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公开(公告)号：CN118854288A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410910298.3
申请日：2024-07-09
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
IPC: C23F11/04 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/3213 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开了铝缓蚀剂、蚀刻液、制备方法及应用，本申请中的铝缓蚀剂包括三聚磷酸盐和氟硼酸，其中三聚磷酸盐和氟硼酸的质量比为(1‑5)：(95‑99)，氟硼酸能够缓蚀氢氟酸，进而抑制氢氟酸的存在对三聚磷酸盐水解的促进作用，保证了三聚磷酸盐在氢氟酸体系中的缓蚀效果。
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公开(公告)号：CN119530809A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411593991.9
申请日：2024-11-08
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
IPC: C23F1/26
Abstract: 本发明涉及一种用于不同厚度TiAlTi基板的蚀刻液及其制备方法与应用。所述的用于不同厚度TiAlTi基板的蚀刻液，按照重量份计算，包括如下组分：有机酸10‑20份；无机酸40‑50份；有机溶剂10‑20份；添加剂0.5‑1份；超纯水10‑25份。本发明采用1‑(3‑((4‑(2‑氟苯基)哌嗪‑1‑基)甲基)‑4‑甲氧基苯基)‑2,3,4,9‑四氢‑1H‑吡啶并[3,4‑B]吲哚‑3‑羧酸和另一种有机酸组合，1‑(3‑((4‑(2‑氟苯基)哌嗪‑1‑基)甲基)‑4‑甲氧基苯基)‑2,3,4,9‑四氢‑1H‑吡啶并[3,4‑B]吲哚‑3‑羧酸提供的F离子可以针对钛进行蚀刻，另一种有机酸与1‑(3‑((4‑(2‑氟苯基)哌嗪‑1‑基)甲基)‑4‑甲氧基苯基)‑2,3,4,9‑四氢‑1H‑吡啶并[3,4‑B]吲哚‑3‑羧酸中含有苯环可以吸附在金属表面均匀蚀刻金属层。
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公开(公告)号：CN119530804A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411584930.6
申请日：2024-11-07
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种一剂型铜钼显示蚀刻液及其制备方法与应用。所述的蚀刻液，按照重量份计算，包括如下组分：过氧化氢5‑15份；有机酸10‑15份；有机碱8‑12份；螯合剂0.008‑0.07份；缓蚀剂0.002‑0.07份；表面活性剂0.04‑0.3份；过氧化氢稳定剂0.1‑0.6份；超纯水65‑73份。本发明的蚀刻液中的螯合剂和缓蚀剂共同吸附在金属表面，缓蚀剂与螯合剂可以形成分子间氢键，获得分子体积更大的产物，吸附于金属表面产生保护性的隔离层，同时含有的离域大π键和氮原子能够为金属的空轨道提供电子对，并通过形成配位键吸附于金属表面以形成致密的吸附膜，有效抑制金属的腐蚀，稳定金属蚀刻后的锥角和蚀刻形貌。
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公开(公告)号：CN119392254A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411511111.9
申请日：2024-10-28
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种显示面板多层膜用酸蚀刻液、其制备方法及用途。所述显示面板多层膜用酸蚀刻液，按照重量份计算，包括如下组分：多元混合酸42‑54份；含氧酸4‑6份；硝酸盐1‑3份；缓蚀剂1‑2.5份；超纯水42‑54份。本发明蚀刻液中缓蚀剂使用噻吩酮类化合物和二氯氧钒组合，能够作为缓蚀剂减缓Mo层金属蚀刻，避免Mura以及Under‑cut现象的产生。本发明蚀刻液相比传统的磷酸系蚀刻液提高了螯合金属离子能力，蚀刻寿命较长。
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公开(公告)号：CN118880328A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411245293.X
申请日：2024-09-06
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
IPC: C23F1/14 , H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种具有高溶铜量的铜钼蚀刻液、其制备方法及用途，具有高溶铜量的铜钼蚀刻液包括蚀刻液主剂和蚀刻液补剂，蚀刻液补剂为蚀刻液主剂的0.5‑17wt％；蚀刻液主剂包括：过氧化氢、有机酸、有机碱、缓蚀剂、抗电位蚀刻剂、表面活性剂、过氧化氢稳定剂和超纯水；蚀刻液补剂包括：有机酸、有机碱、缓蚀剂、抗电位蚀刻剂、表面活性剂、过氧化氢稳定剂和超纯水。本发明还公开了具有高溶铜量的铜钼蚀刻液的制备方法及其在铜钼金属蚀刻领域的用途。本发明具有高溶铜量的蚀刻液寿命长且不易突沸，该蚀刻液能在10000‑15000ppm的高溶铜量下能够保持良好的蚀刻效果，对铜钼金属蚀刻时无底切、无拖尾、有着特定锥角。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118859648A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411118407.4
