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公开(公告)号：CN108469380A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810714339.6
申请日：2018-06-29
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 一种利用万能试验机实现岩石拉剪试验的装置，包括夹持组件、加载组件和活动垫块，试件夹持组件包括倒T字形底座、第一底座固定螺钉、第二底座固定螺钉、第三底座固定螺钉、第四底座固定螺钉挡板、上盖、固定板和第一、第二、第三导向固定螺柱，加载组件包括圆柱形连接件和上宽下窄的梯形加载头，活动垫块置于倒T型底座左侧的90°角位置，上盖开有三个螺钉通孔，第一、第二、第三导向固定螺柱穿过螺钉通孔与固定板连接。该装置借助万能试验机能准确地测出岩石材料拉剪条件下的强度和变形。
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公开(公告)号：CN103904166B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410163618.X
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种CdSexTey量子点光电薄膜的制备方法。（1）称取0.4317～1.2953g Cd（NO3）2·4H2O于烧杯中，加入0.2689～0.8069g柠檬酸作为络合剂，再加入水，配成10mL络合水溶液A；（2）称取0.0399～0.1197g TeO2于烧杯中，滴加1mol/L NaOH溶液，直至TeO2全部溶解，再加入0.0432～0.1297g Na2SeO3和水，配成10mL溶液B；（3）将络合水溶液A和溶液B混合起来得溶液C；（4）将溶液C放入45～55℃水浴中，以ITO导电玻璃为阴极，铂片为阳极，在2.5～3.5V直流电压及磁力搅拌下电沉积20～40分钟。本发明最显著的特点是电化学共沉积法获得CdSexTey量子点光电薄膜，制备工艺简便高效、无污染、低成本，所得CdSexTey量子点光电薄膜具有较高光电压值。
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公开(公告)号：CN103904167B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410163697.4
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种CdSxSey光电材料的制备方法。（1）向5mL 0.04~0.05mol/L Na2SeO3溶液中加入0.1079~0.1349g KBH4，水浴30~40℃下，搅拌得A溶液。（2）向5mL0.04~0.05mol/L Cd(NO3)2溶液中加入0.0394~0.0789g柠檬酸配制成B溶液。（3）A溶液与B溶液混合，再加入0.0152~0.0229g CH4N2S溶解，得C溶液。（4）C溶液在120~160℃恒温箱中反应8~10小时，得CdSxSey胶体，其中x=0.43～0.48，y=0.52～0.57；（5）将CdSxSey胶体于0℃冰水浴中作为冷凝胶，导电玻璃ITO在90℃热处理20分钟作为热物质，采用冷、热交替涂抹法将CdSxSey涂抹在ITO导电面，涂沫时间1分钟；重复2~5次。本发明成本低、处理时间短、工艺简便、无污染，所得CdSxSey光电材料有较好的光电性能。
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公开(公告)号：CN104562067A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510045938.X
申请日：2015-01-29
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: C25B1/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米红硒光电材料的制备方法。（1）将0.076～0.152g硫脲和40mL浓度为0.020～0.030mol/L的H2SeO3溶液均匀混合，配制成电沉积液；（2）将步骤（1）所得电沉积液置于30～50℃水浴中，以铂片为阳极，ITO玻璃为阴极，在直流电压1.5～1.9V下电沉积时间3～7分钟，即在ITO玻璃上制得纳米红硒光电材料。在模拟太阳光下CdSxSey的开路光电压达到0.5894～0.8684V。本发明与其它相关技术相比，最显著的特点是电沉积法一步制备纳米硒电极，制备工艺简便、无污染，制备的纳米硒有较好的光电性能。
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公开(公告)号：CN103904167A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410163697.4
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L21/02425 , H01L21/0256 , H01L21/02628
Abstract: 本发明公开了一种CdSxSey光电材料的制备方法。（1）向5mL0.04~0.05mol/LNa2SeO3溶液中加入0.1079~0.1349gKBH4，水浴30~40℃下，搅拌得A溶液。（2）向5mL0.04~0.05mol/LCd(NO3)2溶液中加入0.0394~0.0789g柠檬酸配制成B溶液。（3）A溶液与B溶液混合，再加入0.0152~0.0229gCH4N2S溶解，得C溶液。（4）C溶液在120~160℃恒温箱中反应8~10小时，得CdSxSey胶体，其中x=0.43～0.48，y=0.52～0.57；（5）将CdSxSey胶体于0℃冰水浴中作为冷凝胶，导电玻璃ITO在90℃热处理20分钟作为热物质，采用冷、热交替涂抹法将CdSxSey涂抹在ITO导电面，涂沫时间1分钟；重复2~5次。本发明成本低、处理时间短、工艺简便、无污染，所得CdSxSey光电材料有较好的光电性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103904166A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410163618.X
