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公开(公告)号：CN101825912B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201010162189.6
申请日：2010-04-30
Applicant: 浙江大学
IPC: G05F3/30
Abstract: 本发明公开了一种低温度系数高阶温度补偿的带隙基准电压源，通过将具有高阶负温度系数的电流注入一个PNP型三极管，得到具有高阶温度系数的电压，并将该电压通过双差分对运算放大器耦合到最终的输出基准电压之中，补偿三极管带隙电压中的高阶温度分量，从而得到高阶温度补偿的基准电压。由于传统的带隙基准电压源只采用了一阶温度补偿，该基准电压通过高阶温度补偿，较传统的带隙基准电压源有较大的性能提升，具有较低的温度系数。
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公开(公告)号：CN101534118B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910097675.1
申请日：2009-04-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明提供一种受控等效电阻模块，包括产生受控电阻的MOS管MR；产生等效阻值控制电压的MOS管MS；锁定MOS管MR和MOS管MS源端电压的运算放大器A1；调整输入电流信号方向和大小的电流传输模块CV；将输入电压信号转变为电流信号的MOS管MC；限制最大阻值的电流源IC。该等效电阻模块受输入电压或输入电流的控制的改变等效MOS电阻，解决了现有MOS电阻的等效阻值受工艺误差和体效应等影响，等效阻值控制不精确的技术难题。
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公开(公告)号：CN101630956A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200910101779.5
申请日：2009-08-17
Applicant: 浙江大学
IPC: H03K19/0185 , H02M1/08
Abstract: 本发明公开了一种采用启动带电路的功率开关管驱动电路，包括带第一NMOS管的高电压边的功率开关管、带肖特基二极管的低电压边的功率开关管，以及用于驱动所述的第一NMOS管的启动带电路，其特征在于，所述的启动带电路由第一PMOS管和第一电容组成，其中第一PMOS管的漏极外接驱动电压，第一PMOS管的衬极和源极均接入第一电容的第一极端，第一电容的第二极端连接第一NMOS管的源极。本发明功率开关管驱动电路提供较高的NMOS管栅-源电压，减小了NMOS功率开关管的导通电阻，降低输出电压的损耗。另外，启动带电路中采用PMOS管代替原来的二极管，降低了正向导通电阻和压降，减小了损耗。
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公开(公告)号：CN102710109B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210169586.5
申请日：2012-05-24
Applicant: 浙江大学
IPC: H02M1/32
Abstract: 本发明公开了一种DC/DC转换器的电流限制电路，包括：与DC/DC转换器相连的功率开关管、与功率开关管相连的采样电阻、与采样电阻相连的电流电压转换电路、与电流电压转换电路相连的参考电流产生电路，与功率开关管和电流电压转换电路相连的运算放大器。本发明通过在电流通路中串联阻值很小的金属采样电阻对DC/DC转换器的负载电流进行检测，得到的检测电压与精确且电压值很小的基准电压通过高精度运放电路进行差值放大，当负载电流超过预先设定的电流阈值时，通过环路负反馈作用控制功率管的导通程度从而实现电流限制，且功耗小，精度高。
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公开(公告)号：CN102324843B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201110127928.2
申请日：2011-05-17
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种高精度分段式线性斜坡补偿电路，包括多段式斜坡补偿信号产生电路、多段式控制信号产生电路、锯齿波产生电路和触发电路。本发明通过对斜坡补偿信号产生电路和控制信号产生电路的分段设计，使当转换器工作占空比在任何大小情况下，能灵活控制斜坡补偿量，保证了转换器的电流反馈能力、瞬态响应特性以及带载能力；通过调整电阻链路的分压比以及相关MOS管的宽长比，可调节出理想的斜坡补偿信号波形，且信号抗干扰性强，因此可广泛应用于峰值电流模式控制的DC/DC转换器中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102710109A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210169586.5
