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公开(公告)号：CN113557603A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202080019853.3
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备：半导体元件(40)，具有第1主电极(41C)以及在与第1主电极之间流过主电流的第2主电极(41E)；封固树脂体(30)，将半导体元件封固；以及作为多个主端子(71)的第1主端子(71C)及第2主端子(71E)，在封固树脂体的内部与对应的主电极电连接，向封固树脂体之外延伸设置。主端子从封固树脂体的一面(302)突出，第1主端子及第2主端子在与半导体元件的厚度方向正交的一个方向上以使侧面(710C、710E)相互对置的方式交替配置。对于主端子的突出部分的一个方向上的宽度而言，相比于与封固树脂体之间的边界部(713C、713E)，连接其他部件的外部连接部(712C、712E)更大。
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公开(公告)号：CN112543994A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201980048810.5
申请日：2019-05-28
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置包括：至少一个半导体元件(30)，该半导体元件具有第一主电极(32)和在与第一主电极之间流过主电流的第二主电极(33)；以及主端子(60)，该主端子具有连接到第一主电极的第一主端子(60C)和连接到第二主电极的第二主端子(60E)，并且第一主端子和第二主端子的至少一方为多个，第一主端子和第二主端子在与半导体元件的厚度方向正交的一方向上以使侧面彼此相对的方式相邻配置。由在一方向上连续配置的三个以上的主端子构成主端子组(61)。构成主端子组的主端子各自的至少一部分在一方向上配置于从半导体元件的两端面(36、37)延长的延长线之间的区域(A1)内。
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公开(公告)号：CN112543994B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201980048810.5
申请日：2019-05-28
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置包括：至少一个半导体元件(30)，该半导体元件具有第一主电极(32)和在与第一主电极之间流过主电流的第二主电极(33)；以及主端子(60)，该主端子具有连接到第一主电极的第一主端子(60C)和连接到第二主电极的第二主端子(60E)，并且第一主端子和第二主端子的至少一方为多个，第一主端子和第二主端子在与半导体元件的厚度方向正交的一方向上以使侧面彼此相对的方式相邻配置。由在一方向上连续配置的三个以上的主端子构成主端子组(61)。构成主端子组的主端子各自的至少一部分在一方向上配置于从半导体元件的两端面(36、37)延长的延长线之间的区域(A1)内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113678245A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080027804.4
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体模组具备：半导体元件(30)，在一面侧具有第1主电极(31E)，在背面侧具有第2主电极(31C)；配置在一面侧并与第1主电极连接的第1导电部件(40E)以及配置在背面侧并与第2主电极连接的第2导电部件(40C)；从导电部件延伸设置的主端子(60)、即与第1导电部件相连的第1主端子(60E)以及与第2导电部件相连的第2主端子(60C)。主端子具有：对置部(61)，以将流过主电流时产生的磁通相互抵消的方式配置，第1主端子和第2主端子离开而对置；非对置部(62E)，与第1导电部件侧相反地与第1主端子的对置部相连；形成于第1主端子的非对置部的第1连接部(63E)、以及以宽度方向上的形成位置与第1连接部重合的方式形成于第2主端子的对置部的第2连接部(63C)。
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公开(公告)号：CN110998838A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880048851.X
申请日：2018-06-28
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 在半导体模块(10)中，多个开关元件(12、13、34)并联连接。在第1主电极(14b)各自与第1主端子(21)之间形成第1电流路径(25、26)，在第2主电极各自与第2主端子(22)之间形成第2电流路径(27、28)。将任意的开关元件中的第2电流路径即任意电流路径的自感设为Lsn，将除了任意电流路径以外的其他电流路径与任意电流路径的互感设为Mn，将Lsn与Mn之和设为Ln，多个开关元件及电流路径被配置为，使得各开关元件的Ln彼此相等。
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公开(公告)号：CN109906510A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201780067713.1
申请日：2017-09-14
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 长濑拓生
Abstract: 一种半导体装置，具备：形成IGBT的第一半导体芯片(32)；形成与IGBT并联连接的MOSFET的第二半导体芯片(33)；与集电极电极以及漏极电极电连接的第一金属部件(34)；与发射极电极以及源极电极电连接的第二金属部件(38)。并联连接的IGBT以及MOSFET以IGBT、MOSFET的顺序被导通，并且以MOSFET、IGBT的顺序被断开。第二金属部件具有搭载第一、第二半导体芯片的主体部(380)、连结于主体部的作为端子部的接头部(381、382)。在从Z方向的平面视图中，接头部与第一半导体芯片的最短距离比接头部与第二半导体芯片的最短距离短。
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公开(公告)号：CN106134051B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201580015855.4
申请日：2015-03-12
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 长濑拓生
Abstract: 一种驱动装置，具备控制功率开关元件的栅极电流并进行断开动作的断侧电路(120)。所述断侧电路具有：主MOS晶体管(Tr1)；感测MOS晶体管(Tr2)，规定所述主MOS晶体管的漏极电流；以及感测电流控制电路，将所述感测MOS晶体管的漏极电流控制为固定。所述感测电流控制电路具有：参照电源(123)；基准电阻(122)；运算放大器(121)，以所述基准电阻与所述感测MOS晶体管之间的电位接近于所述参照电位的方式，使输出施加于所述感测MOS晶体管的栅极。所述感测电流控制电路流动根据所述基准电阻的电阻值和所述参照电位决定的电流，作为所述感测MOS晶体管的漏极电流。
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公开(公告)号：CN106134050A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580015852.0
申请日：2015-03-12
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 长濑拓生
IPC: H02M1/08
CPC classification number: H03K17/0828 , H02M1/08 , H02M1/32 , H02M2001/0009 , H02M2001/0029 , H03K17/163 , H03K17/168 , H03K17/567 , H03K17/687 , H03K17/6877
Abstract: 一种驱动装置，具备：通侧电路(110)，使功率开关元件(200)导通；断侧电路(120)，使元件断开；以及保护电路(130)，对所述功率开关元件的栅极电流进行控制。该保护电路具有：恒流电路(131)，规定用于导出所述功率开关元件的栅极电荷的固定电流；保护开关(132)，对所述恒流电路与所述功率开关元件的栅极的电连接进行控制；以及集电极电流检测部(133)。该集电极电流检测部从所述功率开关元件的集电极电流的电流值超过第一阈值起经过规定时间后，断开所述通侧电路来将所述功率开关元件从所述主电源隔离，并且使所述保护开关导通。
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