公开(公告)号：CN104364981B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201380027395.8

申请日：2013-05-23

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 岩田圭司 ,  松原一平 ,  粉奈孝行 ,  渡边博 ,  柳濑雅司

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/183 ,  H01S5/42

CPC classification number: H01S5/183 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3432 ,  H01S5/423

Abstract: 本发明提供垂直共振腔面发射激光元件。在垂直共振腔面发射激光元件(10)的表面配置有阴极用电极(911)、阴极用焊盘电极(912A、912B)、阴极用布线电极(913A、913B)、阳极用电极(921)、阳极用焊盘电极(922)、以及阳极用布线电极(923)。在阳极用电极(921)的正下方形成有构成为以包覆层以及DBR层夹着活性层的结构的发光区域多层部。形成有该发光区域多层部的区域成为发光区域(700)。发光区域(700)相对于第一方向，以与平筒夹吸附的吸附区域(800)相比在第一方向的一端侧与吸附区域(800)大致接触或者隔开规定距离的方式配置。

公开(公告)号：CN104364981A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201380027395.8

申请日：2013-05-23

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 岩田圭司 ,  松原一平 ,  粉奈孝行 ,  渡边博 ,  柳濑雅司

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/183 ,  H01S5/42

CPC classification number: H01S5/183 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3432 ,  H01S5/423

Abstract: 本发明提供垂直共振腔面发射激光元件。在垂直共振腔面发射激光元件(10)的表面配置有阴极用电极(911)、阴极用焊盘电极(912A、912B)、阴极用布线电极(913A、913B)、阳极用电极(921)、阳极用焊盘电极(922)、以及阳极用布线电极(923)。在阳极用电极(921)的正下方形成有构成为以包覆层以及DBR层夹着活性层的结构的发光区域多层部。形成有该发光区域多层部的区域成为发光区域(700)。发光区域(700)相对于第一方向，以与平筒夹吸附的吸附区域(800)相比在第一方向的一端侧与吸附区域(800)大致接触或者隔开规定距离的方式配置。

公开(公告)号：CN104106185A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201380007558.6

申请日：2013-02-27

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 渡边博 ,  楯敦次 ,  粉奈孝行 ,  松原一平 ,  岩田圭司

IPC: H01S5/187

CPC classification number: H01S5/18377 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/187 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3432 ,  H01S2301/176

Abstract: 一种垂直共振腔面发射激光器(10)，其具备量子阱的活性层(50)、夹着该活性层(50)的第一包层(40)以及第二包层(60)、在第一包层(40)的与活性层(50)相反侧配置的第一多层膜反射层(30)、在第二包层(60)的与活性层(50)相反侧配置的第二多层膜反射层(80)、在第一多层膜反射层(30)的与第一包层(40)相反侧配置的第一电极(91)、以及在第二多层膜反射层(80)的与第二包层(60)相反侧配置的第二电极(92)。在第一包层(40)以及第二包层(60)的至少一方具备低活性能量层(42、62)，该低活性能量层(42、62)成为比用于形成活性层(50)的量子阱的锁光层的最小带隙小且比量子阱的带隙大的带隙。