申请日：2012-05-24
Applicant: 浙江大学
IPC: H02M1/32
Abstract: 本发明公开了一种DC/DC转换器的电流限制电路，包括：与DC/DC转换器相连的功率开关管、与功率开关管相连的采样电阻、与采样电阻相连的电流电压转换电路、与电流电压转换电路相连的参考电流产生电路，与功率开关管和电流电压转换电路相连的运算放大器。本发明通过在电流通路中串联阻值很小的金属采样电阻对DC/DC转换器的负载电流进行检测，得到的检测电压与精确且电压值很小的基准电压通过高精度运放电路进行差值放大，当负载电流超过预先设定的电流阈值时，通过环路负反馈作用控制功率管的导通程度从而实现电流限制，且功耗小，精度高。
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公开(公告)号：CN101630956B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910101779.5
申请日：2009-08-17
Applicant: 浙江大学
IPC: H03K19/0185 , H02M1/08
Abstract: 本发明公开了一种采用启动带电路的功率开关管驱动电路，包括带第一NMOS管的高电压边的功率开关管、带肖特基二极管的低电压边的功率开关管，以及用于驱动所述的第一NMOS管的启动带电路，其特征在于，所述的启动带电路由第一PMOS管和第一电容组成，其中第一PMOS管的漏极外接驱动电压，第一PMOS管的衬极和源极均接入第一电容的第一极端，第一电容的第二极端连接第一NMOS管的源极。本发明功率开关管驱动电路提供较高的NMOS管栅-源电压，减小了NMOS功率开关管的导通电阻，降低输出电压的损耗。另外，启动带电路中采用PMOS管代替原来的二极管，降低了正向导通电阻和压降，减小了损耗。
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公开(公告)号：CN101510729A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910097233.7
申请日：2009-03-30
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种双模式的直流开关电源变换器，包括开关晶体管，用于控制开关晶体管的PWM控制电路，连接开关晶体管输出端的电感和输出支路，所述的PWM控制电路为峰值电流模式控制电路，PWM控制电路中设置有一个最小占空比模块，最小占空比模块发送的信号占空比与直流开关电源变换器的输出电压VOUT和输入电压VIN的比值成正比；当PWM控制电路的控制信号占空比小于最小占空比模块的信号占空比时，开关晶体管的驱动信号占空比为最小占空比模块的信号占空比。本发明在PWM控制环路上实现了PWM和PFM双模式控制方式，并能根据负载情况，自动选择控制模式，可用于高效率、降压型的直流开关电源。
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公开(公告)号：CN102324843A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110127928.2
申请日：2011-05-17
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种高精度分段式线性斜坡补偿电路，包括多段式斜坡补偿信号产生电路、多段式控制信号产生电路、锯齿波产生电路和触发电路。本发明通过对斜坡补偿信号产生电路和控制信号产生电路的分段设计，使当转换器工作占空比在任何大小情况下，能灵活控制斜坡补偿量，保证了转换器的电流反馈能力、瞬态响应特性以及带载能力；通过调整电阻链路的分压比以及相关MOS管的宽长比，可调节出理想的斜坡补偿信号波形，且信号抗干扰性强，因此可广泛应用于峰值电流模式控制的DC/DC转换器中。
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公开(公告)号：CN101510729B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200910097233.7
申请日：2009-03-30
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种双模式的直流开关电源变换器，包括开关晶体管，用于控制开关晶体管的PWM控制电路，连接开关晶体管输出端的电感和输出支路，所述的PWM控制电路为峰值电流模式控制电路，PWM控制电路中设置有一个最小占空比模块，最小占空比模块发送的信号占空比与直流开关电源变换器的输出电压VOUT和输入电压VIN的比值成正比；当PWM控制电路的控制信号占空比小于最小占空比模块的信号占空比时，开关晶体管的驱动信号占空比为最小占空比模块的信号占空比。本发明在PWM控制环路上实现了PWM和PFM双模式控制方式，并能根据负载情况，自动选择控制模式，可用于高效率、降压型的直流开关电源。
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