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公开(公告)号:CN110731129A
公开(公告)日:2020-01-24
申请号:CN201880037182.6
申请日:2018-06-07
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 课题在于得到适于半导体元件的银纳米粒子接合、与功率模块密封树脂的密合性优异的陶瓷电路基板。解决方案在于一种陶瓷电路基板,其为在使用了氮化铝或氮化硅的陶瓷基板的两主面介由钎料而接合铜板、在至少一主面的铜板上实施了镀银的陶瓷电路基板,其特征在于,铜板侧面不实施镀银,银镀层的厚度为0.1μm至1.5μm,镀银后的电路基板的表面粗糙度的算术平均粗糙度Ra为0.1μm至1.5μm。
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公开(公告)号:CN106061923B
公开(公告)日:2019-07-26
申请号:CN201580009679.3
申请日:2015-02-20
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明可得到具有高接合强度和优异的耐热循环性、在使作为电子机器的工作可靠性提高的同时放热性优异的陶瓷线路基板。本发明的陶瓷线路基板是介由银‑铜系焊料层对陶瓷基板的两个主表面和金属板进行接合而成的陶瓷线路基板,其特征在于,相对于75~98质量份的银粉末和2~25质量份的铜粉末的合计100质量份,银‑铜系焊料层由含有0.3~7.5质量份的碳纤维(carbon fiber)和1.0~9.0质量份的选自钛、锆、铪、铌、钽、钒和锡的至少一种活性金属的银‑铜系焊料构成,所述碳纤维的平均长度为15~400μm、平均直径为5~25μm、平均长径比为3~28。
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