：CN00802778.1
申请日：2000-01-13
IPC: C23C30/00
CPC classification number: C23C8/02 , C23C26/00 , Y10T428/24322 , Y10T428/24355 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明的目的是在任意金属材料上,形成不含其它金属氧化膜的、耐蚀性好的氧化铬膜。可低价地、在短时间内形成不含其它金属氧化膜的、耐蚀性好的氧化铬膜,可提供能安全地供给强腐蚀性流体的流体供给系统。在表面粗度(Ra)1.5μm以下的金属材料上,覆盖铬后,在氧化性环境中进行热处理,形成由氧化铬构成的非动态膜。
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公开(公告)号：CN102421698A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080018059.3
申请日：2010-04-22
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 株式会社富士金
CPC classification number: B01J23/63 , B01J12/007 , B01J23/42 , B01J35/023 , B01J37/0225 , B01J37/0244 , C01B5/00
Abstract: 本发明提供一种水分发生用反应炉，该反应炉是将氢气和氧气提供至具有铂催化剂层的反应炉内，使氢气与氧气发生催化反应，在不发生燃烧的情况下，在低于氢气与氧气的燃点的催化反应温度下产生高纯度的水分；其中，可以长时间地维持铂催化剂层对设置在母材与铂催化剂层之间的阻挡层的高附着力。该反应炉具有：设有气体入口和水分出口的反应炉主体、成膜于反应炉主体内壁的至少一部分上的Y2O3阻挡层、成膜于该Y2O3层上的至少一部分上的铂催化剂层。Y2O3阻挡层的膜厚优先为50nm～5μm。
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公开(公告)号：CN100471790C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200580015020.5
申请日：2005-07-04
Applicant: 株式会社富士金
IPC: C01B5/00
CPC classification number: B01J12/007 , B01J2219/00078 , B01J2219/00087 , B01J2219/00096 , B01J2219/00135 , C01B5/00 , F28D2021/0029 , F28F3/02 , H01L21/67017
Abstract: 在水分发生反应炉中，通过提高反应炉主体的散热特性，也可以被限制的体积容量的水分发生反应炉安全地令水分发生量倍增。具体而言，在通过令供给到反应炉主体内的氢和氧与白金涂料催化剂层接触而令其反应性活性，由此在非燃烧状态下令氢和氧反应的水分发生反应炉中，令冷却器由出口侧冷却器形成，所述出口侧冷却器包括向出口侧炉主体部件的外表面固定的中央处贯穿设置有插入孔的散热体基板、和在该散热体基板的上述加热器插入孔以外的部分上垂直状地并行而竖立设置的多个散热体，并且令用于加热上述反应炉主体的加热器的局部插通出口侧冷却器的加热器插入孔而向出口侧炉主体部件的外表面固定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100387342C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200380100226.9
申请日：2003-10-14
CPC classification number: B01J12/007 , B01J21/04 , B01J23/42 , B01J37/0225 , B01J37/0226 , B01J37/08 , C01B5/00
Abstract: 在水分发生用反应炉的反应用空间的内壁面，能够廉价而且简单地形成厚度均匀的对母材附着力强，并且对铂皮膜的保护功能强的隔离皮膜。在不进行高温燃烧而使氢和氧反应产生水分的水分发生用反应炉中，水分发生用反应炉用含铝的合金形成，对该水分发生用反应炉的内壁面，实施铝的选择氧化处理，形成以氧化铝(Al2O3)为主体的隔离皮膜，然后在该隔离皮膜的上面层合附着铂皮膜，形成铂涂层催化层。
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公开(公告)号：CN100359641C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN03801601.X
申请日：2003-09-11
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67034 , H01L21/02052
Abstract: 本发明提供一种旋转式硅晶片清洗装置，通过使清洗处理后的硅晶片的氢气终端进行得更完全，可使硅晶片的稳定性得到进一步提高。为此，本发明作为一种旋转式硅晶片清洗装置，设置有硅晶片干燥装置，该硅晶片干燥装置包括：附设在箱壳中的供给由含有0.05Vol%以上的氢气的氢气与惰性气体的混合气体的气体供给板块、一端连接在上述气体供给板块的气体混合器上的混合气体供给管、对上述混合气体供给管内的混合气体进行加热的混合气体加热装置、在与经混合气体加热装置加热的高温混合气体接触的部位具有可形成氢自由基的白金涂覆被膜的氢自由基生成装置等，通过将含有氢自由基的混合气体喷射到清洗后的硅晶片上，对硅晶片的外表面进行干燥和氢封端处理。
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公开(公告)号：CN1320151C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN03816179.6
申请日：2003-07-09
Applicant: 株式会社富士金
CPC classification number: F16L19/061 , C22C38/001 , C22C38/42 , C22C38/44 , F16L19/08
Abstract: 本发明的管接头(30)包括从后端侧插入管(32)的管状主体(31)、嵌合在从主体(31)后端侧伸出的管(32)的周围的前环(33)及后环(34)、将前环(33)及后环(34)紧固而将管(32)固定在主体(31)上的盖形螺母(35)。后环(34)由合金制成，该合金包含有：按照重量%，C：0.001～0.01%、Si：≤5%、Mn：≤2%、P：≤0.03%、S：≤100ppm、O：≤50ppm、Cr：18～25%、Ni：15～25%、Mo：4.5～7.0%、Cu：0.5～3.0%、N：0.1～0.3%，其余部分实际上是Fe和其它不可避免的杂质。
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公开(公告)号：CN1691980A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100226.9
申请日：2003-10-14
CPC classification number: B01J12/007 , B01J21/04 , B01J23/42 , B01J37/0225 , B01J37/0226 , B01J37/08 , C01B5/00
Abstract: 在水分发生用反应炉的反应用空间的内壁面，能够廉价而且简单地形成厚度均匀的对母材附着力强，并且对铂皮膜的保护功能强的隔离皮膜。在不进行高温燃烧而使氢和氧反应产生水分的水分发生用反应炉中，水分发生用反应炉用含铝的合金形成，对该水分发生用反应炉的内壁面，实施铝的选择氧化处理，形成以氧化铝(Al2O3)为主体的隔离皮膜，然后在该隔离皮膜的上面层合附着铂皮膜，形成铂涂层催化层。
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公开(公告)号：CN1114059C
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN00801268.7
申请日：2000-09-11
Applicant: 株式会社富士金
Abstract: 本发明实现了不用烘烤法、而通过常温排气处理即可有效地除去吸附水分的供气系统的水分去除法。本发明为一种使除水分气体在供气系统中流动而除去残留在供气系统内的水分的方法，其特征为，将除水分气体的流压设定成大于或等于其气流成为粘性流的最小压力，并且小于或等于除水分气体流通温度的饱和水蒸气压。此外，所述除水分气体成为粘性流的条件是通过气体分子的平均自由行程小于供气系统配管的直径来判定。如果在这样的条件下对除水分气体进行常温排气，则能够有效地除去在配管内面或阀及过滤器件内的吸附水分。
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