公开(公告)号：CN113285606A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110190233.2

申请日：2021-02-18

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 神田圭辅 ,  伊藤聪 ,  吉满翔大

IPC: H02M3/335

Abstract: 本发明提供能够抑制开关损耗的电源装置。在电源装置(1)中，1次绕组(TR1)与软开关控制的对象的FET(Q3，Q4)的漏‑源极端子中的调整该漏‑源极端子的电位的一侧的端子即源极端子(s3)以及漏极端子(d4)连接。控制部(60)在由电流检测部(50)检测出的电流值为预订的基准电流值以下的情况下，使由于平滑电路(40)的线圈(L)和电容(C)的谐振而逆流的电流经由整流电路(30)而流向2次绕组(TR2)，利用流过2次绕组(TR2)的电流使电流流向1次绕组(TR1)，从而将软开关控制的对象的FET(Q3，Q4)的漏‑源极端子的电位差调整为设定电位差以下，将该开关控制的对象的FET从截止切换为导通。

公开(公告)号：CN110326200B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201780087126.9

申请日：2017-12-06

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 伊藤聪

IPC: H02M1/08 ,  H03K17/687

Abstract: 驱动电路(21A)与FET(Q1)的栅极端子(g1)连接，并对该栅极端子(g1)施加电压来导通FET(Q1)，该FET(Q1)与变压对象的直流电源(VPP)连接并被控制导通或截止，且具有：输入电流的漏极端子(d1)、供从该漏极端子(d1)输入的电流输出的源极端子(s1)以及控制从漏极端子(d1)流向源极端子(s1)的电流的栅极端子(g1)。反向偏置电路22(A)具有：与FET(Q1)的源极端子(s1)连接的电容器(C4)；以及线圈(L1)，该线圈(L1)的一端连接到驱动电路(21A)与栅极端子(g1)之间，另一端连接到电容器(C4)与源极端子(s1)之间，因此，起到能够抑制构成反向偏置电路(22A)的部件的数量增加的效果。