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L21/02425 , B82Y30/00 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02601 , H01L21/02628
Abstract: 本发明公开了一种CdSexTey量子点光电薄膜的制备方法。（1）称取0.4317～1.2953gCd（NO3）2·4H2O于烧杯中，加入0.2689～0.8069g柠檬酸作为络合剂，再加入水，配成10mL络合水溶液A；（2）称取0.0399～0.1197gTeO2于烧杯中，滴加1mol/LNaOH溶液，直至TeO2全部溶解，再加入0.0432～0.1297gNa2SeO3和水，配成10mL溶液B；（3）将络合水溶液A和溶液B混合起来得溶液C；（4）将溶液C放入45～55℃水浴中，以ITO导电玻璃为阴极，铂片为阳极，在2.5～3.5V直流电压及磁力搅拌下电沉积20～40分钟。本发明最显著的特点是电化学共沉积法获得CdSexTey量子点光电薄膜，制备工艺简便高效、无污染、低成本，所得CdSexTey量子点光电薄膜具有较高光电压值。
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公开(公告)号：CN103922612B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410163646.1
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明公开了一种冷、热交替化学浴法制备CdSe薄膜的方法。（1）将20mL浓度为0.03mol/L～0.10mol/L的Cd(NO3)2放入冰水浴中，作为冷溶液A；（2）将10mL浓度为0.42mol/L～0.6mol/L的KBH4与10mL浓度为0.06mol/L的Na2SeO3混合并加热至70℃～80℃，溶液反应至红棕色，并在4-8秒内迅速变成无色，作为热溶液B；（3）将干净的ITO导电玻璃垂直浸入步骤（1）所得冷溶液A中5s～60s后取出，并迅速浸入步骤（2）所得热溶液B中，同样持续5s～60s；（4）重复步骤（3）4～20次，ITO表面出现红棕色CdSe薄膜。本发明制备时间短、通过改变冷、热交替化学浴循环次数控制CdSe薄膜的厚度、无需使用有毒有机溶剂并使CdSe薄膜牢固地吸附在ITO上的特点。
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公开(公告)号：CN103922612A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410163646.1
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明公开了一种冷、热交替化学浴法制备CdSe薄膜的方法。（1）将20mL浓度为0.03mol/L～0.10mol/L的Cd(NO3)2放入冰水浴中，作为冷溶液A；（2）将10mL浓度为0.42mol/L～0.6mol/L的KBH4与10mL浓度为0.06mol/L的Na2SeO3混合并加热至70℃～80℃，溶液反应至红棕色，并在4-8秒内迅速变成无色，作为热溶液B；（3）将干净的ITO导电玻璃垂直浸入步骤（1）所得冷溶液A中5s～60s后取出，并迅速浸入步骤（2）所得热溶液B中，同样持续5s～60s；（4）重复步骤（3）4～20次,ITO表面出现红棕色CdSe薄膜。本发明制备时间短、通过改变冷、热交替化学浴循环次数控制CdSe薄膜的厚度、无需使用有毒有机溶剂并使CdSe薄膜牢固地吸附在ITO上的特点。
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公开(公告)号：CN104562067B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510045938.X
申请日：2015-01-29
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米红硒光电材料的制备方法。（1）将0.076～0.152g硫脲和40mL 浓度为0.020～0.030mol/L的 H2SeO3溶液均匀混合，配制成电沉积液；（2）将步骤（1）所得电沉积液置于30～50℃水浴中，以铂片为阳极，ITO玻璃为阴极，在直流电压1.5～1.9V下电沉积时间3～7分钟，即在ITO玻璃上制得纳米红硒光电材料。在模拟太阳光下CdSxSey的开路光电压达到0.5894～0.8684V。本发明与其它相关技术相比，最显著的特点是电沉积法一步制备纳米硒电极，制备工艺简便、无污染，制备的纳米硒有较好的光电性能。
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公开(公告)号：CN103924277A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410163723.3
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25D9/08
Abstract: 本发明公开了一种球状CdSe/Cu2O异质结材料的制备方法。（1）将1.2800g～1.7067gCdSO4、0.0115g～0.0128gH2SeO3、0.9g～1.9gNa2SO4和100mL水混合，置于30℃～50℃水浴中;（2）以ITO导电玻璃为阴极，高纯铂片为阳极，放入上述溶液中，在1.9V～2.4V直流电压下沉积30～50分钟，制得CdSe薄膜;（3）将20mL3mol/L乳酸溶液和20mL0.4mol/LCuSO4溶液混合，用4mol/L的NaOH调节pH值为9-10，置于40℃～50℃水浴中;（4）以沉积有CdSe薄膜的ITO为阴极，高纯铂片为阳极，放入步骤（3）电解液中，在1.2V～1.5V直流电压下沉积5～10分钟。本发明采用两次电化学沉积法，简单、快速制备出均匀球状的CdSe/Cu2O异质结。
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