公开(公告)号：CN101006028B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680000624.7

申请日：2006-04-13

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 笹林武久 ,  石原雅之 ,  中村友幸 ,  佐野晴信

IPC: C04B35/468 ,  H01G4/12 ,  H01B3/12

CPC classification number: C04B35/62675 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62815 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供具有不低于5,500的高介电常数并且具有良好的介电常数温度特性的介电陶瓷，并且提供静电电容温度特性满足X5R特性的小的高电容单片陶瓷电容器。所述介电陶瓷具有包含BaTiO3系或(Ba，Ca)TiO3系主要组分和包含稀土元素和Cu的附加组分的组成，并且具有由晶粒(21)和占据在晶粒(21)之间的晶粒间界(22)构成的结构。晶粒间界(22)中的稀土元素平均浓度与晶粒(21)内部稀土元素的平均浓度的摩尔比小于2，并且在介电陶瓷的横截面中，在第一晶粒(21A)的不低于90％的区域中存在稀土元素，其数量为晶粒(21)的55％至85％，并且在第二晶粒(21B)的小于10％的区域中存在稀土元素，其数量为晶粒(21)的15％至45％。

公开(公告)号：CN100519474C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200580042416.9

申请日：2005-12-06

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 冈松俊宏 ,  平松隆 ,  佐野晴信

IPC: C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/49 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/405 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1227

Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷，其电容率高，在用于叠层陶瓷电容器(1)时，即使电介质陶瓷层(3)薄层化，绝缘性也高，可靠性优良。用于构成叠层陶瓷电容器(1)的电介质陶瓷层(3)的电介质陶瓷，具有用100(Ba1-w-x-mCawSrxGdm)k(Ti1-y-z-nZryHfzMgn)O3+a+pMnO2+qSiO2+rCuO表示的组成。其中，0.995≤k≤1.010、0≤w＜0.04、0≤x≤0.04、0≤y≤0.10、0≤z≤0.05、0.015≤m≤0.035、0.015≤n≤0.035、0.01≤p≤1.0、0.5≤q≤2.5、及0.01≤r≤5.0。a是相对于3的偏差，以所述主成分成为电中性的方式选择的值。

公开(公告)号：CN100412027C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200480036525.5

申请日：2004-12-10

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 田村浩 ,  佐野晴信

IPC: C04B35/20

Abstract: 现有技术的用于高频的介电陶瓷组合物具有1350℃～1400℃之高的焙烧温度，因为过分高的焙烧温度，所以不适合用作多层电容器的材料。另一现有技术的多层电容器需要复杂费时的制备方法，由于粘合层和陶瓷层之间的热收缩系数差，所以产生结构缺陷，从而存在多层陶瓷电容器小型化和多层化的困难。本发明的介电陶瓷组合物由通式MgxSiO2+x+aSryTiO2+y表示，其中x、y和a分别满足关系式：1.70≤x≤1.99、0.98≤y≤1.02和0.05≤a≤0.40。

公开(公告)号：CN101027264A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200580032693.1

申请日：2005-06-28

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 加藤成 ,  中村友幸 ,  武藤和夫 ,  笹林武久 ,  佐野晴信

IPC: C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B32B2311/12 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/6303 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/407 ,  H01G4/1227

Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷、电介质陶瓷的制备方法以及叠层陶瓷电容器。其中，本发明的电介质陶瓷以(Ba、Ca)(Ti、X)O3(其中X表示比Ti的价数高的元素)为主成分，所含有的第一～第三添加成分相对于主成分100摩尔分别为0.1～4.0摩尔。第一添加成分为规定的稀土类元素，第二添加成分是价数比Ti低的规定元素，第三添加成分由含有Si的烧结助剂构成。对于主成分粒子1中的90％以上而言，表示各添加成分2向主成分粒子1中的固溶状态的固溶率的总计按截面积比计为10％以下。Ca的配合摩尔比为0～0.20(优选0.02～0.20)，B位置中的元素X的配合摩尔比y为0.0001～0.005。由此，即使电介质层薄层化至1～3μm程度，也能够得到具有高介电常数，在不损害静电电容的温度特性的前提下能够获得良好的绝缘性及高温负载寿命。

公开(公告)号：CN1224064C

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN01121003.6

申请日：1997-07-03

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐野晴信 ,  和田博之 ,  浜地幸生

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/008 ,  C04B35/468

CPC classification number: H01G4/1227

Abstract: 本发明揭示了一种介电陶瓷组合物和使用该组合物的叠层陶瓷电容器。该组合物含有：钛酸钡，其中杂质，至少一种碱金属氧化物的含量低于0.02重量%；氧化钪、氧化钇中的至少一种、氧化锰和非必要的氧化镍；并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分，含有0.5至3.0摩尔氧化镁，以MgO计，和0.2至5.0摩尔氧化硅作为次要组分，以SiO2计：(1-α-β){BaO}m·TiO2+αM2O3+β(Mn1-xNix)O，其中M2O3是选自Sc2O3和Y2O3中的至少一种；α、β、m和x如下所述：0.0025≤α≤0.020；0.0025≤β≤0.04；β/α≤4；0≤x＜1.0；1.000＜m≤1.035。

