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公开(公告)号：CN103924277A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410163723.3
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25D9/08
Abstract: 本发明公开了一种球状CdSe/Cu2O异质结材料的制备方法。（1）将1.2800g～1.7067gCdSO4、0.0115g～0.0128gH2SeO3、0.9g～1.9gNa2SO4和100mL水混合，置于30℃～50℃水浴中;（2）以ITO导电玻璃为阴极，高纯铂片为阳极，放入上述溶液中，在1.9V～2.4V直流电压下沉积30～50分钟，制得CdSe薄膜;（3）将20mL3mol/L乳酸溶液和20mL0.4mol/LCuSO4溶液混合，用4mol/L的NaOH调节pH值为9-10，置于40℃～50℃水浴中;（4）以沉积有CdSe薄膜的ITO为阴极，高纯铂片为阳极，放入步骤（3）电解液中，在1.2V～1.5V直流电压下沉积5～10分钟。本发明采用两次电化学沉积法，简单、快速制备出均匀球状的CdSe/Cu2O异质结。
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公开(公告)号：CN103904166B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410163618.X
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种CdSexTey量子点光电薄膜的制备方法。（1）称取0.4317～1.2953g Cd（NO3）2·4H2O于烧杯中，加入0.2689～0.8069g柠檬酸作为络合剂，再加入水，配成10mL络合水溶液A；（2）称取0.0399～0.1197g TeO2于烧杯中，滴加1mol/L NaOH溶液，直至TeO2全部溶解，再加入0.0432～0.1297g Na2SeO3和水，配成10mL溶液B；（3）将络合水溶液A和溶液B混合起来得溶液C；（4）将溶液C放入45～55℃水浴中，以ITO导电玻璃为阴极，铂片为阳极，在2.5～3.5V直流电压及磁力搅拌下电沉积20～40分钟。本发明最显著的特点是电化学共沉积法获得CdSexTey量子点光电薄膜，制备工艺简便高效、无污染、低成本，所得CdSexTey量子点光电薄膜具有较高光电压值。
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公开(公告)号：CN103904167A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410163697.4
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L21/02425 , H01L21/0256 , H01L21/02628
Abstract: 本发明公开了一种CdSxSey光电材料的制备方法。（1）向5mL0.04~0.05mol/LNa2SeO3溶液中加入0.1079~0.1349gKBH4，水浴30~40℃下，搅拌得A溶液。（2）向5mL0.04~0.05mol/LCd(NO3)2溶液中加入0.0394~0.0789g柠檬酸配制成B溶液。（3）A溶液与B溶液混合，再加入0.0152~0.0229gCH4N2S溶解，得C溶液。（4）C溶液在120~160℃恒温箱中反应8~10小时，得CdSxSey胶体，其中x=0.43～0.48，y=0.52～0.57；（5）将CdSxSey胶体于0℃冰水浴中作为冷凝胶，导电玻璃ITO在90℃热处理20分钟作为热物质，采用冷、热交替涂抹法将CdSxSey涂抹在ITO导电面，涂沫时间1分钟；重复2~5次。本发明成本低、处理时间短、工艺简便、无污染，所得CdSxSey光电材料有较好的光电性能。
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公开(公告)号：CN103904166A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410163618.X
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L21/02425 , B82Y30/00 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02601 , H01L21/02628
Abstract: 本发明公开了一种CdSexTey量子点光电薄膜的制备方法。（1）称取0.4317～1.2953gCd（NO3）2·4H2O于烧杯中，加入0.2689～0.8069g柠檬酸作为络合剂，再加入水，配成10mL络合水溶液A；（2）称取0.0399～0.1197gTeO2于烧杯中，滴加1mol/LNaOH溶液，直至TeO2全部溶解，再加入0.0432～0.1297gNa2SeO3和水，配成10mL溶液B；（3）将络合水溶液A和溶液B混合起来得溶液C；（4）将溶液C放入45～55℃水浴中，以ITO导电玻璃为阴极，铂片为阳极，在2.5～3.5V直流电压及磁力搅拌下电沉积20～40分钟。本发明最显著的特点是电化学共沉积法获得CdSexTey量子点光电薄膜，制备工艺简便高效、无污染、低成本，所得CdSexTey量子点光电薄膜具有较高光电压值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103904167B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410163697.4
