一次写入多次读取的光学记录介质及其溅射靶

    公开(公告)号:CN101328573B

    公开(公告)日:2010-11-10

    申请号:CN200810134035.9

    申请日:2005-08-30

    Abstract: 一种一次写入多次读取光学记录介质,其能够在蓝色激光波长或更短的波长在,即500nm或更小波长下,特别在邻近405nm的波长下表现出优异的记录-再现性能和高密度记录。为此,本发明的一次写入多次读取光学记录介质包括使用由BiOx(0<x<1.5)表示的材料的记录层,其中记录标记包含Bi晶体和/或Bi氧化物晶体。另一种一次写入多次读取光学记录介质包括含有Bi、氧、和M(M表示选自Mg、Al、Cr、Mn、Co、Fe、Cu、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Mo、V、Nb、Y、和Ta的至少一种元素)的记录层,其中记录标记包括含在该记录层中的元素的晶体和该元素的氧化物的晶体。

    一次写入多次读取的光学记录介质及其溅射靶

    公开(公告)号:CN101328573A

    公开(公告)日:2008-12-24

    申请号:CN200810134035.9

    申请日:2005-08-30

    Abstract: 一种一次写入多次读取光学记录介质,其能够在蓝色激光波长或更短的波长在,即500nm或更小波长下,特别在邻近405nm的波长下表现出优异的记录-再现性能和高密度记录。为此,本发明的一次写入多次读取光学记录介质包括使用由BiOx(0<x<1.5)表示的材料的记录层,其中记录标记包含Bi晶体和/或Bi氧化物晶体。另一种一次写入多次读取光学记录介质包括含有Bi、氧、和M(M表示选自Mg、Al、Cr、Mn、Co、Fe、Cu、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Mo、V、Nb、Y、和Ta的至少一种元素)的记录层,其中记录标记包括含在该记录层中的元素的晶体和该元素的氧化物的晶体。

Patent Agency Ranking