一种4,7-二芳基噻吩并[2,3-d]哒嗪类铱配合物、其制备方法及应用

    公开(公告)号:CN119775321A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411950687.5

    申请日:2024-12-27

    Abstract: 本发明涉及发光材料的技术领域,具体涉及一种4,7‑二芳基噻吩并[2,3‑d]哒嗪类铱配合物、其制备方法及应用,本发明结构上设计并合成以噻吩并哒嗪为基本骨架的4,7‑二芳基噻吩并[2,3‑d]哒嗪类配体。在合成过程中,噻吩类双Weinreb酰胺的噻吩环上的S原子具有缺电子性,使得格式试剂只会定位取代在有S原子的一方(缺电子的一侧),进而生成定位取代的4,7‑二芳基噻吩并[2,3‑d]哒嗪类配体及其环金属铱配合物。用本发明的苯并噻吩并哒嗪类配体表现出强的共轭效应,其环金属铱配合物制成有机电致发光器件后,器件表现出优异的红光发射。

    一种二氧化钛纳米棒阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN113135591B

    公开(公告)日:2023-02-24

    申请号:CN202110316509.7

    申请日:2021-03-24

    Abstract: 本发明公开一种二氧化钛纳米棒阵列的制备方法,所述二氧化钛纳米棒阵列的制备方法包括以下步骤:提供一衬底;将聚乙烯吡咯烷酮溶解在1‑戊醇中,然后加入柠檬酸钠水溶液,混合形成透明的微乳液;将去离子水与浓盐酸混合搅拌后,向其中加入钛酸四丁酯,混合形成钛源前驱液;将所述微乳液和所述钛源前驱液混合,然后将所述衬底放入混合溶液中,然后在80~130℃的温度下反应5~30h,反应结束后取出所述衬底并清洗、烘干,得到生长于所述衬底表面的二氧化钛纳米棒阵列。本发明提供了一种反应条件温和的制备方法,大幅降低了常规水热法制备二氧化钛纳米棒阵列的反应温度,在80~130℃的反应温度下即可制备出结晶良好的二氧化钛纳米棒阵列。

    一种用于检测肼的比率型荧光探针体系、以及检测肼浓度的方法

    公开(公告)号:CN113624728A

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN202110754558.9

    申请日:2021-07-02

    Abstract: 本发明公开一种用于检测肼的比率型荧光探针体系、以及检测肼浓度的方法,涉及荧光探针技术领域。其中,所述比率型荧光探针包括二苯基蒽和含酯基的荧光素化合物。可根据所述比率型荧光探针在540nm和440nm处特征发射强度的比率值的变化,从而实现对待测溶液中肼的检测,且比率荧光值的变化与肼的浓度呈现出良好的线性关系,可实现对肼的准确定量分析;该比率型荧光探针的制备方法简单,成本较低,且检测灵敏度高,检出限低达100nM;该比率型荧光探针对肼具有超高的选择性,其他常见金属离子、阴离子及胺类化合物对其检测几乎无干扰;此外,两个特征发射峰的波长相差100nm,可有效地避免背景误差,从而得到更加准确的检测结果。

    基于有序SnO2纳米棒阵列的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN111739961A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010547524.8

    申请日:2020-06-16

    Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域,具体而言,涉及一种基于有序SnO2纳米棒阵列的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法,包括导电基底、沉积于导电基底表面的SnO2晶种层、生长在SnO2晶种层表面的SnO2纳米棒阵列、沉积于SnO2纳米棒的间隙中和SnO2纳米棒表面的无机钙钛矿层、沉积于无机钙钛矿层表面的空穴传输层、以及沉积于空穴传输层表面的Au电极层。本发明的无机钙钛矿太阳能电池,其具备电荷传输快、电荷提取效率高、光电转化效率高和器件稳定性好等优点。本发明的制备方法,其操作简便、成本低、适用范围广,制得的太阳能电池稳定且高效。

