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公开(公告)号：CN114646996A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202011497817.6
申请日：2020-12-17
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G01T1/29
Abstract: 本发明提供一种电子束检测装置，包括：一多孔碳材料层，所述多孔碳材料层具有一通孔，该多孔碳材料层由多个碳材料颗粒组成，该多个碳材料颗粒之间存在纳米级或微米级间隙，且该通孔的横截面积小于等于待测电子束的横截面积；一法拉第杯，该法拉第杯设置于所述多孔碳材料层下面，该法拉第杯具有一开口，该开口与所述碳纳米管多孔层的通孔贯通设置；以及一图像显示器，该图像显示器与所述多孔碳材料层电连接，该图像显示器根据多孔碳材料层中产生的电荷多少形成颜色不同的图像，根据图像显示器中图像的颜色得到待测电子束的图像。本发明还提供一种电子束的检测方法。
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公开(公告)号：CN114646996B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202011497817.6
申请日：2020-12-17
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G01T1/29
Abstract: 本发明提供一种电子束检测装置，包括：一多孔碳材料层，所述多孔碳材料层具有一通孔，该多孔碳材料层由多个碳材料颗粒组成，该多个碳材料颗粒之间存在纳米级或微米级间隙，且该通孔的横截面积小于等于待测电子束的横截面积；一法拉第杯，该法拉第杯设置于所述多孔碳材料层下面，该法拉第杯具有一开口，该开口与所述碳纳米管多孔层的通孔贯通设置；以及一图像显示器，该图像显示器与所述多孔碳材料层电连接，该图像显示器根据多孔碳材料层中产生的电荷多少形成颜色不同的图像，根据图像显示器中图像的颜色得到待测电子束的图像。本发明还提供一种电子束的检测方法。
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公开(公告)号：CN114644336B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202011503855.8
申请日：2020-12-17
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: C01B32/16 , C01B32/168
Abstract: 一种电子黑体结构的制备方法，包括以下步骤：S1，提供一基底；S2：在所述基底上生长一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括一顶部及一底部，所述底部连接于基底；以及S3：反转所述碳纳米管阵列，使其顶部设置于基底上，底部远离所述基底，所述碳纳米管阵列的底部用于吸收电子。本发明进一步提供一种采用上述方法制备的电子黑体结构。
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公开(公告)号：CN114644335B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202011497833.5
申请日：2020-12-17
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: C01B32/15 , C01B32/158 , G01N23/2251
Abstract: 本发明提供一种电子黑体腔体，具有一内表面，一腔室以及一开口，该腔室由所述内表面合围形成，该开口用于使电子束进入到所述腔室内，该腔体的内表面设置有多孔碳材料层，该多孔碳材料层由多个碳材料颗粒组成，该多个碳材料颗粒之间存在纳米级或微米级的间隙，该多孔碳材料层为一电子黑体。本发明还提供一种采用上述电子黑体腔体的二次电子探测装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114646995A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202011497804.9
申请日：2020-12-17
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G01T1/29
Abstract: 本发明提供一种电子束检测装置，包括：一法拉第杯，该法拉第杯具有一开口；一多孔碳材料层，该多孔碳材料层设置在所述法拉第杯的表面且在所述开口处悬空设置，该多孔碳材料层悬空的长度大于等于待测电子束的最大直径；以及一电表，该电表与所述多孔碳材料层电连接，用于测试待测电子束和多孔碳材料层相对移动过程中多孔碳材料层中的电荷形成的电信号，并根据电信号随着待测电子束和多孔碳材料层相对移动的距离的变化，得到待测电子束的尺寸。本发明还提供一种采用上述电子束检测装置检测电子束的检测方法。
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公开(公告)号：CN114644336A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202011503855.8
申请日：2020-12-17
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: C01B32/16 , C01B32/168
Abstract: 一种电子黑体结构的制备方法，包括以下步骤：S1，提供一基底；S2：在所述基底上生长一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括一顶部及一底部，所述底部连接于基底；以及S3：反转所述碳纳米管阵列，使其顶部设置于基底上，底部远离所述基底，所述碳纳米管阵列的底部用于吸收电子。本发明进一步提供一种采用上述方法制备的电子黑体结构。
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公开(公告)号：CN103595658B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201310576764.0
申请日：2013-11-18
Applicant: 清华大学
IPC: H04L12/931 , H04L12/771
Abstract: 本发明提出一种无需闭环流控的可扩展定长多路径交换系统，包括：N个输入端口、N个解复用器、K个交叉点缓存交换单元、N个复用器和N个输出端口，其中，N为正整数。每个解复用器具有N个虚拟输出队列，N个虚拟输出队列分别存储去往N个输出端口的定长分片；K个交叉点缓存交换单元用于接收并缓存来自N个虚拟输出队列的去往N个输出端口的定长分片；N个复用器分别包括一个接收队列和N个重组队列，接收队列用于依次接收来自K个交叉点缓存交换单元的K个分片，N个重组队列用于重组K个分片，以生成数据包。本发明的实施例具有较强的可扩展性，且无需采用复杂的闭环流控机制，消耗的硬件资源较少，因此成本较低。
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公开(公告)号：CN103595658A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310576764.0
申请日：2013-11-18
Applicant: 清华大学
IPC: H04L12/931 , H04L12/771
Abstract: 本发明提出一种无需闭环流控的可扩展定长多路径交换系统，包括：N个输入端口、N个解复用器、K个交叉点缓存交换单元、N个复用器和N个输出端口，其中，N为正整数。每个解复用器具有N个虚拟输出队列，N个虚拟输出队列分别存储去往N个输出端口的定长分片；K个交叉点缓存交换单元用于接收并缓存来自N个虚拟输出队列的去往N个输出端口的定长分片；N个复用器分别包括一个接收队列和N个重组队列，接收队列用于依次接收来自K个交叉点缓存交换单元的K个分片，N个重组队列用于重组K个分片，以生成数据包。本发明的实施例具有较强的可扩展性，且无需采用复杂的闭环流控机制，消耗的硬件资源较少，因此成本较低。
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公开(公告)号：CN103581054A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310528826.0
申请日：2013-10-30
Applicant: 清华大学
IPC: H04L12/861 , H04L12/863
Abstract: 本发明提出一种用于变长包交换的交换系统，包括：多个包处理模块，用于分别对数据包进行解析获得端口号和长度信息；多个交叉点队列，每个交叉点队列包括多个交叉点队列模块，用于分别根据端口号和长度信息将数据包存储到对应的交叉点队列模块中；队列长度计数模块，用于记录每个交叉点队列模块中的剩余容量信息；多个调度模块，调度模块根据各个交叉点队列模块中的数据包的长度信息、选择相应的交叉点队列模块并将其中的数据包输出至输出端口。根据本发明实施例的系统，通过端口号和长度信息将数据包进行存储，并由调度模块将该数据包输出到对应的端口，从而提高了数据的交换效率和数据吞吐量，同时该系统结构简单，实现方便具有较强的实用性。
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