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公开(公告)号:CN103904167B
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201410163697.4
申请日:2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种CdSxSey光电材料的制备方法。(1)向5mL 0.04~0.05mol/L Na2SeO3溶液中加入0.1079~0.1349g KBH4,水浴30~40℃下,搅拌得A溶液。(2)向5mL0.04~0.05mol/L Cd(NO3)2溶液中加入0.0394~0.0789g柠檬酸配制成B溶液。(3)A溶液与B溶液混合,再加入0.0152~0.0229g CH4N2S溶解,得C溶液。(4)C溶液在120~160℃恒温箱中反应8~10小时,得CdSxSey胶体,其中x=0.43~0.48,y=0.52~0.57;(5)将CdSxSey胶体于0℃冰水浴中作为冷凝胶,导电玻璃ITO在90℃热处理20分钟作为热物质,采用冷、热交替涂抹法将CdSxSey涂抹在ITO导电面,涂沫时间1分钟;重复2~5次。本发明成本低、处理时间短、工艺简便、无污染,所得CdSxSey光电材料有较好的光电性能。
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公开(公告)号:CN104562067A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201510045938.X
申请日:2015-01-29
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: C25B1/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米红硒光电材料的制备方法。(1)将0.076~0.152g硫脲和40mL浓度为0.020~0.030mol/L的H2SeO3溶液均匀混合,配制成电沉积液;(2)将步骤(1)所得电沉积液置于30~50℃水浴中,以铂片为阳极,ITO玻璃为阴极,在直流电压1.5~1.9V下电沉积时间3~7分钟,即在ITO玻璃上制得纳米红硒光电材料。在模拟太阳光下CdSxSey的开路光电压达到0.5894~0.8684V。本发明与其它相关技术相比,最显著的特点是电沉积法一步制备纳米硒电极,制备工艺简便、无污染,制备的纳米硒有较好的光电性能。
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