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公开(公告)号：CN1624176A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410100020.2
申请日：2004-11-30
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/185 , C23C14/3414 , Y10T428/12896
Abstract: 本发明提供一种兼有低电阻率、高耐热性的FPD用Ag基合金配线电极膜、以及用于形成该Ag基合金配线电极膜的FPD用Ag基合金溅射靶、以及具备该Ag基合金配线电极膜的FPD。本发明的FPD用Ag基合金配线电极膜，在有源型FPD的情况下，构成连接到用于使其驱动的TFT2上的配线电极膜(3)、(4)、(5)、(6)、(7)。所述配线电极膜，由含有0.1～4.0at％的Nd、和/或0.01～1.5at％的Bi、剩余部分实质上由Ag构成的Ag基合金形成。除了Nd之外，所述Ag基合金还可以含有合计0.01～1.5at％的选自由Cu、Au、Pd构成的物质组中的一种或者两种以上元素。
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公开(公告)号：CN112018260B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202010453857.4
申请日：2020-05-26
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 田内裕基
IPC: H10K50/818 , H01L27/12 , C23C14/20 , C23C14/34 , H10K50/856 , H10K59/12 , H10K71/16
Abstract: 本发明涉及一种即便使作为反射膜的Al合金膜与氧化物导电膜直接接触，也可确保低接触电阻与高反射率，且耐热性也优异的反射阳极电极，其用于有机EL显示器，且所述反射阳极电极具有层叠结构，所述层叠结构包含Al合金膜及氧化物导电膜，在所述Al合金膜及所述氧化物导电膜的接触界面介隔存在以氧化铝为主成分的层，所述Al合金膜包含Si及稀土类元素，当将所述Si的含量设为a(原子％)，将所述稀土类元素的合计含量设为b(原子％)时，满足0.62＜{a/(a+b)}、0.2＜a＜3及0.1＜b的关系，且所述以氧化铝为主成分的层包含Si。另外，还涉及一种薄膜晶体管基板、有机EL显示器、以及溅镀靶材。
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公开(公告)号：CN113823332A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111140681.8
申请日：2019-05-22
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 田内裕基
IPC: G11B7/2433
Abstract: 本发明提供一种记录层、光信息记录介质及溅射靶。本发明的一实施方式的记录层是通过激光的照射进行记录的光信息记录介质用的记录层，包含W氧化物、Fe氧化物、以及Ta氧化物及Nb氧化物中的至少任一种，且在全部金属原子中，包含10原子％以上且60原子％以下的Fe、合计为3原子％以上且50原子％以下的Ta及Nb。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111788631A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201980013291.9
申请日：2019-05-08
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 田内裕基
IPC: G11B7/2433 , C23C14/08 , C23C14/34 , G11B7/24035 , G11B7/2578 , G11B7/26
Abstract: 本发明一实施方式的光信息记录媒体用记录层为可通过激光的照射来记录信息信号的光信息记录媒体用记录层，其具有包括Mn氧化物、W氧化物及Sn氧化物的金属氧化物。此外，相对于构成所述金属氧化物的金属元素的合计原子数，Mn的原子数比例为3atm％以上且40atm％以下。
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公开(公告)号：CN106337171A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610490806.2
申请日：2016-06-28
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C18/32 , C23C18/1637 , C23C18/165 , C23C28/021 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 提供了一种在Ni镀覆工艺中使用的沉积有底层的基板，其允许Ni镀覆层在应用NiP镀覆工艺期间充分生长，使其可以有效地形成均匀的Ni镀覆层，并且此外展现出对Ni镀覆层的良好粘附性。所述在Ni镀覆工艺中使用的沉积有底层的基板包括在用于磁性记录介质的铝基板表面上沉积的底层，并且所述底层是Al合金膜，所述Al合金膜含有Zn或Ni作为合金元素。
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公开(公告)号：CN105814681A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201480065043.6
申请日：2014-11-26
Applicant: 株式会社神户制钢所 , 神钢力得米克株式会社
Abstract: 本发明提供一种底板，该底板在一方的安装面上借助接合材料接合被接合构件，在供被接合构件接合的安装面的接合位置，具备用于借助接合材料接合被接合构件的凹处。凹处构成为，凹处开口面积比所述被接合构件大，在被接合构件的外周缘所面对的凹处外周部，凹陷的深度比凹处中央部深。
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公开(公告)号：CN104040018A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280064789.6
申请日：2012-12-19
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/14 , C22C5/06 , C23C14/34 , G02F1/1335 , G02F1/1343 , H01L51/50 , H05B33/26
Abstract: 本发明涉及用于反射电极的Ag合金膜，该Ag合金膜可显示与Ag膜基本同等水平的低电阻率和高反射率，并且耐氧化性优异。所述反射电极用Ag合金膜是用于反射电极的Ag合金膜，其特征在于，该Ag合金膜含有0.1～2.0原子％的选自In及Zn中的至少1种。
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公开(公告)号：CN102640219A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201080040683.3
申请日：2010-09-16
CPC classification number: G11B7/2437 , C23C14/08 , C23C14/3414 , G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/2432 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供记录特性优异的光信息记录介质用记录层、具备该记录层的光信息记录介质及对上述记录层的形成有用的溅射靶。该光信息记录介质用记录层是通过激光的照射进行记录的记录层，其特征在于，含有氧化物相对于1mol氧的标准生成自由能的绝对值比Pd大的金属(以下，称为X金属)的氧化物和氧化Pd，该氧化Pd含有一氧化Pd和二氧化Pd，且Pd原子相对于记录层中所含的X金属原子和Pd原子的合计的比率为4～85原子％。
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