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公开(公告)号：CN119727682A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510238113.3
申请日：2025-03-03
Applicant: 清华大学
IPC: H03K17/0812 , H02H7/12 , H02M1/06
Abstract: 本公开提出一种开关器件的过压保护装置及系统，属于电力电子变换器技术领域，其中，被动过压触发电路、开关器件驱动电路；被动过压触发电路包括：被动过压电源电路、被动触发电流整形电路和反馈信号生成电路；开关器件驱动电路包括：触发逻辑处理模块、主动触发电路和关断模块；基于上述技术方案能够易于与现有开关器件‑MMC拓扑及开关器件驱动进行结合，且主动‑被动过压触发配合结构互为补充备份，误触发可能性极低，提升了可靠性；且在驱动失电或部分故障的情况下仍能有效执行过压保护动作，在可靠性要求较高的MMC换流站工程应用中具有较高的应用价值。
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公开(公告)号：CN109979998B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201811616848.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/744 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种具备高电流冲击(dI/dt)耐受能力的集成门极换流晶闸管器件，包括门极换流晶闸管芯片单元及门极驱动单元，所述集成门极换流晶闸管器件还具有以下一种或多种：触发电流提升至10A的门极驱动单元、内部载流子寿命>100us的门极换流晶闸管芯片、阴极电流密度在芯片各区域近似相等的门极接触环阴极面结构、横向尺寸缩短至200um以内的单个门极换流晶闸管单元。本发明的集成门极换流晶闸管器件在高电流冲击的状况下能够充分导通而不损坏，有效降低系统应用中用于限制电流上升速率的阳极电抗，减小外部模块体积，提升了在应用中的便捷性。
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公开(公告)号：CN117192316A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310981386.8
申请日：2023-08-04
Applicant: 清华大学 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本公开实施例涉及电力电子器件测试技术领域，公开了被测器件的擎住电流和维持电流的测试平台、方法及系统，所述方法包括：设定测试电压信号IDUT*；测量被测器件DUT的电压信号IDUT；对所述测试电压信号IDUT*与电压信号IDUT进行处理；对处理后的测试电压信号IDUT*与电压信号IDUT进行比较，形成比较结果；根据所述比较结果生成控制开关管结构Q1‑D3、开关管结构Q2‑D4和被测器件DUT开通/关断的触发信号；根据所述触发信号控制开关管结构Q1‑D3、开关管结构Q2‑D4和被测器件DUT开通/关断，实现维持电流和擎住电流的测试。本公开的示例性实施例，解决了不易对IGCT器件的维持电流、擎住电流进行测量问题，满足了IGCT器件型式试验的需求。
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公开(公告)号：CN117040507A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310877551.5
申请日：2023-07-17
Applicant: 清华大学 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: H03K17/0812 , H03K17/732
Abstract: 本发明属于电力电子与信号测量技术领域，特别涉及一种提升发射极关断晶闸管浪涌能力的方法。所述方法包括：对电路中的电流信号进行采样；对采样数据进行计算；根据计算结果判断电涌是否超过承受能力；根据判断结果控制电路中各支路的流通情况，提升电路的浪涌电流能力。
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公开(公告)号：CN114062885B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210048574.0
申请日：2022-01-17
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件热分布的测试装置，包括：外部测试回路、压接组件和红外热像仪；所述外部测试回路与压接组件电性连接；所述红外热像仪通过支架设置在压接组件上方；所述外部测试回路，用于进行阻断耐压测试、浪涌测试和关断瞬态测试；所述压接组件，用于为半导体器件提供压力，使半导体器件与外部测试回路电性连接；所述红外热像仪，用于观测半导体器件内部的红外信息。本发明的测试装置为非接触式测量。在阻断耐压、浪涌的工况下，该测试装置可用于半导体器件的筛选以及故障原因分析。对于瞬态的半导体器件开关过程，该测试装置可以反映半导体器件内部电流的瞬态过程，可以用于研究半导体器件的内部物理过程和物理机理。
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公开(公告)号：CN114899098A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210358289.9
申请日：2022-04-07
Applicant: 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种半导体器件表面金属电极选择性去除的方法和装置，所述半导体器件表面金属电极选择性去除的方法包括：把电源（A），阳极探针（E）、阴极探针（D）、电解液（H）和半导体芯片（J）上的金属电极（I）搭建成电解回路。本发明原理简单，通过简单的电路结构即可实现，且成本低，无需采用刻蚀等需要贵重设备的去除手段；无需制作掩模版，广泛适用于对目标区域不同的半导体芯片批量进行表面金属去除；避免了多次光刻中光刻胶质量问题对半导体芯片上目标区域之外的部分产生影响。本发明提出的半导体器件表面金属电极选择性去除的装置可结合自动探针台等辅助机械装置，实现自动定位和去除，可操作性强，适用于批量生产。
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公开(公告)号：CN114726357A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210532903.9
申请日：2022-05-17
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种可关断晶闸管驱动电路及控制方法，驱动电路包括驱动电源模块、关断电路以及开通电路4；驱动电源模块分别和关断电路以及开通电路4电性连接，实现驱动电源模块分别向关断电路以及开通电路4直接充电；关断电路与开通电路4电性连接，实现关断电路向开通电路4间接充电，从而可以实现关断电路以及开通电路4独立上电，满足驱动上电时的快速解锁需求。并且在可关断晶闸管驱动电路的上电瞬态过程中对电路模块上电时序进行控制，实现在特殊应用场合下开通模块可先于关断模块上电，当开通模块完成上电时即可具备开通能力，可关断晶闸管器件即可解锁运行，极大缩短了器件上电期间闭锁的时间。
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公开(公告)号：CN111900136B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202010712715.5
申请日：2020-07-22
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种具有分离式门极驱动的可关断晶闸管器件，包括：可关断晶闸管管壳及附属接口板、门极驱动板及连接结构；可关断晶闸管管壳与附属接口板之间采用低感集成式连接方式进行连接；门极驱动板包含驱动电路模块；通过所述连接结构将附属接口板及门极驱动板可拆卸连接，以实现可关断晶闸管管壳与门极驱动板之间的分离或组合。
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公开(公告)号：CN111524861B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202010129802.8
申请日：2020-02-28
Applicant: 清华大学
IPC: H01L23/04 , H01L23/043 , H01L23/10 , G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件管壳，由阳极管壳、阴极管壳以及绝缘环形成放置半导体芯片的空腔，其中，所述阳极管壳通过阳极接触片与半导体芯片的阳极接触，所述阴极管壳通过阴极接触片与半导体芯片的阴极接触，所述阴极管壳包括阴极底座与多个阴极通流环；所述阴极底座与多个阴极通流环相嵌合，且所述阴极底座与多个阴极通流环相嵌合的一侧表面上间隔设置有多个第一沟槽，所述第一沟槽用于放置电流线圈。通过设置阴极管壳的结构，在其内部布置电流线圈孔道，同时将电流线圈从阴极管壳内部引出，实现对半导体芯片不同区域的阴极电流进行测量。
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