公开(公告)号：CN101825912B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201010162189.6

申请日：2010-04-30

Applicant: 浙江大学

Inventor： 何乐年 ,  宁志华 ,  付大伟 ,  王煊 ,  徐碧野 ,  陈帅 ,  陆燕锋 ,  佀鸿伟

IPC: G05F3/30

Abstract: 本发明公开了一种低温度系数高阶温度补偿的带隙基准电压源，通过将具有高阶负温度系数的电流注入一个PNP型三极管，得到具有高阶温度系数的电压，并将该电压通过双差分对运算放大器耦合到最终的输出基准电压之中，补偿三极管带隙电压中的高阶温度分量，从而得到高阶温度补偿的基准电压。由于传统的带隙基准电压源只采用了一阶温度补偿，该基准电压通过高阶温度补偿，较传统的带隙基准电压源有较大的性能提升，具有较低的温度系数。

公开(公告)号：CN101825912A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010162189.6

申请日：2010-04-30

Applicant: 浙江大学

Inventor： 何乐年 ,  宁志华 ,  付大伟 ,  王煊 ,  徐碧野 ,  陈帅 ,  陆燕锋 ,  佀鸿伟

IPC: G05F3/30

Abstract: 本发明公开了一种低温度系数高阶温度补偿的带隙基准电压源，通过将具有高阶负温度系数的电流注入一个PNP型三极管，得到具有高阶温度系数的电压，并将该电压通过双差分对运算放大器耦合到最终的输出基准电压之中，补偿三极管带隙电压中的高阶温度分量，从而得到高阶温度补偿的基准电压。由于传统的带隙基准电压源只采用了一阶温度补偿，该基准电压通过高阶温度补偿，较传统的带隙基准电压源有较大的性能提升，具有较低的温度系数。