公开(公告)号：CN110678956B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201880035027.0

申请日：2018-04-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 增子太地 ,  西村一 ,  浜名康全 ,  渡边宏之

IPC: H01J43/24

Abstract: 本实施方式涉及具有用于在更广的温度范围抑制电阻值变动且使该电阻值变动稳定的构造的电子倍增体。该电子倍增体中，被基板与由绝缘材料构成的二次电子放出层夹着的电阻层包含金属层，该金属层是由其电阻值具有正的温度特性的金属材料构成的多个金属块以隔着该第一绝缘材料的一部分彼此相邻的状态，在与该基板的通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地配置的金属层，并且该金属层的厚度被设定为5～40埃。

公开(公告)号：CN110678955B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201880035018.1

申请日：2018-04-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 增子太地 ,  西村一 ,  浜名康全 ,  渡边宏之

IPC: H01J43/24

Abstract: 本实施方式涉及具有用于在更广的温度范围抑制电阻值变动且使该电阻值变动稳定的构造的电子倍增体。该电子倍增体中，由在与该基板的通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地形成的Pt层来构成被基板和二次电子放出层夹着的电阻层，由此该电阻层实现以下范围内的温度特性：相对于温度20℃的电阻值，‑60℃的电阻值为10倍以下且+60℃的电阻值为0.25倍以上。

公开(公告)号：CN101211730B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200710305894.5

申请日：2007-12-28

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 渡瀬文雄 ,  山下真一 ,  渡边宏之

IPC: H01J1/34 ,  H01J40/06 ,  H01J40/16 ,  H01J40/04 ,  H01J43/06 ,  H01J43/28

CPC classification number: H01J1/34 ,  H01J1/35 ,  H01J43/00

Abstract: 本发明涉及具有与传统技术相比显著提高有效量子效率的结构的光电阴极、光电倍增管和电子管。光电阴极包括传送或阻碍入射光的支撑基板、设置在支撑基板上的含有碱金属的光电子发射层、和设置在支撑基板和光电子发射层之间的底层。特别地，底层含有氧化铍，并调节其厚度使得底层和光电子发射层的厚度比落入特定范围内。该结构使得人们可以获得量子效率显著提高的光电阴极。

公开(公告)号：CN101379582A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200780004067.0

申请日：2007-03-05

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 山下真一 ,  渡边宏之 ,  铃木秀明 ,  铃木健吾

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12 ,  H01J40/16

CPC classification number: H01J9/12 ,  H01J1/34 ,  H01J40/16

Abstract: 本发明涉及一种光电面，其改善了量子效率。本发明的光电面(10)具备，由石英玻璃或者硼硅酸玻璃构成的光透过性基板(12)、由氧化铪(HfO2)构成的中间层(14)、由锰和镁或者钛的氧化物构成的基底层(16)以及由碱金属和锑的化合物构成的光电子放出层(18)。由氧化铪构成的中间层阻止了包含于光电子放出层的碱金属向光透过性基板移动，从而有助于量子效率的改善。

公开(公告)号：CN110678957A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880035055.2

申请日：2018-04-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 增子太地 ,  浜名康全 ,  西村一 ,  渡边宏之

IPC: H01J43/24

Abstract: 本实施方式涉及具有用于在更广的温度范围抑制电阻值变动且使该电阻值变动稳定的构造的电子倍增体。该电子倍增体中，被基板和由绝缘材料构成的二次电子放出层夹着的电阻层由单一的金属层构成，该单一的金属层是由其电阻值具有正的温度特性的金属材料构成的多个金属块以隔着该第一绝缘材料的一部分彼此相邻的状态，在与该基板的通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地配置而成的单一的金属层。

公开(公告)号：CN110678957B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201880035055.2

申请日：2018-04-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 增子太地 ,  浜名康全 ,  西村一 ,  渡边宏之

IPC: H01J43/24

Abstract: 本实施方式涉及具有用于在更广的温度范围抑制电阻值变动且使该电阻值变动稳定的构造的电子倍增体。该电子倍增体中，被基板和由绝缘材料构成的二次电子放出层夹着的电阻层由单一的金属层构成，该单一的金属层是由其电阻值具有正的温度特性的金属材料构成的多个金属块以隔着该第一绝缘材料的一部分彼此相邻的状态，在与该基板的通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地配置而成的单一的金属层。

公开(公告)号：CN114026668A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202080046222.0

申请日：2020-05-12

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 河合辉典 ,  鸟居良崇 ,  柴山正巳 ,  渡边宏之 ,  山下真一

IPC: H01J40/06 ,  H01J43/24 ,  H01J9/12 ,  H01J1/34

Abstract: 一种光电阴极，包括：基板；光电转换层，其设置在所述基板上，与光的入射相应地产生光电子；和基底层，其设置在所述基板与所述光电转换层之间，且包含铍，所述基底层具有包含铍的氮化物的第1基底层。

公开(公告)号：CN110678956A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880035027.0

申请日：2018-04-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 增子太地 ,  西村一 ,  浜名康全 ,  渡边宏之

IPC: H01J43/24

Abstract: 本实施方式涉及具有用于在更广的温度范围抑制电阻值变动且使该电阻值变动稳定的构造的电子倍增体。该电子倍增体中，被基板与由绝缘材料构成的二次电子放出层夹着的电阻层包含金属层，该金属层是由其电阻值具有正的温度特性的金属材料构成的多个金属块以隔着该第一绝缘材料的一部分彼此相邻的状态，在与该基板的通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地配置的金属层，并且该金属层的厚度被设定为5～40埃。

公开(公告)号：CN110678955A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880035018.1

申请日：2018-04-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 增子太地 ,  西村一 ,  浜名康全 ,  渡边宏之

IPC: H01J43/24

Abstract: 本实施方式涉及具有用于在更广的温度范围抑制电阻值变动且使该电阻值变动稳定的构造的电子倍增体。该电子倍增体中，由在与该基板的通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地形成的Pt层来构成被基板和二次电子放出层夹着的电阻层，由此该电阻层实现以下范围内的温度特性：相对于温度20℃的电阻值，-60℃的电阻值为10倍以下且+60℃的电阻值为0.25倍以上。

公开(公告)号：CN101859672A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010157693.7

申请日：2010-04-02

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 山下真一 ,  渡边宏之 ,  小宫山广志

IPC: H01J1/34 ,  H01J29/38 ,  H01J40/06

CPC classification number: H01J1/34 ,  H01J31/50 ,  H01J31/506 ,  H01J40/06

Abstract: 本发明涉及光电阴极、电子管以及光电倍增管。在光电阴极(1A，1B)中，由含有La2O3的结晶性材料形成的基底层(200)被设置于支撑基板(100A，100B)与光电子放出层(300)之间并接触于光电子放出层(300)。由此，在例如光电阴极(1A，1B)的制造工序中的热处理时，可以抑制包含于光电子放出层(300)的碱金属向支撑基板(100A，100B)侧的扩散。此外，推测该基底层(200)的功能为使在光电子放出层(300)产生的光电子e-中朝向支撑基板(100A，100B)侧的光电子的行进方向反转为其相反侧。