公开(公告)号：CN101448759A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780018655.X

申请日：2007-05-09

Applicant: 埃普科斯股份有限公司

Inventor： P·杜德塞克 ,  C·霍夫曼恩 ,  M·瓦兰特 ,  D·苏沃罗夫

IPC: C04B35/495 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01C7/18

CPC classification number: H01G4/1263 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B2235/32 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/30 ,  H01G4/35 ,  H01G4/40 ,  H05K1/0306 ,  Y10T428/24926 ,  Y10T428/252

Abstract: 本发明涉及陶瓷材料、烧结陶瓷和由其制成的元件、制造方法和陶瓷的应用。提供了一种陶瓷混合系，由纯组分A和B的两相混合物组成，其中A相基于Bi3NbO7的立方体至四面体变体，而B相基于Bi2(Zn2/3Nb4/3)O7的单斜晶的烧绿石变体。由此制成的陶瓷物体的电性能使该材料适用于具有多层结构的元件，这种元件中集成有电容和电感器，并且可以用在数据处理或者信号处理中。

公开(公告)号：CN103999207A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201280058844.0

申请日：2012-10-25

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  德光永辅 ,  尾上允敏 ,  宫迫毅明

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/316 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01G4/1254 ,  H01G4/1263 ,  H01G4/306 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/76817 ,  H01L27/016 ,  H01L28/40 ,  H01L29/84

Abstract: 本发明的一个固体电子装置具备包含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物层(可以包含不可避免的杂质)，其中，所述氧化物层通过将前躯体层在含氧气氛中加热而形成，所述前躯体层将前躯体溶液作为原料，所述前躯体溶液将包含所述铋(Bi)的前躯体及包含所述铌(Nb)的前躯体作为溶质，并且用于形成所述氧化物层的加热温度为520℃以上且650℃以下。

公开(公告)号：CN103155062B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201180049288.6

申请日：2011-10-11

Applicant: 艾普瑞特材料技术有限责任公司

Inventor： 柴良

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227 ,  H01G4/005 ,  H01G4/012 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/1263 ,  H01G4/248 ,  H01G4/30 ,  H01G4/33

Abstract: 一种电容器包括：一对电极；被设置在该一对电极之间的金属化电介质层，其中，金属化电介质层具有分布于电介质材料内的多个金属骨料。分布使得金属化电介质层中的金属的体积部分为至少约30%。同时，多个金属骨料通过电介质材料相互分离。一种用于形成金属‑电介质复合物的方法可包括：用金属涂敷多个电介质微粒，以形成多个金属涂敷的电介质微粒；和在约750°C～约950°C的温度下烧结多个金属涂敷电介质微粒，以将金属涂层变成离散的分离的金属骨料。与通过电介质带分离电极的常规的技术相反，本发明的系统和方法表现可在烧结中原位形成的金属化电介质层。

公开(公告)号：CN101448759B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN200780018655.X

申请日：2007-05-09

Applicant: 埃普科斯股份有限公司

Inventor： P·杜德塞克 ,  C·霍夫曼恩 ,  M·瓦兰特 ,  D·苏沃罗夫

IPC: C04B35/495 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01C7/18

CPC classification number: H01G4/1263 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B2235/32 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/30 ,  H01G4/35 ,  H01G4/40 ,  H05K1/0306 ,  Y10T428/24926 ,  Y10T428/252

Abstract: 本发明涉及陶瓷材料、烧结陶瓷和由其制成的元件、制造方法和陶瓷的应用。提供了一种陶瓷混合系，由纯组分A和B的两相混合物组成，其中A相基于Bi3NbO7的立方体至四面体变体，而B相基于Bi2(Zn2/3Nb4/3)O7的单斜晶的烧绿石变体。由此制成的陶瓷物体的电性能使该材料适用于具有多层结构的元件，这种元件中集成有电容和电感器，并且可以用在数据处理或者信号处理中。

公开(公告)号：CN106892655A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201710206414.3

申请日：2017-03-31

Applicant: 天津大学

Inventor： 李玲霞 ,  郭千瑜 ,  张帅 ,  孙正 ,  张宁

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/453 ,  C04B35/62605 ,  C04B35/63416 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/94 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1263

Abstract: 本发明公开了一种高介电常数温度稳定型陶瓷电容器介质材料，化学式Bi2Mg2/3Nb16/15Zr4/15O7。先将原料Bi2O3、Nb2O5、ZrO2、MgO按化学式称量配料，经过球磨，烘干，过筛，于750℃下煅烧合成主晶相，成型后于900～950℃烧结，制成所需陶瓷电容器介质材料。本发明介电常数在144～160之间，近零的电容量温度系数在‑55×10‑6/℃～‑42×10‑6/℃范围内，用于多层片式陶瓷电容器的制备，具有较低的烧结温度，降低了多层器件的成本。

