光助电化学刻蚀装置
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101503817A

    公开(公告)日:2009-08-12

    申请号:CN200910105069.X

    申请日:2009-01-15

    Applicant: 深圳大学

    Abstract: 本发明公开了一种光助电化学刻蚀装置,包括装有反应溶液的反应槽、耐酸泵、与直流电源相连的网孔阴极和环形阳极、红外截止滤光片,以及与硅片位置相对应的卤素灯阵列,该装置在反应槽外套装一个底部开有透光窗的降温槽,在降温槽内通入冷却液,隔断因卤素灯阵列照射而产生的热量向反应槽内传导。同时,在耐酸泵输出管的输出端连接有对硅片上方反应溶液进行循环的花洒式冲刷机构。本发明提供一种保持反应溶液温度基本恒定、避免硅片上气泡堆积的光助电化学刻蚀装置,适用于对大面积硅片实施长时间的稳定深刻蚀。

    一种光电子信息加密编码方法

    公开(公告)号:CN1835047A

    公开(公告)日:2006-09-20

    申请号:CN200510054975.3

    申请日:2005-03-18

    Applicant: 深圳大学

    Abstract: 本发明涉及一种光电子信息加密编码方法。其特征是将图形、图像、文档、文件及其压缩文件等利用同一进制或不同进制进行编码,编码用不同颜色或不同灰度像素组成的一幅图像或图像组表示,新得到图像组是一个加密文件,组成它的像素即为信息元。上述加密方法根据对灰度及颜色的定义来表示保密信息数据。本发明突破了传统编码的观念与局限,在光电子文件加密传输过程等领域中具有广泛的应用前景。

    硅衬底上Ⅲ族氮化物半导体外延生长技术

    公开(公告)号:CN1725445A

    公开(公告)日:2006-01-25

    申请号:CN200410054828.1

    申请日:2004-07-23

    Applicant: 深圳大学

    Abstract: 一种硅单晶衬底上生长III族氮化物半导体单晶材料的新技术,该技术在外延生长III族氮化物半导体材料前须先生长两层缓冲层和一渐变层,缓冲层2是SiO2薄膜,缓冲层3为AlN薄膜;渐变层4为高温生长的偏离化学计量比的富GaGaN。双缓冲层和渐变层结构将减少硅单晶衬底和III族氮化物半导体材料因热膨胀系数相差太大造成III族氮化物半导体单晶材料的龟裂,和因晶格失配而产生的高缺陷密度;从而提高III族氮化物半导体材料的晶体质量,改善外延III族氮化物半导体材料的光电特性。

    基于虚拟光学和公钥基础设施实现信息安全的方法

    公开(公告)号:CN1595865A

    公开(公告)日:2005-03-16

    申请号:CN200410019971.7

    申请日:2004-07-13

    Applicant: 深圳大学

    Inventor: 彭翔 张鹏 牛憨笨

    Abstract: 本发明公开了一种基于虚拟光学和公钥基础设施实现信息安全的方法,属于光学信息安全领域。该方法过程包括由虚拟光学数据加密技术、公开密钥密码技术、数字证书、认证中心的安全系统组成,是一种可以验证持有密钥用户身份的综合系统。发送方的多维数据加密密钥可在公开密钥加密的保护下,安全的送至接收方。本发明有效地解决了国际上困扰光学信息安全系统走上实用化的主要障碍之一,即光学加密系统中对称加密密钥的分配和传输问题。本发明的优点在于:物理背景清晰、数据加密过程自由度大、安全级别高,可广泛应用于光学信息安全领域,推广前景极为广阔。

