公开(公告)号：CN114062885A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202210048574.0

申请日：2022-01-17

Applicant: 清华大学

Inventor： 吴锦鹏 ,  曾嵘 ,  刘佳鹏 ,  尚再轩 ,  赵彪 ,  余占清 ,  周文鹏

IPC: G01R31/26 ,  G01J5/48

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件热分布的测试装置，包括：外部测试回路、压接组件和红外热像仪；所述外部测试回路与压接组件电性连接；所述红外热像仪通过支架设置在压接组件上方；所述外部测试回路，用于进行阻断耐压测试、浪涌测试和关断瞬态测试；所述压接组件，用于为半导体器件提供压力，使半导体器件与外部测试回路电性连接；所述红外热像仪，用于观测半导体器件内部的红外信息。本发明的测试装置为非接触式测量。在阻断耐压、浪涌的工况下，该测试装置可用于半导体器件的筛选以及故障原因分析。对于瞬态的半导体器件开关过程，该测试装置可以反映半导体器件内部电流的瞬态过程，可以用于研究半导体器件的内部物理过程和物理机理。

公开(公告)号：CN112067877B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202010783194.2

申请日：2020-08-06

Applicant: 清华大学

Inventor： 赵彪 ,  周文鹏 ,  曾嵘 ,  余占清 ,  陈政宇 ,  刘佳鹏

IPC: G01R19/00 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明公开了一种用于测试门极电流的功率半导体器件，包括功率半导体芯片和管壳，所述功率半导体芯片包括多个第一绝缘层和多个子门极环形电极，所述第一绝缘层将功率半导体芯片的门极公共金属区分割为多个子门极公共金属区，所述多个子门极公共金属区分别与多个子门极环形电极一一对应连接；所述管壳包括多个子门极接触环和多个子绝缘座内金属环，并均与所述多个子门极环形电极一一对应设置；所述管壳门极槽外侧的阴极铜块上设置有多个方形槽，所述多个方形槽中均设置有门极引出条，以分别引出相应子门极环形电极上的门极电流。上述功率半导体器件能够有效地引出对功率半导体芯片内部不同阴极条形区域的门极电流，从而达到测量的目的。

公开(公告)号：CN109545597B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201811436300.9

申请日：2018-11-28

Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 ,  清华大学

Inventor： 肖祥 ,  屈鲁 ,  黄松波 ,  曾嵘 ,  余占清 ,  刘佳鹏 ,  周文鹏 ,  赵伟 ,  曾杰

IPC: H01H9/52 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明涉及一种固态开关的散热装置，包括基座盒、安装在基座盒上的散热组件和降温装置，多个位于所述基座盒内的电力电子阀相互水平串行连接，所述散热组件包括安装在基座盒侧边的环路热管和多个套设在环路热管上的散热片，所述降温装置包括设置在散热组件侧边的风道；本发明的散热装置能够快速导热和散发热量，解决了固态开关的散热问题。

公开(公告)号：CN111736058A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010557687.4

申请日：2020-06-18

Applicant: 清华大学

Inventor： 余占清 ,  刘佳鹏 ,  曾嵘 ,  陈政宇 ,  任春频 ,  赵彪

IPC: G01R31/28

Abstract: 本发明公开了一种适用于芯片测试系统的测试平台，包括：承片台，其上设置待测试芯片；至少一测试座，装设于所述承片台上；转接板，电性连接于所述测试座及测试电路；其中，所述待测芯片根据驱动信号进行动作后，所述测试座通过探针或键合线电性连接于所述待测芯片，所述测试电路通过所述转接板采集测量所述待测芯片的电性能参数。

公开(公告)号：CN111524861A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010129802.8

申请日：2020-02-28

Applicant: 清华大学

Inventor： 曾嵘 ,  周文鹏 ,  刘佳鹏 ,  陈政宇 ,  赵彪 ,  余占清

IPC: H01L23/04 ,  H01L23/043 ,  H01L23/10 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件管壳，由阳极管壳、阴极管壳以及绝缘环形成放置半导体芯片的空腔，其中，所述阳极管壳通过阳极接触片与半导体芯片的阳极接触，所述阴极管壳通过阴极接触片与半导体芯片的阴极接触，所述阴极管壳包括阴极底座与多个阴极通流环；所述阴极底座与多个阴极通流环相嵌合，且所述阴极底座与多个阴极通流环相嵌合的一侧表面上间隔设置有多个第一沟槽，所述第一沟槽用于放置电流线圈。通过设置阴极管壳的结构，在其内部布置电流线圈孔道，同时将电流线圈从阴极管壳内部引出，实现对半导体芯片不同区域的阴极电流进行测量。