公开(公告)号：CN1104015C

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN98107146.5

申请日：1998-03-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 原田和宏 ,  佐野晴信

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/005 ,  H01B3/12 ,  C04B35/468

CPC classification number: H01G4/1227

Abstract: 介电陶瓷成分包括：钛酸钡，主要成分(1-α-β-γ){BaO}m·TiO2+αM2O3+βRe2O3+γ(Mn1-x-yNixCoy)O。其中，M2O3是Sc2O3和Y2O3的至少一个；Re2O3是Sm2O3、Eu2O3和Gd2O3的至少一个；0.0025≤α+β≤0.025，0.001≤β≤0.0075，0.0025≤γ≤0.05，1≤γ/(α+β)≤4，0≤x≤0.5，0≤y≤0.6，0≤x+y≤0.6，1.005≤m≤1.035。

公开(公告)号：CN1087867C

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：CN98120760.X

申请日：1998-09-25

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 的场弘明 ,  佐野晴信

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/468

CPC classification number: C04B35/468 ,  H01G4/1227

Abstract: 本发明揭示了一种介电陶瓷组合物，它包含以下式表示的主要组分：xBaO-yTiO2-z(ReIaReII(1-a))2O3其中x，y和z是摩尔%；x+y+z＝100；(x，y，z)落在由A(39.5，59.5，1)，B(1，59.5，39.5)，C(1，85，14)和D(14，85，1)四点所限定的多边形区域内；0.2＜a≤1.0，ReI是选自Tb，Dy，Ho，Er和Yb的至少一种稀土元素；ReII是选自La，Pr，Nd和Sm的至少一种稀土元素；该介电陶瓷组合物还含有V作为次要组分，相对于100%重量的主要组分，按V2O5计其含量α为0.1-15%重量。并公开了含该组合物的独石陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN1085635C

公开(公告)日：2002-05-29

申请号：CN97113744.7

申请日：1997-07-03

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐野晴信 ,  和田博之 ,  浜地幸生

IPC: C04B35/468 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227

Abstract: 本发明揭示了一种介电陶瓷组合物和使用该组合物的叠层陶瓷电容器。该组合物含有：钛酸钡；氧化钪、氧化钇、氧化锰和氧化镍；并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分，含有0.5至3.0摩尔(以MgO计)氧化镁，和0.2至5.0摩尔(以SiO2计)氧化硅作为次要组分：(1-α-β){BaO}Mm·TiO2+αM2O3+β(Mn1-xNix)O其中M2O3是选自Sc2O3和Y2O3中的至少一种；α、β、m和x如下所述：0.0025≤α≤0.020 0.0025≤β≤0.04 β/α≤4 0≤x＜1.0 1.000＜nm≤1.035。

公开(公告)号：CN1317459A

公开(公告)日：2001-10-17

申请号：CN01116311.9

申请日：2001-04-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 内藤正浩 ,  元木智雄 ,  佐野晴信

IPC: C04B35/48 ,  C04B35/49 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/49 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/1245

Abstract: 一种非还原性介电陶瓷，它包括具有钙钛矿晶相并满足式(Cal－a－b－cSraBabMgc)m(Zrl－w－x－y－zTiwMnxNiyHfz)O3的主要组分和用式(Si,T)O2－MO－XO和(Si,T)O2－(Mn,M)O－Al2O3表示的复合氧化物。在CuKαX－射线衍射图中在2θ=25－35°时，非钙钛矿晶相的晶相最大峰的强度与归于钙钛矿晶相的最大峰的强度之比为5%或更小。

公开(公告)号：CN1236961A

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：CN99104909.8

申请日：1999-03-31

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐野晴信 ,  原田和宏 ,  山冈修 ,  小林真一 ,  江角俊也 ,  影山善隆

IPC: H01G4/12

CPC classification number: H01G4/1227

Abstract: 一种便宜的脉冲发生电容器,其特征即使在电容器在高温、高真空、低气压下使用时也不恶化,并能够在较宽的温度范围中产生高压脉冲。电容器A的介质体1由非线性介电陶瓷构成,它表现出抗减小性。非线性介电陶瓷含有多晶材料,它该材料含有钛酸钡作为主要成份,多晶材料表示为(1－a－b)ABO3+aM+bR,其中ABO3为钛酸钡成份,并表示钙钛矿结构,M是从由Mn、Ni和Co组成的组中选出的至少一种元素的氧化物,R是从由La、Ce、Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、和Yb组成的组中选出的至少一种元素的氧化物,并且a和b表示摩尔分数,A、B、a和b满足下面的关系:1.000≤A/B≤1.006(摩尔比),0.3≤b/a ≤3,0.0015≤a≤0.0050和0.0015≤b≤0.0050,而由Ad表示的M和R的总含量满足:0.3