公开(公告)号：CN103238217B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201180057732.9

申请日：2011-12-01

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  三木绫 ,  安野聪 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明的配线结构在基板上至少具有栅极绝缘膜和氧化物半导体层，所述氧化物半导体层为第1氧化物半导体层以及第2氧化物半导体层的层叠体，该第1氧化物半导体层包括选自In、Ga、Zn和Sn中的至少一种元素(Z组元素)，该第2氧化物半导体层含有选自In、Ga、Zn和Sn中的至少一种元素(X组元素)和选自Al、Si、Ti、Hf、Ta、Ge、W和Ni中的至少一种元素(Y组元素)，并且所述第2氧化物半导体层形成在所述第1氧化物半导体层与所述栅极绝缘膜之间。根据本发明，得到了开关特性和耐应力性良好、尤其是施加应力前后的阈值电压变化量小、稳定性优异的配线结构。

公开(公告)号：CN103415926B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201280012067.6

申请日：2012-03-08

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 田尾博昭 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  安野聪 ,  钉宫敏洋 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  金建熙

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L21/02554 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的薄膜晶体管用氧化物，是至少含有In、Zn和Sn的In-Zn-Sn系氧化物，其中，设In-Zn-Sn系氧化物所含的金属元素的含量(原子％)分别设为[Zn]、[Sn]和[In]时，[In]/([In]+[Sn])≤0.5时满足下式(2)、(4)；[In]/([In]+[Sn])＞0.5时满足下式(1)、(3)、(4)。[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.3…(1)[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤1.4×{[Zn]/([Zn]+[Sn])}-0.5…(2)[Zn]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.83…(3)0.1≤[In]/([In]+[Zn]+[Sn])…(4)根据本发明，能够得到TFT的开关特性优异，溅射时的溅射速率高，并且，湿式蚀刻时的蚀刻速率得到恰当控制的薄膜晶体管用氧化物薄膜。

公开(公告)号：CN103229303B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180057012.2

申请日：2011-11-28

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  钉宫敏洋 ,  安野聪 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  G01G19/00 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/548 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明涉及的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有Zn、Sn及In；和从由Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W及Nb构成的X组中选出的至少一种元素(X组元素)。本根据发明，可提供一种能够实现高迁移率，并且抗应力性(应力施加前后的阈值电压漂移量少)也优异的薄膜晶体管用氧化物。

公开(公告)号：CN103238217A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201180057732.9

申请日：2011-12-01

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  三木绫 ,  安野聪 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明的配线结构在基板上至少具有栅极绝缘膜和氧化物半导体层，所述氧化物半导体层为第1氧化物半导体层以及第2氧化物半导体层的层叠体，该第1氧化物半导体层包括选自In、Ga、Zn和Sn中的至少一种元素(Z组元素)，该第2氧化物半导体层含有选自In、Ga、Zn和Sn中的至少一种元素(X组元素)和选自Al、Si、Ti、Hf、Ta、Ge、W和Ni中的至少一种元素(Y组元素)，并且所述第2氧化物半导体层形成在所述第1氧化物半导体层与所述栅极绝缘膜之间。根据本发明，得到了开关特性和耐应力性良好、尤其是施加应力前后的阈值电压变化量小、稳定性优异的配线结构。

公开(公告)号：CN102859701A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180019734.9

申请日：2011-04-18

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 三木绫 ,  岩成裕美 ,  钉宫敏洋 ,  森田晋也 ,  寺尾泰昭 ,  安野聪 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管的开关特性优异，特别是在ZnO浓度高的区域，另外在形成保护膜后和外加应力后，仍可以稳定得到良好的特性的薄膜晶体管半导体层用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，其中，所述氧化物含有Zn和Sn，还含有从由Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Ga和稀土类元素构成的X群中选择的至少一种元素。