公开(公告)号：CN111226307A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201880067635.X

申请日：2018-10-29

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 寺前裕美 ,  后藤裕史 ,  越智元隆 ,  日野绫

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供氧化物半导体薄膜，使用该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管，其制造成本比较低，形成薄膜晶体管时的载流子迁移率和光应力耐性高。本发明的氧化物半导体薄膜，含有In、Zn和Fe，相对于In、Zn和Fe的合计原子数，In的原子数为20atm％以上并在89atm％以下，Zn的原子数为10atm％以上并在79atm％以下，Fe的原子数为0.2atm％以上并在2atm％以下。本发明包括具有该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN110120459A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910085196.1

申请日：2019-01-29

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 田内裕基 ,  寺前裕美

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32 ,  C22C21/00 ,  C22C21/12 ,  C23C14/34

Abstract: 提供一种有机EL显示器用的反射阳极电极及其应用。为包含包括Al-Ge系合金膜、以及与Al-Ge系合金膜接触的氧化物导电膜的层叠结构、且在这些的接触界面中介隔存在以氧化铝为主成分的层的有机EL显示器用的反射阳极电极，并且Al-Ge系合金膜含有0.1原子％～2.5原子％的Ge，且在Al-Ge系合金膜与氧化物导电膜的接触界面中形成有Ge浓化层及含有Ge的析出物，Al-Ge系合金膜中的、自氧化物导电膜侧的表面起50nm以内的平均Ge浓度为Al-Ge系合金膜中的平均Ge浓度的2倍以上，且含有Ge的析出物的平均直径为0.1μm以上。