公开(公告)号：CN105280377B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201510312333.2

申请日：2015-06-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 神崎泰介 ,  增成晃生

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01B1/02 ,  H01B3/12

CPC classification number: H01G4/30 ,  B32B18/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6021 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/0085 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1263

Abstract: 本发明提供层叠陶瓷电容器，能在抑制内部电极的覆盖率的降低的同时实现内部电极的薄层化。层叠陶瓷电容器包括：以包含Ba、Ti且任意含有Zr、Hf的钙钛矿型化合物为主成分的电介质层；和平均厚度0.5μm以下的内部电极。在电介质层中，进行调整，使得相对于Ti、Zr和Hf的合计量100摩尔份，Mg成分为0≤Mg≤0.4(摩尔份)的范围。另外，在内部电极的缺损部中存在Mg成分的比例为20％以上、即(存在Mg的缺损部个数/全部缺损部个数)×100(％)≥20(％)。

公开(公告)号：CN105280377A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510312333.2

申请日：2015-06-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 神崎泰介 ,  增成晃生

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01B1/02 ,  H01B3/12

CPC classification number: H01G4/30 ,  B32B18/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6021 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/0085 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1263

Abstract: 本发明提供层叠陶瓷电容器，能在抑制内部电极的覆盖率的降低的同时实现内部电极的薄层化。层叠陶瓷电容器包括：以包含Ba、Ti且任意含有Zr、Hf的钙钛矿型化合物为主成分的电介质层；和平均厚度0.5μm以下的内部电极。在电介质层中，进行调整，使得相对于Ti、Zr和Hf的合计量100摩尔份，Mg成分为0≤Mg≤0.4(摩尔份)的范围。另外，在内部电极的缺损部中存在Mg成分的比例为20％以上、即(存在Mg的缺损部个数/全部缺损部个数)×100(％)≥20(％)。