公开(公告)号：CN100580932C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200510134103.8

申请日：2005-12-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  古林智一 ,  宫泽弘

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01B3/02 ,  H01G4/06 ,  C01G1/00

CPC classification number: H01G7/06 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/499 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/6303 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  C23C18/00 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/1263 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 一种铁电膜、铁电膜的制造方法、铁电电容器、以及铁电存储器，所述铁电膜101由用通式(Pb1-dBid)(B1-aXa)O3表示的铁电膜构成，其中：B由Zr和Ti中的至少一方构成，X由Nb和Ta中的至少一方构成，a的范围为0.05≤a≤0.4，d的范围为0＜d＜1。根据本发明可以提供具有良好的滞后特性的铁电电容器、以及铁电存储器，此外还可以提供适用于铁电存储器和上述铁电电容器的铁电膜。

公开(公告)号：CN1797771A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510134103.8

申请日：2005-12-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  古林智一 ,  宫泽弘

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01B3/02 ,  H01G4/06 ,  C01G1/00

CPC classification number: H01G7/06 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/499 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/6303 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  C23C18/00 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/1263 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 一种铁电膜、铁电膜的制造方法、铁电电容器、以及铁电存储器，所述铁电膜101由用通式(Pb1－dBid)(B1－aXa)O3表示的铁电膜构成，其中：B由Zr和Ti中的至少一方构成，X由Nb和Ta中的至少一方构成，a的范围为0.05≤a≤0.4，d的范围为0＜d＜1。根据本发明可以提供具有良好的滞后特性的铁电电容器、以及铁电存储器，此外还可以提供适用于铁电存储器和上述铁电电容器的铁电膜。

公开(公告)号：CN105280377B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201510312333.2

申请日：2015-06-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 神崎泰介 ,  增成晃生

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01B1/02 ,  H01B3/12

CPC classification number: H01G4/30 ,  B32B18/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6021 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/0085 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1263

Abstract: 本发明提供层叠陶瓷电容器，能在抑制内部电极的覆盖率的降低的同时实现内部电极的薄层化。层叠陶瓷电容器包括：以包含Ba、Ti且任意含有Zr、Hf的钙钛矿型化合物为主成分的电介质层；和平均厚度0.5μm以下的内部电极。在电介质层中，进行调整，使得相对于Ti、Zr和Hf的合计量100摩尔份，Mg成分为0≤Mg≤0.4(摩尔份)的范围。另外，在内部电极的缺损部中存在Mg成分的比例为20％以上、即(存在Mg的缺损部个数/全部缺损部个数)×100(％)≥20(％)。

公开(公告)号：CN103999207B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201280058844.0

申请日：2012-10-25

Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  德光永辅 ,  尾上允敏 ,  宫迫毅明

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/316 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01G4/1254 ,  H01G4/1263 ,  H01G4/306 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/76817 ,  H01L27/016 ,  H01L28/40 ,  H01L29/84

Abstract: 本发明的一个固体电子装置具备包含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物层(可以包含不可避免的杂质)，其中，所述氧化物层通过将前躯体层在含氧气氛中加热而形成，所述前躯体层将前躯体溶液作为原料，所述前躯体溶液将包含所述铋(Bi)的前躯体及包含所述铌(Nb)的前躯体作为溶质，并且用于形成所述氧化物层的加热温度为520℃以上且650℃以下。

公开(公告)号：CN105280377A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510312333.2

申请日：2015-06-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 神崎泰介 ,  增成晃生

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01B1/02 ,  H01B3/12

CPC classification number: H01G4/30 ,  B32B18/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6021 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/0085 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1263

Abstract: 本发明提供层叠陶瓷电容器，能在抑制内部电极的覆盖率的降低的同时实现内部电极的薄层化。层叠陶瓷电容器包括：以包含Ba、Ti且任意含有Zr、Hf的钙钛矿型化合物为主成分的电介质层；和平均厚度0.5μm以下的内部电极。在电介质层中，进行调整，使得相对于Ti、Zr和Hf的合计量100摩尔份，Mg成分为0≤Mg≤0.4(摩尔份)的范围。另外，在内部电极的缺损部中存在Mg成分的比例为20％以上、即(存在Mg的缺损部个数/全部缺损部个数)×100(％)≥20(％)。