公开(公告)号：CN1774810A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200480010259.9

申请日：2004-04-14

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 小林宏也 ,  赤堀宽 ,  村松雅治

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14812 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体基板(1)的表面侧形成CCD部(3)。其次，对半导体基板(1)的背面侧的对应于CCD部(3)的区域进行薄化处理，保留该区域的周边区域(1a)，在半导体基板(1)的背面侧形成蓄积层(5)。其次，在半导体基板(1)的表面侧的对应于周边区域(1a)的区域(1b)上，形成与CCD部(3)电气连接的电气配线(7)、以及电气连接在该电气配线(7)上的电极焊接区(9)，将支撑基板(11)粘接在半导体基板(1)的表面侧上，使电极焊接区(9)露出，同时覆盖CCD部(3)。其次，在半导体基板(1)被薄化处理的部分将半导体基板(1)以及支撑基板(11)切断，保留对应于形成有电气配线(7)以及电极焊接区(9)的区域(1b)的周边区域(1a)。

公开(公告)号：CN1422441A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN01807540.1

申请日：2001-03-28

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 米田康人 ,  赤堀宽 ,  村松雅治

IPC: H01L27/142 ,  H04N5/32

CPC classification number: H01L31/103 ,  H01L27/14663

Abstract: 光电二极管阵列(1)包括P+扩散层(4、5)和N+沟道阻挡层(6、7)以及N+扩散层(8)。P+扩散层(4、5)和N+沟道阻挡层(6、7)设置在半导体衬底(3)的背面一侧。N+沟道阻挡层(6)设置在相邻的P+扩散层(4、5)之间，具有网格状以隔离P+扩散层(4、5)。N+沟道阻挡层(7)在P+扩散层阵列的外侧与N+沟道阻挡层(6)接连起来被设置成框状。N+沟道阻挡层(7)的宽度被作成为比N+沟道阻挡层(6)的宽度宽。闪烁体光学性地连接到半导体衬底(3)的入射面上。