公开(公告)号：CN101825912A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010162189.6

申请日：2010-04-30

Applicant: 浙江大学

Inventor： 何乐年 ,  宁志华 ,  付大伟 ,  王煊 ,  徐碧野 ,  陈帅 ,  陆燕锋 ,  佀鸿伟

IPC: G05F3/30

Abstract: 本发明公开了一种低温度系数高阶温度补偿的带隙基准电压源，通过将具有高阶负温度系数的电流注入一个PNP型三极管，得到具有高阶温度系数的电压，并将该电压通过双差分对运算放大器耦合到最终的输出基准电压之中，补偿三极管带隙电压中的高阶温度分量，从而得到高阶温度补偿的基准电压。由于传统的带隙基准电压源只采用了一阶温度补偿，该基准电压通过高阶温度补偿，较传统的带隙基准电压源有较大的性能提升，具有较低的温度系数。

公开(公告)号：CN101534118A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910097675.1

申请日：2009-04-16

Applicant: 浙江大学

Inventor： 何乐年 ,  王忆 ,  宁志华 ,  邵亚利

IPC: H03K19/094

Abstract: 本发明提供一种受控等效电阻模块，包括产生受控电阻的MOS管MR；产生等效阻值控制电压的MOS管MS；锁定MOS管MR和MOS管MS源端电压的运算放大器A1；调整输入电流信号方向和大小的电流传输模块CV；将输入电压信号转变为电流信号的MOS管MC；限制最大阻值的电流源IC。该等效电阻模块受输入电压或输入电流的控制的改变等效MOS电阻，解决了现有MOS电阻的等效阻值受工艺误差和体效应等影响，等效阻值控制不精确的技术难题。