用于半导体载体的低欧姆衬底通孔互连

    公开(公告)号:CN101410972B

    公开(公告)日:2010-09-08

    申请号:CN200780010965.7

    申请日:2007-03-16

    Abstract: 本发明描述了一种用于半导体衬底(600)上形成的电子芯片的低欧姆晶片通孔互连(TWI)。该TWI包括在衬底(600)的前表面和背表面之间延伸的第一连接部(610)。第一连接部(610)包括填充有低欧姆材料的通孔,该材料的电阻率低于多晶硅。该TWI还包括也在前表面和背表面之间延伸的第二连接部(615)。第二连接部(615)与第一连接部(610)在空间上由半导体衬底(600)的至少一部分隔开。前表面设有集成电路布置(620),其中,第一连接(610)电耦合到集成电路布置(620)的至少一个节点而不穿透集成电路布置(620)。在处理TWI期间,首先可以用非金属材料,例如多晶硅来填充通孔。当在前表面上形成集成部件(620)之后,可以减薄衬底(600),并可以用低欧姆材料,尤其是金属材料来替代非金属材料。

    用于选择性透射电磁辐射的滤线栅

    公开(公告)号:CN101484949B

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN200780025630.2

    申请日:2007-07-04

    Abstract: 本发明关注于一种选择性透射电磁辐射、尤其是X射线辐射的滤线栅,其具有至少一个借助于选择性激光烧结由基本为辐射不能穿透的粉末材料建造的结构元件(2),并且它还公开了一种对选择性透射电磁辐射的滤线栅进行制造的方法,其包括借助于选择性激光烧结由基本为辐射不能穿透的粉末材料生成至少一种结构元件(2)的步骤。在已经通过选择性激光烧结建造出结构元件之后,所述滤线栅可以是通过模塑或研磨技术无法实现的高度复杂的3D结构。在所述滤线栅的一个实施例中,烧结结构配合通过金属薄板中的孔。

    用于将材料涂抹到X射线源的阳极表面的方法和装置、阳极以及X射线源

    公开(公告)号:CN101779266A

    公开(公告)日:2010-07-14

    申请号:CN200880101991.5

    申请日:2008-08-04

    CPC classification number: H01J35/08 H01J2235/083 H01J2235/085

    Abstract: 提出了一种将材料涂抹到X射线源阳极表面上的方法和装置以及相应的阳极。将用于填充X射线发射表面(115)上的凹坑(121)的诸如修复材料的阳极材料涂抹到阳极(101)的X射线发射表面上。可以使用激光束(133)检测出将要涂抹此类材料的位置。随后使用高能激光束(151)对所涂抹的包括诸如钨、铼或钼的阳极材料颗粒(41)的修复材料进行局部烧结。然后可以使用高能电子束(163)熔化经烧结的材料。使用此类方法,可以局部修复阳极的受损表面。或者,可以在X射线发射表面(115)上提供包括不同阳极材料的结构或者具有不同水平面的突出的结构,以便选择性操纵阳极(101)的X射线发射特征。

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