公开(公告)号：CN109709423B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201811615509.1

申请日：2018-12-27

Applicant: 清华大学

Inventor： 曾嵘 ,  刘佳鹏 ,  周文鹏 ,  赵彪 ,  余占清 ,  陈政宇

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明公开了一种电气器件换流回路杂散参数的测量方法，所述换流回路包括依次串联连接的电气器件中的功率半导体元件、第n个阴极环对应的管壳、驱动板、门极驱动线路、开关元件、以及电容器；在电气器件换流过程中，基于所述换流回路中的电气参数和/或电气参数关系，采用拟合法得到第n个阴极环对应管壳、电容器以及门极驱动线路的杂散电阻与杂散电感。该测量方法实现了对于换流回路各部分杂散参数的分离，便于电气器件后续的分析与改进。

公开(公告)号：CN110912380A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201811084264.4

申请日：2018-09-17

Applicant: 国网浙江省电力公司 ,  清华大学

Inventor： 余占清 ,  曾嵘 ,  周文鹏 ,  屈鲁 ,  庄池杰 ,  赵彪 ,  刘佳鹏 ,  许超群

IPC: H02M1/06 ,  H03K17/56

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体元件开通关断损耗的平衡方法，所述方法包括，在功率半导体元件开通或关断时，降低开通或关断动态过程中的动态电流与电压积分。该方法通过降低功率半导体元件开通关断过程中的动态电流以及电压的积分，从而实现改善开通瞬态损耗以及关断瞬态损耗，增加了功率半导体元件使用的可靠性与安全性。

公开(公告)号：CN110767637A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201810829497.6

申请日：2018-07-25

Applicant: 清华大学

Inventor： 陈政宇 ,  曾嵘 ,  赵彪 ,  余占清 ,  刘佳鹏 ,  周文鹏

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48

Abstract: 一种应用于压接型MOSFET的压装结构，包括第一铜块，弹性结构，压接型MOSFET，电路板和第二铜块。其中，多个压接型MOSFET能够形成并联阵列，排布成环形或矩阵型。所述压装结构的结构简单、紧凑，通流能力和散热能力增强，拓宽了适用范围。

公开(公告)号：CN109979998A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811616848.1

申请日：2018-12-27

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘佳鹏 ,  曾嵘 ,  周文鹏 ,  赵彪 ,  余占清 ,  陈政宇

IPC: H01L29/744 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种具备高电流冲击(dI/dt)耐受能力的集成门极换流晶闸管器件，包括门极换流晶闸管芯片单元及门极驱动单元，所述集成门极换流晶闸管器件还具有以下一种或多种：触发电流提升至10A的门极驱动单元、内部载流子寿命>100us的门极换流晶闸管芯片、阴极电流密度在芯片各区域近似相等的门极接触环阴极面结构、横向尺寸缩短至200um以内的单个门极换流晶闸管单元。本发明的集成门极换流晶闸管器件在高电流冲击的状况下能够充分导通而不损坏，有效降低系统应用中用于限制电流上升速率的阳极电抗，减小外部模块体积，提升了在应用中的便捷性。

公开(公告)号：CN109600032A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811448944.X

申请日：2018-11-28

Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 ,  清华大学

Inventor： 肖祥 ,  屈鲁 ,  黄松波 ,  曾嵘 ,  余占清 ,  刘佳鹏 ,  周文鹏 ,  赵伟 ,  曾杰

IPC: H02M1/34

Abstract: 本发明提供了一种用于固态开关的缓冲吸收电路，所述电路包括：缓冲支路和能量吸收支路，所述缓冲支路与所述能量吸收支路并联，且所述缓冲支路与所述能量吸收支路分别与固态开关并联，其中，所述缓冲支路包括缓冲电阻和缓冲电容，所述缓冲电阻和缓冲电容串联；所述能量吸收支路包括避雷器，所述能量吸收支路用于隔离电路故障以及吸收电路故障产生的能量。相比于现有技术，所述缓冲吸收电路降低了制造成本，避免了二极管等器件的选型困难，为固态开关安全运行提供切实可靠地保障。