公开(公告)号：CN118771303A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410818472.1

申请日：2024-06-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 黄勇军 ,  王茂源 ,  张森宇 ,  刘君 ,  黄文逸 ,  鲜承伟 ,  匡鹏举 ,  文光俊

IPC: B81C1/00 ,  G01C25/00 ,  G01C19/5691 ,  C09K13/00

Abstract: 本发明公开一种二氧化硅腔光机械系统微半球谐振子加工方法，应用于微纳米加工技术领域，针对现有技术在生产半球谐振陀螺仪时，存在的刻蚀速率不可控、裸硅片刻蚀均匀性不高的问题；本发明选择了二氟化氙(XeF2)作为硅材料的干法各向同性刻蚀剂。XeF2在对硅的选择性刻蚀方面优于其他标准半导体材料，且避免了湿法刻蚀中常见的表面张力、气泡和粘连等问题，特别适合于加工微半球谐振子所需的硅模具。利用XeF2干法刻蚀系统的脉冲式刻蚀方式，结合4寸样品尺寸的兼容性及对Si/SiO2(热氧化)超高的刻蚀选择比，实现了在硅材料上的高深宽比各向同性刻蚀。

公开(公告)号：CN118670578A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410683232.5

申请日：2024-05-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 邱根 ,  彭友鑫 ,  陈凯 ,  黄勇军 ,  鲜承伟 ,  李喆 ,  王伊凡

IPC: G01L1/24 ,  G01L3/08

Abstract: 本发明公开了一种腔光力式高精度力和扭矩传感器，当探针感受到外部力或扭矩时，会发生偏转位移，带动可移动质量快进行位移，可移动质量块边缘处有光学晶体微腔的活动部分，其位移导致光学晶体微腔的活动部分和固定部分的空气槽间隙发生改变，从而影响腔内激光的波长，通过波长与力和扭矩的线性关系，从而测出对应的力和扭矩。