一种开关器件的过压保护装置及系统

    公开(公告)号:CN119727682A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202510238113.3

    申请日:2025-03-03

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本公开提出一种开关器件的过压保护装置及系统,属于电力电子变换器技术领域,其中,被动过压触发电路、开关器件驱动电路;被动过压触发电路包括:被动过压电源电路、被动触发电流整形电路和反馈信号生成电路;开关器件驱动电路包括:触发逻辑处理模块、主动触发电路和关断模块;基于上述技术方案能够易于与现有开关器件‑MMC拓扑及开关器件驱动进行结合,且主动‑被动过压触发配合结构互为补充备份,误触发可能性极低,提升了可靠性;且在驱动失电或部分故障的情况下仍能有效执行过压保护动作,在可靠性要求较高的MMC换流站工程应用中具有较高的应用价值。

    集成门极换流晶闸管换流器窄脉冲处理方法

    公开(公告)号:CN113131925B

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202110389591.6

    申请日:2021-04-12

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供一种集成门极换流晶闸管换流器窄脉冲处理方法,所述窄脉冲处理方法至少包括下面步骤之一:(1)阀控级保护;(2)就地板级保护。本发明的集成门极换流晶闸管换流器窄脉冲处理方法采用阀控级保护,由于在桥臂控制时考虑了因窄脉冲保护而被屏蔽的模块,桥臂输出电压不会失真,电压谐波少,桥臂环流低,有利于换流器控制;采用就地板级保护,不需对阀控程序进行更改,实施便利;对闭锁、功率升降等特殊过程的保护较好。

    具备高电流冲击耐受能力的集成门极换流晶闸管器件

    公开(公告)号:CN109979998B

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN201811616848.1

    申请日:2018-12-27

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供一种具备高电流冲击(dI/dt)耐受能力的集成门极换流晶闸管器件,包括门极换流晶闸管芯片单元及门极驱动单元,所述集成门极换流晶闸管器件还具有以下一种或多种:触发电流提升至10A的门极驱动单元、内部载流子寿命>100us的门极换流晶闸管芯片、阴极电流密度在芯片各区域近似相等的门极接触环阴极面结构、横向尺寸缩短至200um以内的单个门极换流晶闸管单元。本发明的集成门极换流晶闸管器件在高电流冲击的状况下能够充分导通而不损坏,有效降低系统应用中用于限制电流上升速率的阳极电抗,减小外部模块体积,提升了在应用中的便捷性。

    被测器件的擎住电流和维持电流的测试平台、方法及系统

    公开(公告)号:CN117192316A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202310981386.8

    申请日:2023-08-04

    Abstract: 本公开实施例涉及电力电子器件测试技术领域,公开了被测器件的擎住电流和维持电流的测试平台、方法及系统,所述方法包括:设定测试电压信号IDUT*;测量被测器件DUT的电压信号IDUT;对所述测试电压信号IDUT*与电压信号IDUT进行处理;对处理后的测试电压信号IDUT*与电压信号IDUT进行比较,形成比较结果;根据所述比较结果生成控制开关管结构Q1‑D3、开关管结构Q2‑D4和被测器件DUT开通/关断的触发信号;根据所述触发信号控制开关管结构Q1‑D3、开关管结构Q2‑D4和被测器件DUT开通/关断,实现维持电流和擎住电流的测试。本公开的示例性实施例,解决了不易对IGCT器件的维持电流、擎住电流进行测量问题,满足了IGCT器件型式试验的需求。

    一种可关断晶闸管驱动电路及控制方法

    公开(公告)号:CN114726357A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202210532903.9

    申请日:2022-05-17

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供一种可关断晶闸管驱动电路及控制方法,驱动电路包括驱动电源模块、关断电路以及开通电路4;驱动电源模块分别和关断电路以及开通电路4电性连接,实现驱动电源模块分别向关断电路以及开通电路4直接充电;关断电路与开通电路4电性连接,实现关断电路向开通电路4间接充电,从而可以实现关断电路以及开通电路4独立上电,满足驱动上电时的快速解锁需求。并且在可关断晶闸管驱动电路的上电瞬态过程中对电路模块上电时序进行控制,实现在特殊应用场合下开通模块可先于关断模块上电,当开通模块完成上电时即可具备开通能力,可关断晶闸管器件即可解锁运行,极大缩短了器件上电期间闭锁的时间。

    一种用于半导体电流密度分析的磁场反演电流计算方法

    公开(公告)号:CN112858862B

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN202110016867.6

    申请日:2021-01-07

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供一种用于半导体电流密度分析的磁场反演电流计算方法,包括如下步骤:通过磁场测定装置测定被测半导体同平面近处指定同心圆位置的切向磁场,得到切向磁场测定集合;计算被测半导体同平面近处所述指定同心圆位置的叠加磁场,得到切向磁场计算集合;根据所述切向磁场测定集合与所述切向磁场计算集合构建适应值函数;基于所述适应值函数进行半导体电流的启发式搜索计算。解决现有大功率压接式半导体器件通常为圆饼状或者方形封装的密封结构,受限于这种密封结构,难以探测到内部的电流密度分布情况的问题。

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