公开(公告)号：CN118335586A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410622871.0

申请日：2020-05-12

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 河合辉典 ,  鸟居良崇 ,  柴山正巳 ,  渡边宏之 ,  山下真一

IPC: H01J40/06 ,  H01J43/24 ,  H01J9/12 ,  H01J1/34

Abstract: 一种光电阴极，包括：基板；光电转换层，其设置在所述基板上，与光的入射相应地产生光电子；和基底层，其设置在所述基板与所述光电转换层之间，且包含铍，所述基底层具有包含铍的氮化物的第1基底层。

公开(公告)号：CN113454750A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201980092544.6

申请日：2019-11-22

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 浜名康全 ,  渡边宏之 ,  嶋野贤志 ,  西泽宽仁

IPC: H01J37/244 ,  H01J9/22 ,  H01J1/70 ,  H01J29/28

Abstract: 荧光体面板的制造方法包括：在出射窗上形成具有多个荧光体颗粒的荧光体层的工序；在荧光体层上形成有机膜的工序；在有机膜上形成金属反射膜的工序；通过烧成除去有机膜的工序；以及通过原子层沉积法形成一体地覆盖金属反射膜的表面和荧光体颗粒的表面的氧化物膜的工序。

公开(公告)号：CN101859672B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201010157693.7

申请日：2010-04-02

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 山下真一 ,  渡边宏之 ,  小宫山广志

IPC: H01J1/34 ,  H01J29/38 ,  H01J40/06

CPC classification number: H01J1/34 ,  H01J31/50 ,  H01J31/506 ,  H01J40/06

Abstract: 本发明涉及光电阴极、电子管以及光电倍增管。在光电阴极(1A，1B)中，由含有La2O3的结晶性材料形成的基底层(200)被设置于支撑基板(100A，100B)与光电子放出层(300)之间并接触于光电子放出层(300)。由此，在例如光电阴极(1A，1B)的制造工序中的热处理时，可以抑制包含于光电子放出层(300)的碱金属向支撑基板(100A，100B)侧的扩散。此外，推测该基底层(200)的功能为使在光电子放出层(300)产生的光电子e-中朝向支撑基板(100A，100B)侧的光电子的行进方向反转为其相反侧。

公开(公告)号：CN113454750B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN201980092544.6

申请日：2019-11-22

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 浜名康全 ,  渡边宏之 ,  嶋野贤志 ,  西泽宽仁

IPC: H01J37/244 ,  H01J9/22 ,  H01J1/70 ,  H01J29/28

Abstract: 荧光体面板的制造方法包括：在出射窗上形成具有多个荧光体颗粒的荧光体层的工序；在荧光体层上形成有机膜的工序；在有机膜上形成金属反射膜的工序；通过烧成除去有机膜的工序；以及通过原子层沉积法形成一体地覆盖金属反射膜的表面和荧光体颗粒的表面的氧化物膜的工序。

公开(公告)号：CN114026668B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202080046222.0

申请日：2020-05-12

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 河合辉典 ,  鸟居良崇 ,  柴山正巳 ,  渡边宏之 ,  山下真一

IPC: H01J40/06 ,  H01J43/24 ,  H01J9/12 ,  H01J1/34

Abstract: 一种光电阴极，包括：基板；光电转换层，其设置在所述基板上，与光的入射相应地产生光电子；和基底层，其设置在所述基板与所述光电转换层之间，且包含铍，所述基底层具有包含铍的氮化物的第1基底层。

公开(公告)号：CN101379582B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200780004067.0

申请日：2007-03-05

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 山下真一 ,  渡边宏之 ,  铃木秀明 ,  铃木健吾

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12 ,  H01J40/16

CPC classification number: H01J9/12 ,  H01J1/34 ,  H01J40/16

Abstract: 本发明涉及一种光电面，其改善了量子效率。本发明的光电面(10)具备，由石英玻璃或者硼硅酸玻璃构成的光透过性基板(12)、由氧化铪(HfO2)构成的中间层(14)、由锰和镁或者钛的氧化物构成的基底层(16)以及由碱金属和锑的化合物构成的光电子放出层(18)。由氧化铪构成的中间层阻止了包含于光电子放出层的碱金属向光透过性基板移动，从而有助于量子效率的改善。

公开(公告)号：CN101211730A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710305894.5

申请日：2007-12-28

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 渡瀬文雄 ,  山下真一 ,  渡边宏之

IPC: H01J1/34 ,  H01J40/06 ,  H01J40/16 ,  H01J40/04 ,  H01J43/06 ,  H01J43/28

CPC classification number: H01J1/34 ,  H01J1/35 ,  H01J43/00

Abstract: 本发明涉及具有与传统技术相比显著提高有效量子效率的结构的光电阴极、光电倍增管和电子管。光电阴极包括传送或阻碍入射光的支撑基板、设置在支撑基板上的含有碱金属的光电子发射层、和设置在支撑基板和光电子发射层之间的底层。特别地，底层含有氧化铍，并调节其厚度使得底层和光电子发射层的厚度比落入特定范围内。该结构使得人们可以获得量子效率显著提高的光电阴极。