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种CdSxSey光电材料的制备方法。（1）向5mL 0.04~0.05mol/L Na2SeO3溶液中加入0.1079~0.1349g KBH4，水浴30~40℃下，搅拌得A溶液。（2）向5mL0.04~0.05mol/L Cd(NO3)2溶液中加入0.0394~0.0789g柠檬酸配制成B溶液。（3）A溶液与B溶液混合，再加入0.0152~0.0229g CH4N2S溶解，得C溶液。（4）C溶液在120~160℃恒温箱中反应8~10小时，得CdSxSey胶体，其中x=0.43～0.48，y=0.52～0.57；（5）将CdSxSey胶体于0℃冰水浴中作为冷凝胶，导电玻璃ITO在90℃热处理20分钟作为热物质，采用冷、热交替涂抹法将CdSxSey涂抹在ITO导电面，涂沫时间1分钟；重复2~5次。本发明成本低、处理时间短、工艺简便、无污染，所得CdSxSey光电材料有较好的光电性能。
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公开(公告)号：CN103055836A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310010681.5
申请日：2013-01-12
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J21/06 , C02F1/32 , C02F103/32
Abstract: 本发明公开了N/TiO2纳米管阵列的制备方法及光催化降解制糖废水的应用。以钛片为基底制备出TiO2纳米管阵列；将制得的TiO2纳米管阵列放入0.005mol/L～0.03mol/L尿素溶液中，在超声条件下浸泡6分钟，用去离子水冲洗其表面，晾干后得到N/TiO2纳米管阵列。将N/TiO2纳米管阵列放入制糖废水中，用NaOH溶液将废水的pH值调节到12.4～13.2，经紫外灯（λ=253.7nm）照射25～30小时，实现对制糖废水的光催化降解的应用。本发明制备工艺简便、无污染，并且成功地应用于光催化降解制糖废水，从而大大提高了处理制糖废水的效率，降低了相关成本及处理时间。
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公开(公告)号：CN102826630A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210329598.X
申请日：2012-09-09
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Bi/TiO2纳米管阵列对制糖废水的光催化降解的应用。以钛片为基底制备出TiO2纳米管阵列，冲洗，干燥后，在500℃下煅烧2小时，冷却至室温得TiO2纳米管阵列；将制得的TiO2纳米管阵列为阴极，铂丝为阳极，放入由0.04gBi(NO3)3和0.28mol/LHNO3组成的电解液中，在2.2V电压下沉积4分钟，用去离子水冲洗，晾干后得到Bi/TiO2纳米管阵列。将Bi/TiO2纳米管阵列放入制糖废水中，用NaOH溶液将废水的pH值调节到12.4～13.2，经紫外灯（λ=253.7nm）照射25～30小时，实现对制糖废水的光催化降解的应用。本发明制备工艺简便、无污染，并且成功地应用于光催化降解制糖废水，提高了处理制糖废水的效率，降低了相关成本及处理时间。
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公开(公告)号：CN103922612B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410163646.1
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明公开了一种冷、热交替化学浴法制备CdSe薄膜的方法。（1）将20mL浓度为0.03mol/L～0.10mol/L的Cd(NO3)2放入冰水浴中，作为冷溶液A；（2）将10mL浓度为0.42mol/L～0.6mol/L的KBH4与10mL浓度为0.06mol/L的Na2SeO3混合并加热至70℃～80℃，溶液反应至红棕色，并在4-8秒内迅速变成无色，作为热溶液B；（3）将干净的ITO导电玻璃垂直浸入步骤（1）所得冷溶液A中5s～60s后取出，并迅速浸入步骤（2）所得热溶液B中，同样持续5s～60s；（4）重复步骤（3）4～20次，ITO表面出现红棕色CdSe薄膜。本发明制备时间短、通过改变冷、热交替化学浴循环次数控制CdSe薄膜的厚度、无需使用有毒有机溶剂并使CdSe薄膜牢固地吸附在ITO上的特点。
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公开(公告)号：CN103922612A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410163646.1
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明公开了一种冷、热交替化学浴法制备CdSe薄膜的方法。（1）将20mL浓度为0.03mol/L～0.10mol/L的Cd(NO3)2放入冰水浴中，作为冷溶液A；（2）将10mL浓度为0.42mol/L～0.6mol/L的KBH4与10mL浓度为0.06mol/L的Na2SeO3混合并加热至70℃～80℃，溶液反应至红棕色，并在4-8秒内迅速变成无色，作为热溶液B；（3）将干净的ITO导电玻璃垂直浸入步骤（1）所得冷溶液A中5s～60s后取出，并迅速浸入步骤（2）所得热溶液B中，同样持续5s～60s；（4）重复步骤（3）4～20次,ITO表面出现红棕色CdSe薄膜。本发明制备时间短、通过改变冷、热交替化学浴循环次数控制CdSe薄膜的厚度、无需使用有毒有机溶剂并使CdSe薄膜牢固地吸附在ITO上的特点。
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