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公开(公告)号：CN104106185B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201380007558.6
申请日：2013-02-27
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01S5/187
CPC classification number: H01S5/18377 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/187 , H01S5/3201 , H01S5/3213 , H01S5/3432 , H01S2301/176
Abstract: 一种垂直共振腔面发射激光器(10)，其具备量子阱的活性层(50)、夹着该活性层(50)的第一包层(40)以及第二包层(60)、在第一包层(40)的与活性层(50)相反侧配置的第一多层膜反射层(30)、在第二包层(60)的与活性层(50)相反侧配置的第二多层膜反射层(80)、在第一多层膜反射层(30)的与第一包层(40)相反侧配置的第一电极(91)、以及在第二多层膜反射层(80)的与第二包层(60)相反侧配置的第二电极(92)。在第一包层(40)以及第二包层(60)的至少一方具备低活性能量层(42、62)，该低活性能量层(42、62)成为比用于形成活性层(50)的量子阱的锁光层的最小带隙小且比量子阱的带隙大的带隙。
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公开(公告)号：CN102074893A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010551118.5
申请日：2010-11-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 楯敦次
Abstract: 本发明涉及一种面发光元件，用于增大光限制系数、使模增益有效增大。在光谐振器(3)的厚度方向的两端侧分别设置有下部反射层(4)及上部反射层(5)，并且在光谐振器(3)的厚度方向的中央部设置有主有源层(6)。而且，针对光谐振器(3)，在下部反射层(4)的附近设置有第1副有源层(7)，并在上部反射层(5)的附近设置有第2副有源层(8)。由此，能够不延长下部反射层(4)与上部反射层(5)之间的光学长度(Lo)地将第1副有源层(7)及第2副有源层(8)配置到光的振幅大的驻波的波腹的位置。
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公开(公告)号：CN104106185A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201380007558.6
申请日：2013-02-27
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01S5/187
CPC classification number: H01S5/18377 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/187 , H01S5/3201 , H01S5/3213 , H01S5/3432 , H01S2301/176
Abstract: 一种垂直共振腔面发射激光器(10)，其具备量子阱的活性层(50)、夹着该活性层(50)的第一包层(40)以及第二包层(60)、在第一包层(40)的与活性层(50)相反侧配置的第一多层膜反射层(30)、在第二包层(60)的与活性层(50)相反侧配置的第二多层膜反射层(80)、在第一多层膜反射层(30)的与第一包层(40)相反侧配置的第一电极(91)、以及在第二多层膜反射层(80)的与第二包层(60)相反侧配置的第二电极(92)。在第一包层(40)以及第二包层(60)的至少一方具备低活性能量层(42、62)，该低活性能量层(42、62)成为比用于形成活性层(50)的量子阱的锁光层的最小带隙小且比量子阱的带隙大的带隙。
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公开(公告)号：CN102074893B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010551118.5
申请日：2010-11-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 楯敦次
Abstract: 本发明涉及一种面发光元件，用于增大光限制系数、使模增益有效增大。在光谐振器(3)的厚度方向的两端侧分别设置有下部反射层(4)及上部反射层(5)，并且在光谐振器(3)的厚度方向的中央部设置有主有源层(6)。而且，针对光谐振器(3)，在下部反射层(4)的附近设置有第1副有源层(7)，并在上部反射层(5)的附近设置有第2副有源层(8)。由此，能够不延长下部反射层(4)与上部反射层(5)之间的光学长度(Lo)地将第1副有源层(7)及第2副有源层(8)配置到光的振幅大的驻波的波腹的位置。
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