公开(公告)号：CN103380099A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201280007841.4

申请日：2012-02-09

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 岩崎祐纪 ,  后藤裕史 ,  金丸守贺

IPC: C04B35/00 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/086 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体以及溅射标靶，适用于显示装置用氧化物半导体膜的制造的氧化物烧结体兼备高的导电性和相对密度，能够成膜具有高的载流子迁移率的氧化物半导体膜。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡、氧化铟的各粉末混合以及烧结而得到的氧化物烧结体，当对所述氧化物烧结体进行基于EPMA的面内组成映射时，在测定面积中所占的、Sn浓度为10～50质量％的区域的比率是70面积％以上。