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公开(公告)号：CN113508461A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202080018042.1
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备：半导体元件(40)，具有一面侧的第1主电极(41C)和背面侧的第2主电极(41E)；基板(50)，包括与上述第1、第2主电极分别连接的第1、第2基板(50C、50E)；主端子(71)，包括经由上述第1、第2基板而与上述第1、第2主电极分别连接的第1、第2主端子(71C、71E)；以及接合部件(80)。上述接合部件分别存在于上述第1、第2主电极与上述第1、第2基板之间。上述第1、第2主端子的至少一方具有多个。上述第1、第2主端子在与上述半导体元件的厚度方向正交的一个方向上交替地配置。上述第1、第2主端子相对于上述第1、第2基板，不经由上述接合部件而分别直接接合。
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公开(公告)号：CN107615664A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680028970.X
申请日：2016-05-12
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 长濑拓生
IPC: H03K17/567 , H02M1/08 , H03K17/08
Abstract: 功率晶体管驱动装置，具备：场效应型晶体管(30)；绝缘栅型双极晶体管(20)，相对于上述场效应型晶体管并联连接；第1驱动电路(11)，为了将上述绝缘栅型双极晶体管导通，产生向上述绝缘栅型双极晶体管的栅极施加的第一栅极电压；第2驱动电路(13)，调整向上述场效应型晶体管的栅极施加的第二栅极电压，将上述场效应型晶体管导通或截止；检测电路(12、15)，检测当上述第1驱动电路产生了上述第一栅极电压时上述绝缘栅型双极晶体管是否已导通。上述第2驱动电路以上述检测电路检测到上述绝缘栅型双极晶体管已导通为条件，产生用来将上述场效应型晶体管导通的上述第二栅极电压。
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公开(公告)号：CN113508461B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202080018042.1
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备：半导体元件(40)，具有一面侧的第1主电极(41C)和背面侧的第2主电极(41E)；基板(50)，包括与上述第1、第2主电极分别连接的第1、第2基板(50C、50E)；主端子(71)，包括经由上述第1、第2基板而与上述第1、第2主电极分别连接的第1、第2主端子(71C、71E)；以及接合部件(80)。上述接合部件分别存在于上述第1、第2主电极与上述第1、第2基板之间。上述第1、第2主端子的至少一方具有多个。上述第1、第2主端子在与上述半导体元件的厚度方向正交的一个方向上交替地配置。上述第1、第2主端子相对于上述第1、第2基板，不经由上述接合部件而分别直接接合。
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公开(公告)号：CN110998838B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201880048851.X
申请日：2018-06-28
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 在半导体模块(10)中，多个开关元件(12、13、34)并联连接。在第1主电极(14b)各自与第1主端子(21)之间形成第1电流路径(25、26)，在第2主电极各自与第2主端子(22)之间形成第2电流路径(27、28)。将任意的开关元件中的第2电流路径即任意电流路径的自感设为Lsn，将除了任意电流路径以外的其他电流路径与任意电流路径的互感设为Mn，将Lsn与Mn之和设为Ln，多个开关元件及电流路径被配置为，使得各开关元件的Ln彼此相等。
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公开(公告)号：CN107615664B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201680028970.X
申请日：2016-05-12
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 长濑拓生
IPC: H03K17/567 , H02M1/08 , H03K17/08
Abstract: 功率晶体管驱动装置，具备：场效应型晶体管(30)；绝缘栅型双极晶体管(20)，相对于上述场效应型晶体管并联连接；第1驱动电路(11)，为了将上述绝缘栅型双极晶体管导通，产生向上述绝缘栅型双极晶体管的栅极施加的第一栅极电压；第2驱动电路(13)，调整向上述场效应型晶体管的栅极施加的第二栅极电压，将上述场效应型晶体管导通或截止；检测电路(12、15)，检测当上述第1驱动电路产生了上述第一栅极电压时上述绝缘栅型双极晶体管是否已导通。上述第2驱动电路以上述检测电路检测到上述绝缘栅型双极晶体管已导通为条件，产生用来将上述场效应型晶体管导通的上述第二栅极电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106134050B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201580015852.0
