公开(公告)号：CN113454750B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN201980092544.6

申请日：2019-11-22

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 浜名康全 ,  渡边宏之 ,  嶋野贤志 ,  西泽宽仁

IPC: H01J37/244 ,  H01J9/22 ,  H01J1/70 ,  H01J29/28

Abstract: 荧光体面板的制造方法包括：在出射窗上形成具有多个荧光体颗粒的荧光体层的工序；在荧光体层上形成有机膜的工序；在有机膜上形成金属反射膜的工序；通过烧成除去有机膜的工序；以及通过原子层沉积法形成一体地覆盖金属反射膜的表面和荧光体颗粒的表面的氧化物膜的工序。

公开(公告)号：CN107924807B

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201680050641.5

申请日：2016-08-09

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 永田贵章 ,  浜名康全 ,  西村一 ,  中村公嗣

IPC: H01J43/24 ,  H01J9/12

Abstract: 一种微通道板(10)，其具备：基体(11)，其具有输入面(11a)及输出面(11b)；多个通道(12)，其从基体的输入面贯通至输出面；电子发射膜(14)，其设置于通道的内壁面(12a)；保护膜(15)，其设置于电子发射膜上；输入电极(16)及输出电极(17)，其分别设置于基体的输入面上及输出面上。电子发射膜由Al2O3形成。保护膜由SiO2形成。电子发射膜的厚度比保护膜的厚度厚。

公开(公告)号：CN103887126A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410085728.9

申请日：2008-11-07

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 松井利和 ,  浜名康全 ,  中村公嗣 ,  石上喜浩 ,  小栗大二郎

IPC: H01J1/34 ,  H01J40/06 ,  H01J31/26

CPC classification number: H01J40/06 ,  H01J1/34 ,  H01J31/26

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol%以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。

公开(公告)号：CN110678957B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201880035055.2

申请日：2018-04-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 增子太地 ,  浜名康全 ,  西村一 ,  渡边宏之

IPC: H01J43/24

Abstract: 本实施方式涉及具有用于在更广的温度范围抑制电阻值变动且使该电阻值变动稳定的构造的电子倍增体。该电子倍增体中，被基板和由绝缘材料构成的二次电子放出层夹着的电阻层由单一的金属层构成，该单一的金属层是由其电阻值具有正的温度特性的金属材料构成的多个金属块以隔着该第一绝缘材料的一部分彼此相邻的状态，在与该基板的通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地配置而成的单一的金属层。

公开(公告)号：CN110366767B

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN201880014730.3

申请日：2018-01-23

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 永田贵章 ,  浜名康全 ,  西村一 ,  增子太地

IPC: H01J43/24

Abstract: 一种微通道板，其具备：具有正面、背面和侧面的基体；从基体的正面贯通至背面的多个通道；至少在通道的内壁面上设置的第一膜；在第一膜上的至少一部分设置的第二膜；和在基体的正面上和背面上分别设置的电极层。第一膜由MgO形成，第二膜由SiO2形成，第二膜的厚度比第一膜的厚度薄。

公开(公告)号：CN110678956A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880035027.0

申请日：2018-04-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 增子太地 ,  西村一 ,  浜名康全 ,  渡边宏之

IPC: H01J43/24

Abstract: 本实施方式涉及具有用于在更广的温度范围抑制电阻值变动且使该电阻值变动稳定的构造的电子倍增体。该电子倍增体中，被基板与由绝缘材料构成的二次电子放出层夹着的电阻层包含金属层，该金属层是由其电阻值具有正的温度特性的金属材料构成的多个金属块以隔着该第一绝缘材料的一部分彼此相邻的状态，在与该基板的通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地配置的金属层，并且该金属层的厚度被设定为5～40埃。

公开(公告)号：CN110678955A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880035018.1

申请日：2018-04-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 增子太地 ,  西村一 ,  浜名康全 ,  渡边宏之

IPC: H01J43/24

Abstract: 本实施方式涉及具有用于在更广的温度范围抑制电阻值变动且使该电阻值变动稳定的构造的电子倍增体。该电子倍增体中，由在与该基板的通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地形成的Pt层来构成被基板和二次电子放出层夹着的电阻层，由此该电阻层实现以下范围内的温度特性：相对于温度20℃的电阻值，-60℃的电阻值为10倍以下且+60℃的电阻值为0.25倍以上。

公开(公告)号：CN104603909B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201380046330.8

申请日：2013-07-31

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 永田贵章 ,  浜名康全 ,  中村公嗣

IPC: H01J43/00

CPC classification number: H01J43/18 ,  H01J43/28

Abstract: 在本发明所涉及的电子管(1)中，相对于绝缘性基板(12)的基体(14)的保持面(12a)形成具有电绝缘层以及导电层的层叠结构的电阻膜(15)。该电阻膜(15)通过使用原子层沉积法从而成为具有所希望的电阻值的牢固而且致密的膜，并且能够抑制由绝缘性材料构成的基板(14)的带电。由此，就能够稳定地确保耐电压特性。

公开(公告)号：CN110678957A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880035055.2

申请日：2018-04-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 增子太地 ,  浜名康全 ,  西村一 ,  渡边宏之

IPC: H01J43/24

Abstract: 本实施方式涉及具有用于在更广的温度范围抑制电阻值变动且使该电阻值变动稳定的构造的电子倍增体。该电子倍增体中，被基板和由绝缘材料构成的二次电子放出层夹着的电阻层由单一的金属层构成，该单一的金属层是由其电阻值具有正的温度特性的金属材料构成的多个金属块以隔着该第一绝缘材料的一部分彼此相邻的状态，在与该基板的通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地配置而成的单一的金属层。

公开(公告)号：CN110366767A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201880014730.3

申请日：2018-01-23

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 永田贵章 ,  浜名康全 ,  西村一 ,  增子太地

IPC: H01J43/24

Abstract: 一种微通道板，其具备：具有正面、背面和侧面的基体；从基体的正面贯通至背面的多个通道；至少在通道的内壁面上设置的第一膜；在第一膜上的至少一部分设置的第二膜；和在基体的正面上和背面上分别设置的电极层。第一膜由MgO形成，第二膜由SiO2形成，第二膜的厚度比第一膜的厚度薄。