申请日：2024-08-15
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种显示面板光刻胶剥离液及其制备方法与应用。所述的剥离液，按照重量份计算包括如下组分：醇醚类化合物40‑55份；酰胺类化合物50‑60份；有机胺类化合物3‑15份；生物多聚物1‑2份；界面增效剂1‑2份。本发明通过调整剥离液的成分，选择具有出色的润湿和膨润性能的醇醚类化合物、具有较强的溶解性和分散性的酰胺类化合物、及具有较高活性和选择性的有机胺类化合物作为溶解剂，能够更有效地与光刻胶分子间化学键相互作用，实现更快速的剥离效果。采用界面增效剂与生物多聚物协同，以降低剥离液对基板表面的腐蚀性，并确保剥离过程不会损伤基板或器件结构。
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公开(公告)号：CN119144333A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411154050.5
申请日：2024-08-21
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种三步法ITO‑Ag‑ITO蚀刻液、其制备方法与应用，三步法ITO‑Ag‑ITO蚀刻液包括重量配比如下的各组分：有机酸2‑10份；无机酸1‑5份；醛类化合物0.5‑3份；含硫有机酸钠盐1‑5份；超纯水30‑50份。本发明还公开了蚀刻液的制备方法及其在蚀刻ITO‑Ag‑ITO复合层领域和/或通孔工艺中TiAlTi层的蚀刻及形貌修饰领域的应用。本发明蚀刻液刻蚀速率稳定，对于绝缘层与光刻胶均无损伤，能在OLED像素电极制造过程中使用，用于解决三步法ITO‑Ag‑ITO刻蚀过程中Ag层CD‑loss过大的问题；并且该体系中引入了氢氟酸，可兼容通孔工艺中TiAlTi层的蚀刻及形貌修饰。
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公开(公告)号：CN118880334A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410926512.4
申请日：2024-07-11
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
IPC: C23F1/26
Abstract: 本发明涉及一种显示面板Al酸蚀刻液、其制备方法及用途。所述显示面板Al酸蚀刻液，按照重量份计算，包括如下组分：有机酸65‑80份；无机酸5‑10份；硝酸盐1‑3份；添加剂0.5‑2.5份；超纯水15‑25份。本发明蚀刻液蚀刻过程温和，不会对基板上的精密单元造成损失破坏。本发明蚀刻液中使用添加剂能够作为协同缓蚀剂减缓Mo层金属蚀刻，避免色差(Mura)现象的产生。本发明蚀刻液的均一性好，基板经过蚀刻后，基板边缘及各个部位的参数相差较小，且无蚀刻残留。
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公开(公告)号：CN117925241A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311746444.5
申请日：2023-12-19
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种低损伤显示面板ITO‑Ag蚀刻液、其制备方法与应用，所述低损伤显示面板ITO‑Ag蚀刻液包括重量配比如下的各组分：无机含氧酸40‑80份；有机羧酸10‑30份；氨基磺酸1‑5份；螯合剂0.1‑1.5份；表面活性剂1‑5份；超纯水30‑50份。本发明还公开了低损伤显示面板ITO‑Ag蚀刻液的制备方法及其在蚀刻ITO‑Ag‑ITO复合层领域的应用。本发明蚀刻液对于ITO‑Ag有稳定的刻蚀速率，蚀刻后无析出物、ITO残留、毛刺和内缩，且ITO刻蚀速率较快，可在OLED像素电极制造过程中使用。
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公开(公告)号：CN116926549A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311199059.3
申请日：2023-09-18
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
IPC: C23F1/30
Abstract: 本发明涉及一种显示面板用Ag蚀刻液，按照重量份计算，包括如下组分：有机羧酸50‑75份；氧化剂8‑18份；螯合剂1‑3份；含钠化合物1‑2份；超纯水15‑25份。本发明还涉及所述显示面板用Ag蚀刻液的制备方法和使用方法。本发明显示面板用Ag蚀刻液中的螯合剂优选DTPA和DBCO，可以有效防止Ag离子在溶液中析出，附着在蚀刻后的基板表面造成污染；同时，DTPA和DBCO螯合Ag效果比其他同类物质更好，能够显著提高蚀刻液的使用寿命。本发明中的显示面板用Ag蚀刻液采用柠檬酸体系，蚀刻性能温和，不损伤基板上的单元，且蚀刻后无蚀刻残留。本发明中的蚀刻液相较于传统磷酸体系，粘度更低，流动性更好，达到蚀刻效果更佳，有利于后续的清洗工艺。
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