介电陶瓷和使用它的电容器

    公开(公告)号:CN1171256C

    公开(公告)日:2004-10-13

    申请号:CN99104909.8

    申请日:1999-03-31

    CPC classification number: H01G4/1227

    Abstract: 一种便宜的脉冲发生电容器,其特征即使在电容器在高温、高真空、低气压下使用时也不恶化,并能够在较宽的温度范围中产生高压脉冲。电容器A的介质体1由非线性介电陶瓷构成,它表现出抗减小性。非线性介电陶瓷含有多晶材料,该材料含有钛酸钡作为主要成份,多晶材料表示为(1-a-b)ABO3+aM+bR,其中ABO3为钛酸钡成份,并表示钙钛矿结构,M是从由Mn、Ni和Co组成的组中选出的至少一种元素的氧化物,R是从由La、Ce、Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er和Yb组成的组中选出的至少一种元素的氧化物,并且a和b表示摩尔分数,A、B、a和b满足下面的关系:1.000≤A/B≤1.006(摩尔比),0.3≤b/a≤3,0.0015≤a≤0.0050和0.0015≤b≤0.0050,而由Ad表示的M和R的总含量满足:0.3<Ad≤1.0(wt.%)。

    介电陶瓷和使用它的电容器

    公开(公告)号:CN1236961A

    公开(公告)日:1999-12-01

    申请号:CN99104909.8

    申请日:1999-03-31

    CPC classification number: H01G4/1227

    Abstract: 一种便宜的脉冲发生电容器,其特征即使在电容器在高温、高真空、低气压下使用时也不恶化,并能够在较宽的温度范围中产生高压脉冲。电容器A的介质体1由非线性介电陶瓷构成,它表现出抗减小性。非线性介电陶瓷含有多晶材料,它该材料含有钛酸钡作为主要成份,多晶材料表示为(1-a-b)ABO3+aM+bR,其中ABO3为钛酸钡成份,并表示钙钛矿结构,M是从由Mn、Ni和Co组成的组中选出的至少一种元素的氧化物,R是从由La、Ce、Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、和Yb组成的组中选出的至少一种元素的氧化物,并且a和b表示摩尔分数,A、B、a和b满足下面的关系:1.000≤A/B≤1.006(摩尔比),0.3≤b/a ≤3,0.0015≤a≤0.0050和0.0015≤b≤0.0050,而由Ad表示的M和R的总含量满足:0.3

    薄膜电容器、薄膜电容器的制造方法、电介质树脂膜以及电介质树脂膜的制造方法

    公开(公告)号:CN113972071B

    公开(公告)日:2023-09-26

    申请号:CN202111358588.4

    申请日:2018-01-16

    Abstract: 本发明提供薄膜电容器、薄膜电容器的制造方法、电介质树脂膜以及电介质树脂膜的制造方法,所述薄膜电容器具备:具有第一面以及与上述第一面相反一侧的第二面的、包含固化性树脂的电介质树脂膜;形成于上述电介质树脂膜的上述第一面上的第一金属层;以及与上述电介质树脂膜的上述第二面相面对的第二金属层。在第一方式中,其特征在于,在上述电介质树脂膜的至少上述第二面含有硅树脂。在第二方式中,其特征在于,上述电介质树脂膜的上述第二面的表面能为45mN/m以下。在第三方式中,其特征在于,水与上述电介质树脂膜的上述第二面的接触角为87°以上。

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