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公开(公告)号：CN112630233B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202011002389.5
申请日：2020-09-22
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供能够在短时间内高效地检查铝基板的表面，从而检测微小的缺陷，并且能够辨别该缺陷是表面缺陷还是附着于表面的尘埃的基板表面缺陷检查方法。该基板表面缺陷检查方法包括：第一检查工序，在该第一检查工序中，使用拍摄铝基板(20)的整个面而得到的图像，对包含30μm以上的大小的缺陷的缺陷区域(21)进行提取；以及第二检查工序，在该第二检查工序中，基于由第一检查工序提取出的缺陷区域(21)的图像，辨别缺陷是表面缺陷还是附着于表面的尘埃。
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公开(公告)号：CN110678742A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201880035154.0
申请日：2018-04-06
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G01N23/20016 , G01L1/00 , G01L1/25
Abstract: 本发明的应力测定方法是对由金属构成的、包括表面以及凹部的被检查体的凹部的应力进行测定的方法，所述应力测定方法包括：检测工序，使X射线向凹部入射，并且利用二维检测器对通过所述X射线在凹部衍射而形成的衍射X射线的衍射环进行检测；以及计算工序，基于检测工序的检测结果来计算凹部的应力，在检测工序中，对被检查体的凹部内的多个部位分别入射X射线，并且利用二维检测器对通过各X射线在凹部衍射而形成的衍射环进行检测。
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公开(公告)号：CN103311147B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310068740.4
申请日：2013-03-05
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明所涉及的半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法是利用μ-PCD法来评价半导体膜的结晶性的装置及方法。在进行该半导体膜的结晶性评价时，具有指定厚度的介电体板被设置在所述半导体膜中激发光及电磁波所照射的面侧。因此，这样的半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法在利用μ-PCD法来评价半导体膜的结晶性时，即使在半导体膜下形成有导电性膜的情况下，也因为设置了所述介电体板而能够评价半导体膜的结晶性。
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公开(公告)号：CN102656776B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201080056784.X
申请日：2010-12-06
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: H02K21/24 , H02K1/02 , H02K1/06 , H02K1/12 , H02K1/246 , H02K1/2793 , H02K3/04 , H02K21/46
Abstract: 本发明的无刷电动机(1A)是将具备线圈(41)的定子(3A、4A)和具备永磁体(23)的转子(2)沿着轴向隔开间隔配置而成的轴向间隙型的无刷电动机(1A)，线圈(41)是带状的线材，以所述带状的线材的宽度方向与通过转子(2)的永磁体(23)而形成的磁通的方向大体一致的方式卷绕成螺旋状而成。因此，这种结构的轴向间隙型无刷电动机(1A)与以往相比能进一步减少涡流损失。
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公开(公告)号：CN103311147A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310068740.4
申请日：2013-03-05
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明所涉及的半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法是利用μ-PCD法来评价半导体膜的结晶性的装置及方法。在进行该半导体膜的结晶性评价时，具有指定厚度的介电体板被设置在所述半导体膜中激发光及电磁波所照射的面侧。因此，这样的半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法在利用μ-PCD法来评价半导体膜的结晶性时，即使在半导体膜下形成有导电性膜的情况下，也因为设置了所述介电体板而能够评价半导体膜的结晶性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103098194A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043985.0
申请日：2011-09-01
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01T1/16 , G01N21/63 , G01N21/8422 , G01N22/00 , H01L22/12
Abstract: 本发明涉及薄膜半导体的结晶性评价装置(1)及结晶性评价方法，其中，通过对薄膜半导体(2a)的样品(2)的测定部位照射激发光及电磁波，并检测来自样品(2)的反射电磁波的强度来对样品(2)的结晶性进行评价。而且，样品(2)的薄膜半导体(2a)形成在导电性膜(2b)上，并且还在样品(2)和放射电磁波的波导管(13)之间设置有对于激发光具有透光性的介电体(3)。因此，具有该构成的薄膜半导体的结晶性评价装置(1)及方法，即使在如上述那样在半导体薄膜(2a)下形成有导电性膜(2b)的情况下，也能够进行该半导体薄膜的结晶性评价。
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公开(公告)号：CN112823270B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN201980066366.X
申请日：2019-10-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明的氧化膜厚测量装置针对将膜厚测量范围划分的多个子膜厚测量范围分别存储有膜厚与发射率的对应关系的膜厚转换信息，在该子膜厚测量范围内，相对于膜厚变化的发射率变化之比处于设定范围内，以不同的多个测量波长测量钢板表面的发光亮度并测量其温度，求出所述多个测量波长的各个波长下的各发射率，针对按各测量波长求出的各发射率，通过使用与该测量波长相对应的膜厚转换信息，求出与该测量波长下的发射率相对应的膜厚和该膜厚下的比，并且在该求出的比处于与该膜厚转换信息相对应的指定的设定范围内的情况下，将该求出的膜厚作为实际的膜厚的候选值而提取。
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公开(公告)号：CN111542750A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201880085049.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G01N23/2055 , G01L1/25
Abstract: 本发明是使用X射线的铸锻钢件的残余应力测量方法，其具备：对于铸锻钢件照射X射线的工序；二维检测来自上述X射线的衍射X射线的强度的工序；基于由上述检测工序检测到的上述衍射X射线的强度分布所形成的衍射环，计算残余应力的工序，上述照射工序具有变更对于上述铸锻钢件的上述X射线的照射条件的工序，上述照射工序是每一次对于上述铸锻钢件照射上述X射线都实行上述变更工序的工序，上述算出工序，是每一次对于上述铸锻钢件照射上述X射线都计算残余应力的工序，还具备平均化工序，即按顺序多次实行上述照射工序、上述检测工序和上述计算工序后，将经由上述算出工序计算出的多个上述残余应力平均化。
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公开(公告)号：CN110709689A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880034768.7
申请日：2018-04-06
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G01N23/20016 , G01L1/00 , G01L1/25
Abstract: 一种对由金属构成的被检查体的应力进行测定的方法，该方法包括：检测工序，使X射线从照射部向被检查体入射，并且利用二维检测器对X射线在被检查体衍射而形成的衍射X射线的衍射环进行检测；以及计算工序，基于检测工序的检测结果来计算被检查体的应力，在检测工序中，在将照射部以向被检查体入射的入射角处于5°以上且20°以下的范围内的方式相对于被检查体倾斜的状态下，使X射线从该照射部分别向被检查体的多个部位入射，并且利用二维检测器对各X射线在被检查体衍射而形成的衍射环进行检测。
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公开(公告)号：CN102656776A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201080056784.X
申请日：2010-12-06
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: H02K21/24 , H02K1/02 , H02K1/06 , H02K1/12 , H02K1/246 , H02K1/2793 , H02K3/04 , H02K21/46
Abstract: 本发明的无刷电动机(1A)是将具备线圈(41)的定子(3A、4A)和具备永磁体(23)的转子(2)沿着轴向隔开间隔配置而成的轴向间隙型的无刷电动机(1A)，线圈(41)是带状的线材，以所述带状的线材的宽度方向与通过转子(2)的永磁体(23)而形成的磁通的方向大体一致的方式卷绕成螺旋状而成。因此，这种结构的轴向间隙型无刷电动机(1A)与以往相比能进一步减少涡流损失。
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