    基于虚拟光学的三维数字水印嵌入/检测方法及装置

    公开(公告)号:CN1487421A

    公开(公告)日:2004-04-07

    申请号:CN03130553.9

    申请日:2003-08-11

    Applicant: 深圳大学

    Inventor: 彭翔 张鹏 牛憨笨

    Abstract: 本发明公开了一种基于虚拟光学的三维数字水印嵌入/检测方法及装置,属于模式识别领域。该方法使用并行硬件和算法的电子装置及软件,仿真虚拟光学成像过程将数字水印信息加入到静止图像、音频或视频数据中。在水印嵌入过程中,将虚拟光路的几何结构参数作为密钥,从而设计出了多重“密钥”。在水印检测过程中,通过使用多重解密密钥,不依赖原始数据即可从含水印的信息中提取出数字水印。水印可以是文本、数字、签名或管理机构的标识等数字文档。采用的装置包括由通用PC机和数字信号处理器、可编程专用集成电路构成的主从式系统,或脱离PC机单独运行的嵌入式系统。本发明的优点在于:鲁棒性强、安全性高、灵活性高、适应性强等特点。

    一种超高速快门半导体影像传感器

    公开(公告)号:CN110634902A

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201910969649.7

    申请日:2016-06-13

    Applicant: 深圳大学

    Inventor: 张帆 牛憨笨

    Abstract: 本发明公开了一种半导体影像传感器,其像素单元电路包括光电二极管、信号存储电容、曝光开始控制晶体管、曝光结束控制晶体管、复位晶体管、读出缓冲晶体管与读出选择晶体管;信号存储电容的一端连接光电二极管的正极或负极、曝光开始控制晶体管的漏极、复位晶体管的漏极或源极,另一端连接曝光结束控制晶体管的漏极以及读出缓冲晶体管的栅极。在本发明中,结合采用遮光层及环状遮光结构对晶体管,尤其是曝光结束控制晶体管进行充分遮光,在使用0.5微米CMOS混合信号工艺实施本发明时,其最短快门选通时间仅75皮秒,对405纳米可见光的残留感光低至八千万分之一,具有超高速快门和低残留感光的特性。

    单个荧光探针的定位方法、装置及超分辨成像方法、系统

    公开(公告)号:CN102288589B

    公开(公告)日:2013-05-08

    申请号:CN201110171648.1

    申请日:2011-06-23

    Applicant: 深圳大学

    Abstract: 本发明适用于显微成像领域,提供了一种单个荧光探针的定位方法、装置及超分辨成像方法、系统,该定位方法包括下述步骤:以单个荧光探针的荧光图像的极大值点为中心,选取一矩形区域;对矩形区域内的荧光图像进行傅里叶变换,获得所述荧光图像的傅里叶频谱;获得荧光图像的傅里叶频谱的相移;对相移进行梯度运算,获得单个荧光探针的二维位置坐标。该定位方法是一种噪声自由的频率域非迭代的定位方法,对运算初始值的选取及噪声的评估没有依赖性,可实现快速、精确定位。基于该定位方法的超分辨荧光显微成像方法可以对探测物品中的多个荧光探针进行快速定位。该定位方法及成像方法在活体细胞三维纳米成像和单分子追踪等方面具有广阔的应用前景。

    大景深三维纳米分辨成像方法、光学组件及成像系统

    公开(公告)号:CN102980875A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201210467807.7

    申请日:2012-11-19

    Applicant: 深圳大学

    Abstract: 本发明适用于显微成像技术领域,提供了一种大景深三维纳米分辨成像方法,包括下述步骤:创建具有双螺旋点扩散函数和离焦光栅多阶成像性质的光学模块;通过光学模块对待测分子进行成像,获得双螺旋图像;通过双螺旋图像中双螺旋旁瓣的中点的位置确定待测分子的横向位置;通过双螺旋图像中双螺旋旁瓣的中心连线的旋转角度及双螺旋旁瓣的中点位置确定待测分子的轴向位置。本发明将双螺旋点扩散函数及离焦光栅多阶成像的双重效应相结合,既扩大了景深,又提高了分辨率,该方法可用于完整细胞内任意深度亚细胞的动态范围成像,可获得多个运动分子的动态功能图像,对于在更高水平上认识亚细胞结构与细胞功能变化的关系和规律具有重要意义。

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