公开(公告)号：CN106486397B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201610730607.4

申请日：2016-08-26

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 青山敬幸 ,  河原崎光 ,  古川雅志 ,  加藤慎一 ,  布施和彦 ,  谷村英昭

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02

Abstract: 提供能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜的膜厚增大的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面隔着作为界面层膜的二氧化硅膜形成高介电常数膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氨气与氮气的混合气体而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来执行高介电常数膜的成膜后热处理。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行成膜后热处理时的腔室内的氧气浓度显著地变低，从而能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜在成膜后热处理中吸取氧气而膜厚增大。

公开(公告)号：CN112053944A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN202010945865.0

申请日：2016-08-26

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 青山敬幸 ,  河原崎光 ,  古川雅志 ,  布施和彦 ,  谷村英昭 ,  加藤慎一

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/265 ,  H01L21/285 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 提供能够抑制硅化物的高电阻化的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面上形成有金属膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氮气而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来形成金属膜与硅的化合物即硅化物。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行硅化物形成的处理时的腔室内的氧气浓度显著地降低，从而能够抑制因腔室内气体环境中的氧气进入金属膜与基材的界面附近的缺陷中所引起的硅化物的高电阻化。

公开(公告)号：CN106486351A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610736763.1

申请日：2016-08-26

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 青山敬幸 ,  河原崎光 ,  古川雅志 ,  布施和彦 ,  谷村英昭 ,  加藤慎一

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/285 ,  H01L21/67

Abstract: 提供能够抑制硅化物的高电阻化的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面上形成有金属膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氮气而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来形成金属膜与硅的化合物即硅化物。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行硅化物形成的处理时的腔室内的氧气浓度显著地降低，从而能够抑制因腔室内气体环境中的氧气进入金属膜与基材的界面附近的缺陷中所引起的硅化物的高电阻化。