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公开(公告)号：CN102084213B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200980119994.6
申请日：2009-06-03
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G01B11/25 , G06T7/0004 , G06T7/521 , G06T2207/10028
Abstract: 本发明提供一种轮胎形状检查方法，可以从轮胎侧壁面的表面高度测定值的分布信息中，准确无误地除去凹凸标记的形成范围的测定值，在短时间内进行正确的形状缺陷检查。在本方法中，处理器根据取自轮胎样品的样品表面形状信息，自动检测凹凸标记的位置，自动设定包围该标记存在范围的标记范围的坐标信息(S2～S15)。此外，处理器将基于样品表面形状信息的表面形状图像和基于标记范围坐标信息的标记范围图像重叠显示在显示机构上，根据输入操作，变更标记范围的坐标信息(S16)。此外，处理器还对取自检查对象轮胎的表面高度分布信息和变更后的标记范围的坐标信息之间的坐标系的偏差进行修正，将标记范围内的测定值从形状缺陷检查处理对象中排除。
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公开(公告)号：CN103311147A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310068740.4
申请日：2013-03-05
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明所涉及的半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法是利用μ-PCD法来评价半导体膜的结晶性的装置及方法。在进行该半导体膜的结晶性评价时，具有指定厚度的介电体板被设置在所述半导体膜中激发光及电磁波所照射的面侧。因此，这样的半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法在利用μ-PCD法来评价半导体膜的结晶性时，即使在半导体膜下形成有导电性膜的情况下，也因为设置了所述介电体板而能够评价半导体膜的结晶性。
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公开(公告)号：CN103098194A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043985.0
申请日：2011-09-01
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01T1/16 , G01N21/63 , G01N21/8422 , G01N22/00 , H01L22/12
Abstract: 本发明涉及薄膜半导体的结晶性评价装置(1)及结晶性评价方法，其中，通过对薄膜半导体(2a)的样品(2)的测定部位照射激发光及电磁波，并检测来自样品(2)的反射电磁波的强度来对样品(2)的结晶性进行评价。而且，样品(2)的薄膜半导体(2a)形成在导电性膜(2b)上，并且还在样品(2)和放射电磁波的波导管(13)之间设置有对于激发光具有透光性的介电体(3)。因此，具有该构成的薄膜半导体的结晶性评价装置(1)及方法，即使在如上述那样在半导体薄膜(2a)下形成有导电性膜(2b)的情况下，也能够进行该半导体薄膜的结晶性评价。
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公开(公告)号：CN102084213A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980119994.6
申请日：2009-06-03
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G01B11/25 , G06T7/0004 , G06T7/521 , G06T2207/10028
Abstract: 本发明提供一种轮胎形状检查方法，可以从轮胎侧壁面的表面高度测定值的分布信息中，准确无误地除去凹凸标记的形成范围的测定值，在短时间内进行正确的形状缺陷检查。在本方法中，处理器根据取自轮胎样品的样品表面形状信息，自动检测凹凸标记的位置，自动设定包围该标记存在范围的标记范围的坐标信息(S2～S15)。此外，处理器将基于样品表面形状信息的表面形状图像和基于标记范围坐标信息的标记范围图像重叠显示在显示机构上，根据输入操作，变更标记范围的坐标信息(S16)。此外，处理器还对取自检查对象轮胎的表面高度分布信息和变更后的标记范围的坐标信息之间的坐标系的偏差进行修正，将标记范围内的测定值从形状缺陷检查处理对象中排除。
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