申请日：2015-03-12
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 长濑拓生
IPC: H02M1/08
CPC classification number: H03K17/0828 , H02M1/08 , H02M1/32 , H02M2001/0009 , H02M2001/0029 , H03K17/163 , H03K17/168 , H03K17/567 , H03K17/687 , H03K17/6877
Abstract: 一种驱动装置，具备：通侧电路(110)，使功率开关元件(200)导通；断侧电路(120)，使元件断开；以及保护电路(130)，对所述功率开关元件的栅极电流进行控制。该保护电路具有：恒流电路(131)，规定用于导出所述功率开关元件的栅极电荷的固定电流；保护开关(132)，对所述恒流电路与所述功率开关元件的栅极的电连接进行控制；以及集电极电流检测部(133)。该集电极电流检测部从所述功率开关元件的集电极电流的电流值超过第一阈值起经过规定时间后，断开所述通侧电路来将所述功率开关元件从所述主电源隔离，并且使所述保护开关导通。
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公开(公告)号：CN106134051A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580015855.4
申请日：2015-03-12
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 长濑拓生
CPC classification number: H03K17/0828 , H02M1/08 , H02M1/088 , H02M1/32 , H02M2001/0009 , H02M2001/0054 , H03K17/168 , H03K17/30 , H03K17/567 , H03K17/687 , H03K17/6877 , H03K2217/0036 , Y02B70/1491
Abstract: 一种驱动装置，具备控制功率开关元件的栅极电流并进行断开动作的断侧电路(120)。所述断侧电路具有：主MOS晶体管(Tr1)；感测MOS晶体管(Tr2)，规定所述主MOS晶体管的漏极电流；以及感测电流控制电路，将所述感测MOS晶体管的漏极电流控制为固定。所述感测电流控制电路具有：参照电源(123)；基准电阻(122)；运算放大器(121)，以所述基准电阻与所述感测MOS晶体管之间的电位接近于所述参照电位的方式，使输出施加于所述感测MOS晶体管的栅极。所述感测电流控制电路流动根据所述基准电阻的电阻值和所述参照电位决定的电流，作为所述感测MOS晶体管的漏极电流。
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公开(公告)号：CN113557603B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202080019853.3
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备：半导体元件(40)，具有第1主电极(41C)以及在与第1主电极之间流过主电流的第2主电极(41E)；封固树脂体(30)，将半导体元件封固；以及作为多个主端子(71)的第1主端子(71C)及第2主端子(71E)，在封固树脂体的内部与对应的主电极电连接，向封固树脂体之外延伸设置。主端子从封固树脂体的一面(302)突出，第1主端子及第2主端子在与半导体元件的厚度方向正交的一个方向上以使侧面(710C、710E)相互对置的方式交替配置。对于主端子的突出部分的一个方向上的宽度而言，相比于与封固树脂体之间的边界部(713C、713E)，连接其他部件的外部连接部(712C、712E)更大。
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公开(公告)号：CN113678245B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202080027804.4
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体模组具备：半导体元件(30)，在一面侧具有第1主电极(31E)，在背面侧具有第2主电极(31C)；配置在一面侧并与第1主电极连接的第1导电部件(40E)以及配置在背面侧并与第2主电极连接的第2导电部件(40C)；从导电部件延伸设置的主端子(60)、即与第1导电部件相连的第1主端子(60E)以及与第2导电部件相连的第2主端子(60C)。主端子具有：对置部(61)，以将流过主电流时产生的磁通相互抵消的方式配置，第1主端子和第2主端子离开而对置；非对置部(62E)，与第1导电部件侧相反地与第1主端子的对置部相连；形成于第1主端子的非对置部的第1连接部(63E)、以及以宽度方向上的形成位置与第1连接部重合的方式形成于第2主端子的对置部的第2
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