    基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法

    公开(公告)号:CN108806990B

    公开(公告)日:2020-02-14

    申请号:CN201810601667.5

    申请日:2018-06-12

    Abstract: 基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法,属于光阳极领域。光阳极包括导电基片、吸附于导电基片的n型半导体膜、连接于n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于巯基烷酸的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱。Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdSe量子片核层和CdTe量子片壳层,n型半导体膜的导带能级位于CdTe量子片壳层的导带能级和价带能级之间。吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光电转化效率高。制备方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡后于含有Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的敏化剂溶液中浸泡。可控性好、成本低、适用范围广,制得的光阳极光电转化效率高。

    基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法

    公开(公告)号:CN108806990A

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201810601667.5

    申请日:2018-06-12

    Abstract: 基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法,属于光阳极领域。光阳极包括导电基片、吸附于导电基片的n型半导体膜、连接于n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于巯基烷酸的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱。Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdSe量子片核层和CdTe量子片壳层,n型半导体膜的导带能级位于CdTe量子片壳层的导带能级和价带能级之间。吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光电转化效率高。制备方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡后于含有Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的敏化剂溶液中浸泡。可控性好、成本低、适用范围广,制得的光阳极光电转化效率高。

    一种检测肼浓度的方法
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113624727B

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202110754464.1

    申请日:2021-07-02

    Abstract: 本发明公开一种检测肼浓度的方法,该方法包括以下步骤:S10、将比率型荧光探针溶解于有机溶剂中,得到荧光检测体系,其中,比率型荧光探针包括罗丹明B和含醛基的香豆素化合物;S20、将不同浓度的肼的水溶液加入荧光检测体系中,分别测试其在490nm处的荧光强度A和在600nm处的荧光强度B,并根据荧光强度A和荧光强度B的比值与肼浓度的关系,绘制成标准曲线;S30、根据标准曲线,检测待测溶液中肼的浓度。利用比率型荧光探针检测待测溶液中肼的浓度,可有效地消除探针自身、样品及设备等因素引起的背景误差,使检测结果更准确;且该比率型荧光探针为罗丹明B和含醛基的香豆素化合物的混合物,制备方法简单,大大节约了检测成本。

    用于连续检测铜离子和次氯酸根的荧光探针和检测方法

    公开(公告)号:CN117624150A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311549743.X

    申请日:2023-11-17

    Inventor: 程晓红 张锐

    Abstract: 本发明公开一种用于连续检测铜离子和次氯酸根的荧光探针和检测方法。该荧光探针为含酰腙基团的三苯胺类化合物,具有式(I)所示结构:本发明的络合物作为荧光探针,用于水溶液中对次氯酸根检测时,表现出明显的荧光增强响应,响应速度快,可实现次氯酸根的实时检测;检测灵敏度高,检出限低达120nM;利用标准曲线,能准确地定量分析待测样品中的次氯酸根浓度,尤其是检测市售消毒液样品中次氯酸根的浓度;对次氯酸根具有超高的选择性,其他常见阴离子几乎无干扰。本发明提供的检测方法可依次实现对有害物质铜离子和次氯酸根的快速检测,更加高效,且成本较低。

    一种连续检测肼和次氯酸根的检测方法

    公开(公告)号:CN112666134A

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:CN202011299789.7

    申请日:2020-11-18

    Abstract: 本发明公开一种连续检测肼和次氯酸根的检测方法,包括以下步骤:用含醛基的荧光素化合物溶液检测肼,得到含有中间体A的溶液B;用所述溶液B检测次氯酸根。含醛基的荧光素化合物溶液发射很强的绿色荧光,当与待测物肼反应后,得到含有中间体A的溶液B,中间体A中由于碳氮双键(C=N)的异构化引起分子内非辐射跃迁过程增强,因此溶液B几乎无荧光;再将溶液B用来检测次氯酸根,利用次氯酸根的氧化性,将中间体A中的C=N键打断,氧化成醛类化合物,溶液的绿色荧光得以恢复。因此,本发明提供的检测方法可依次实现对有害物质肼和次氯酸根的检测,更加高效,且成本较低。

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