公开(公告)号：CN106340451B

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201610525945.4

申请日：2016-07-06

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 谷村英昭 ,  布施和彦

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供一种能够省略仿真运行的热处理方法以及热处理装置。在从卤素灯(HL)向在腔室(6)内被支座(74)保持的半导体晶片(W)的下表面照射光来进行预加热之后，从闪光灯(FL)向该半导体晶片(W)的上表面照射闪光来进行闪光加热。在开始对一批次中最初的半导体晶片(W)进行热处理之前，将被加热器(22)加热的高温的处理气体供给至腔室(6)内，从而对包括支座(74)的腔室内结构体进行预热。使腔室内结构体升温至与进行正常处理时相同程度的温度，从而即使在不进行仿真运行的情况下，也能够使构成一批次的所有半导体晶片(W)被相同温度的支座(74)支撑，从而能够使温度履历均匀。

公开(公告)号：CN106158605B

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201610319864.9

申请日：2016-05-13

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 布施和彦

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够防止基板的周缘部的相对的温度下降的热处理方法以及热处理装置。向半导体晶片照射闪光的多个闪光灯(FL)呈平面状排列。将多个闪光灯(FL)的排列分割成包含与成为处理对象的半导体晶片的中央部相向的区域的中央区(Z1)和位于中央区(Z1)的外侧的周缘区(Z2)这2个区。在闪光照射时，相比属于中央区(Z1)的闪光灯(FL)的发光时间，属于周缘区Z2的闪光灯FL的发光时间长。由此，向容易产生相对的温度下降的半导体晶片(W)的周缘部照射的闪光的光量比中央部多，能够防止在闪光加热时的半导体晶片的周缘部的相对的温度下降。

公开(公告)号：CN106486397A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610730607.4

申请日：2016-08-26

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 青山敬幸 ,  河原崎光 ,  古川雅志 ,  加藤慎一 ,  布施和彦 ,  谷村英昭

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02

Abstract: 提供能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜的膜厚增大的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面隔着作为界面层膜的二氧化硅膜形成高介电常数膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氨气与氮气的混合气体而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来执行高介电常数膜的成膜后热处理。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行成膜后热处理时的腔室内的氧气浓度显著地变低，从而能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜在成膜后热处理中吸取氧气而膜厚增大。

公开(公告)号：CN106206366A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610348854.8

申请日：2016-05-24

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 布施和彦 ,  伊藤祯朗

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67115 ,  F27B17/0025 ,  F27D11/12 ,  H01L21/6875

Abstract: 本发明提供一种热处理装置，能够通过简单的结构使光照射时的基板面内的温度分布均匀。在基座(74)的上表面竖立设置有用于对半导体晶片(W)进行支撑的支撑销(75)。隔着基座(74)在基座(74)的与支撑销(75)相反一侧的下表面设置有聚光透镜(73)。聚光透镜(73)设置为光轴与支撑销(75)的中心轴相一致。从下方的卤素灯出射的光中的向聚光透镜(73)入射的光被会聚到支撑销(75)和半导体晶片(W)的接触部位，使该接触部位附近升温。通过对容易产生温度下降的半导体晶片(W)的与支撑销(75)的接触部位附近相对强地进行加热来抑制温度下降，从而能够使光照射时的半导体晶片(W)的面内温度分布均匀。

公开(公告)号：CN106486351B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201610736763.1

申请日：2016-08-26

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 青山敬幸 ,  河原崎光 ,  古川雅志 ,  布施和彦 ,  谷村英昭 ,  加藤慎一

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/285 ,  H01L21/67

Abstract: 提供能够抑制硅化物的高电阻化的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面上形成有金属膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氮气而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来形成金属膜与硅的化合物即硅化物。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行硅化物形成的处理时的腔室内的氧气浓度显著地降低，从而能够抑制因腔室内气体环境中的氧气进入金属膜与基材的界面附近的缺陷中所引起的硅化物的高电阻化。

公开(公告)号：CN112053944B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202010945865.0

申请日：2016-08-26

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 青山敬幸 ,  河原崎光 ,  古川雅志 ,  布施和彦 ,  谷村英昭 ,  加藤慎一

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/265 ,  H01L21/285 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 提供能够抑制硅化物的高电阻化的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面上形成有金属膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氮气而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来形成金属膜与硅的化合物即硅化物。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行硅化物形成的处理时的腔室内的氧气浓度显著地降低，从而能够抑制因腔室内气体环境中的氧气进入金属膜与基材的界面附近的缺陷中所引起的硅化物的高电阻化。

公开(公告)号：CN112652559B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202011536845.4

申请日：2016-08-26

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 青山敬幸 ,  河原崎光 ,  古川雅志 ,  加藤慎一 ,  布施和彦 ,  谷村英昭

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28

Abstract: 提供能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜的膜厚增大的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面隔着作为界面层膜的二氧化硅膜形成高介电常数膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氨气与氮气的混合气体而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来执行高介电常数膜的成膜后热处理。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行成膜后热处理时的腔室内的氧气浓度显著地变低，从而能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜在成膜后热处理中吸取氧气而膜厚增大。

公开(公告)号：CN106340474A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610528458.3

申请日：2016-07-06

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 谷村英昭 ,  松尾郁 ,  布施和彦 ,  加藤慎一

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/2253 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H05B3/0047 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种能够降低腔室内的污染的热处理装置以及热处理方法。在从卤素灯(HL)向在腔室(6)内被支座(74)保持的半导体晶片(W)的下表面照射光来进行预加热之后，从闪光灯(FL)向该半导体晶片(W)的上表面照射闪光来进行闪光加热。通过加热器(22)加热从气体供给源外，通过流量调整阀(21)增加向腔室(6)内供给的处理气体的流量。通过向腔室(6)内大流量地供给高温的处理气体来形成其气流，能够将在加热处理时从半导体晶片(W)的膜扩散的污染物向腔室(6)外排出，从而降低腔室(6)内的污染。(85)供给的处理气体，然后向腔室(6)内供给。另

公开(公告)号：CN106158605A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610319864.9

申请日：2016-05-13

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 布施和彦

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够防止基板的周缘部的相对的温度下降的热处理方法以及热处理装置。向半导体晶片照射闪光的多个闪光灯(FL)呈平面状排列。将多个闪光灯(FL)的排列分割成包含与成为处理对象的半导体晶片的中央部相向的区域的中央区(Z1)和位于中央区(Z1)的外侧的周缘区(Z2)这2个区。在闪光照射时，相比属于中央区(Z1)的闪光灯(FL)的发光时间，属于周缘区Z2的闪光灯FL的发光时间长。由此，向容易产生相对的温度下降的半导体晶片(W)的周缘部照射的闪光的光量比中央部多，能够防止在闪光加热时的半导体晶片的周缘部的相对的温度下降。

公开(公告)号：CN112652559A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011536845.4

申请日：2016-08-26

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 青山敬幸 ,  河原崎光 ,  古川雅志 ,  加藤慎一 ,  布施和彦 ,  谷村英昭

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28

Abstract: 提供能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜的膜厚增大的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面隔着作为界面层膜的二氧化硅膜形成高介电常数膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氨气与氮气的混合气体而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来执行高介电常数膜的成膜后热处理。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行成膜后热处理时的腔室内的氧气浓度显著地变低，从而能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜在成膜后热处理中吸取氧气而膜厚增大。