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公开(公告)号：CN106486397A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610730607.4
申请日：2016-08-26
Applicant: 株式会社思可林集团
Abstract: 提供能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜的膜厚增大的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面隔着作为界面层膜的二氧化硅膜形成高介电常数膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氨气与氮气的混合气体而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来执行高介电常数膜的成膜后热处理。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行成膜后热处理时的腔室内的氧气浓度显著地变低，从而能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜在成膜后热处理中吸取氧气而膜厚增大。
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公开(公告)号：CN112053944B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202010945865.0
申请日：2016-08-26
Applicant: 株式会社思可林集团
IPC: H01L21/268 , H01L21/265 , H01L21/285 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 提供能够抑制硅化物的高电阻化的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面上形成有金属膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氮气而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来形成金属膜与硅的化合物即硅化物。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行硅化物形成的处理时的腔室内的氧气浓度显著地降低，从而能够抑制因腔室内气体环境中的氧气进入金属膜与基材的界面附近的缺陷中所引起的硅化物的高电阻化。
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公开(公告)号：CN106469649B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201610656585.1
申请日：2016-08-11
Applicant: 株式会社思可林集团
Inventor： 青山敬幸
Abstract: 本发明提供一种热处理方法以及热处理装置，无论基板的表面状态如何都能够以简单的结构测定基板的表面温度。从利用卤素灯的预备加热阶段至利用闪光灯照射闪光时，由辐射温度计测定半导体晶片的背面的温度，并求出在照射了闪光时半导体晶片的背面从预备加热温度上升的上升温度(ΔT)。由于半导体晶片的比热是既定值，上升温度(ΔT)与通过照射闪光对半导体晶片的表面施加的能量的大小成比例，因此，能够根据照射闪光时的半导体晶片的背面的上升温度(ΔT)来计算半导体晶片的表面到达温度。
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公开(公告)号：CN110010448B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201811542249.X
申请日：2015-09-11
Applicant: 株式会社思可林集团
IPC: H01L21/04 , H01L21/285 , H01L21/67 , H01L21/687 , H05B3/00
Abstract: 本发明提供能够得到低的金半接触电阻而不会使器件特性劣化的半导体制造方法以及半导体制造装置。通过从闪光灯(FL)对形成了金属层的半导体基板(W)的表面以1秒以下的照射时间照射闪光，将包含金属层以及杂质区域的半导体基板(W)的表面瞬间地升温至1000℃以上的处理温度。另外，在包含氢的混合气体的环境中，对半导体基板(W)的表面照射闪光进行加热处理。通过在混合气体的环境中将半导体基板(W)的表面在极短时间加热至高温，能够使金半接触电阻降低，而不会使在栅极氧化膜的界面附近为了氢封端而取入的氢解吸。
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公开(公告)号：CN106486351B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201610736763.1
申请日：2016-08-26
Applicant: 株式会社思可林集团
IPC: H01L21/268 , H01L21/285 , H01L21/67
Abstract: 提供能够抑制硅化物的高电阻化的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面上形成有金属膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氮气而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来形成金属膜与硅的化合物即硅化物。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行硅化物形成的处理时的腔室内的氧气浓度显著地降低，从而能够抑制因腔室内气体环境中的氧气进入金属膜与基材的界面附近的缺陷中所引起的硅化物的高电阻化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110010448A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811542249.X
申请日：2015-09-11
Applicant: 株式会社思可林集团
IPC: H01L21/04 , H01L21/285 , H01L21/67 , H01L21/687 , H05B3/00
Abstract: 本发明提供能够得到低的金半接触电阻而不会使器件特性劣化的半导体制造方法以及半导体制造装置。通过从闪光灯(FL)对形成了金属层的半导体基板(W)的表面以1秒以下的照射时间照射闪光，将包含金属层以及杂质区域的半导体基板(W)的表面瞬间地升温至1000℃以上的处理温度。另外，在包含氢的混合气体的环境中，对半导体基板(W)的表面照射闪光进行加热处理。通过在混合气体的环境中将半导体基板(W)的表面在极短时间加热至高温，能够使金半接触电阻降低，而不会使在栅极氧化膜的界面附近为了氢封端而取入的氢解吸。
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公开(公告)号：CN105428400B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201510578248.0
申请日：2015-09-11
Applicant: 株式会社思可林集团
IPC: H01L29/45 , H01L21/28 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供能够得到低的金半接触电阻而不会使器件特性劣化的半导体制造方法以及半导体制造装置。通过从闪光灯(FL)对形成了金属层的半导体基板(W)的表面以1秒以下的照射时间照射闪光，将包含金属层以及杂质区域的半导体基板(W)的表面瞬间地升温至1000℃以上的处理温度。另外，在包含氢的混合气体的环境中，对半导体基板(W)的表面照射闪光进行加热处理。通过在混合气体的环境中将半导体基板(W)的表面在极短时间加热至高温，能够使金半接触电阻降低，而不会使在栅极氧化膜的界面附近为了氢封端而取入的氢解吸。
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公开(公告)号：CN105428400A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510578248.0
申请日：2015-09-11
Applicant: 株式会社思可林集团
IPC: H01L29/45 , H01L21/28 , H01L21/324
CPC classification number: H05B3/0047 , H01L21/046 , H01L21/0485 , H01L21/28512 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H01L21/68785 , H01L21/76889 , H01L29/45 , H01L21/28 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供能够得到低的金半接触电阻而不会使器件特性劣化的半导体制造方法以及半导体制造装置。通过从闪光灯(FL)对形成了金属层的半导体基板(W)的表面以1秒以下的照射时间照射闪光，将包含金属层以及杂质区域的半导体基板(W)的表面瞬间地升温至1000℃以上的处理温度。另外，在包含氢的混合气体的环境中，对半导体基板(W)的表面照射闪光进行加热处理。通过在混合气体的环境中将半导体基板(W)的表面在极短时间加热至高温，能够使金半接触电阻降低，而不会使在栅极氧化膜的界面附近为了氢封端而取入的氢解吸。
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公开(公告)号：CN112652559A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011536845.4
申请日：2016-08-26
Applicant: 株式会社思可林集团
Abstract: 提供能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜的膜厚增大的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面隔着作为界面层膜的二氧化硅膜形成高介电常数膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氨气与氮气的混合气体而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来执行高介电常数膜的成膜后热处理。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行成膜后热处理时的腔室内的氧气浓度显著地变低，从而能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜在成膜后热处理中吸取氧气而膜厚增大。
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公开(公告)号：CN106486397B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201610730607.4
申请日：2016-08-26
Applicant: 株式会社思可林集团
Abstract: 提供能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜的膜厚增大的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面隔着作为界面层膜的二氧化硅膜形成高介电常数膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氨气与氮气的混合气体而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来执行高介电常数膜的成膜后热处理。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行成膜后热处理时的腔室内的氧气浓度显著地变低，从而能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜在成膜后热处理中吸取氧气而膜厚增大。
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