半导体模组
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113678245A

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202080027804.4

    申请日:2020-02-13

    Abstract: 半导体模组具备:半导体元件(30),在一面侧具有第1主电极(31E),在背面侧具有第2主电极(31C);配置在一面侧并与第1主电极连接的第1导电部件(40E)以及配置在背面侧并与第2主电极连接的第2导电部件(40C);从导电部件延伸设置的主端子(60)、即与第1导电部件相连的第1主端子(60E)以及与第2导电部件相连的第2主端子(60C)。主端子具有:对置部(61),以将流过主电流时产生的磁通相互抵消的方式配置,第1主端子和第2主端子离开而对置;非对置部(62E),与第1导电部件侧相反地与第1主端子的对置部相连;形成于第1主端子的非对置部的第1连接部(63E)、以及以宽度方向上的形成位置与第1连接部重合的方式形成于第2主端子的对置部的第2连接部(63C)。

    半导体装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113557603B

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202080019853.3

    申请日:2020-02-13

    Abstract: 半导体装置具备:半导体元件(40),具有第1主电极(41C)以及在与第1主电极之间流过主电流的第2主电极(41E);封固树脂体(30),将半导体元件封固;以及作为多个主端子(71)的第1主端子(71C)及第2主端子(71E),在封固树脂体的内部与对应的主电极电连接,向封固树脂体之外延伸设置。主端子从封固树脂体的一面(302)突出,第1主端子及第2主端子在与半导体元件的厚度方向正交的一个方向上以使侧面(710C、710E)相互对置的方式交替配置。对于主端子的突出部分的一个方向上的宽度而言,相比于与封固树脂体之间的边界部(713C、713E),连接其他部件的外部连接部(712C、712E)更大。

    半导体装置
    4.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN117458905A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202310862744.3

    申请日:2023-07-14

    Inventor: 三轮亮太

    Abstract: 本发明提供半导体装置。在半导体元件(40)中,在半导体基板(41)形成有具有栅极电极的元件。发射极电极(42)配置在半导体基板(41)的一面上。集电极电极配置在半导体基板(41)的背面上。栅极焊盘(441)在一面上配置在与发射极电极(42)不同的位置。栅极电阻(46)能够调整电阻值,配置在一面上并连接在栅极电极与栅极焊盘(441)之间。

    半导体模组
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113678245B

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202080027804.4

    申请日:2020-02-13

    Abstract: 半导体模组具备:半导体元件(30),在一面侧具有第1主电极(31E),在背面侧具有第2主电极(31C);配置在一面侧并与第1主电极连接的第1导电部件(40E)以及配置在背面侧并与第2主电极连接的第2导电部件(40C);从导电部件延伸设置的主端子(60)、即与第1导电部件相连的第1主端子(60E)以及与第2导电部件相连的第2主端子(60C)。主端子具有:对置部(61),以将流过主电流时产生的磁通相互抵消的方式配置,第1主端子和第2主端子离开而对置;非对置部(62E),与第1导电部件侧相反地与第1主端子的对置部相连;形成于第1主端子的非对置部的第1连接部(63E)、以及以宽度方向上的形成位置与第1连接部重合的方式形成于第2主端子的对置部的第2

    半导体装置
    6.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116157921A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202180060515.9

    申请日:2021-06-14

    Abstract: 构成电力变换部的上下臂电路的半导体元件具有作为控制电极的栅极电极和作为主电极的漏极电极及源极电极。栅极电极与漏极电极之间的寄生电容Cgd具有对应于漏极电极与源极电极之间的电压Vds而变化的特性。电压Vds为击穿电压BV的80%时的寄生电容Cgd的值即电容值C1大于电压Vds为击穿电压BV的20%~40%的范围中的寄生电容Cgd的任意的值即电容值C2。

    半导体装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113557603A

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN202080019853.3

    申请日:2020-02-13

    Abstract: 半导体装置具备:半导体元件(40),具有第1主电极(41C)以及在与第1主电极之间流过主电流的第2主电极(41E);封固树脂体(30),将半导体元件封固;以及作为多个主端子(71)的第1主端子(71C)及第2主端子(71E),在封固树脂体的内部与对应的主电极电连接,向封固树脂体之外延伸设置。主端子从封固树脂体的一面(302)突出,第1主端子及第2主端子在与半导体元件的厚度方向正交的一个方向上以使侧面(710C、710E)相互对置的方式交替配置。对于主端子的突出部分的一个方向上的宽度而言,相比于与封固树脂体之间的边界部(713C、713E),连接其他部件的外部连接部(712C、712E)更大。

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