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公开(公告)号：CN118872027A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380027561.8
申请日：2023-10-11
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , C23C16/02 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种真空薄膜改性剂、包含其的薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体元件，通过提供规定结构的化合物作为真空薄膜改性剂，以在真空薄膜工艺中，适当地降低沉积膜的生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高台阶覆盖性(step coverage)和薄膜的厚度均匀性，并且能够改善蚀刻膜的效率，而且具有显著减少碳等杂质的污染的效。
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公开(公告)号：CN117015630A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202280018618.3
申请日：2022-03-04
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/08
Abstract: 本发明涉及一种金属薄膜前体组合物、利用其的薄膜形成方法以及通过该方法制造的半导体基板，提供包含金属薄膜前体化合物以及具有预定的端基和结构的生长调节剂的金属薄膜前体组合物，在薄膜沉积工艺中利用所述金属薄膜前体组合物以抑制副反应，而且适当地控制薄膜生长率，并去除薄膜中的工艺副产物，从而即便在结构复杂的基板上沉积薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性(step coverage)、薄膜的厚度均匀性以及电阻率特性，减少腐蚀和劣化，改善薄膜的结晶度，从而改善薄膜的电学特性。
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公开(公告)号：CN116897222A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202380009417.1
申请日：2023-01-05
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/04
Abstract: 本发明涉及一种氧化膜反应表面控制剂、利用其的氧化膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体元件，提供预定结构的化合物作为氧化膜反应表面控制剂，基于该氧化膜反应表面控制剂的吸附分布度的差异，在基板上形成厚度均匀的沉积层作为遮蔽区域，以减小薄膜的沉积速度，并且适当地降低薄膜生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高台阶覆盖性(step coverage)和薄膜的厚度均匀性，并且具有减少杂质的效果。
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公开(公告)号：CN115768921A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180046700.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明涉及薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板。具体涉及作为由化学式1表示的化合物的薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，[化学式1]AnBmXoYiZj其中，所述A为碳或硅；所述B为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述X为氟、氯、溴以及碘中的一种以上；所述Y与Z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；m为0～2n+1；所述i和j分别为0～3的整数。根据本发明，提供薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，其能够抑制副反应，以降低薄膜生长率，并去除薄膜内工艺副产物，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性以及薄膜的厚度均匀度。
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公开(公告)号：CN118974313A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380027566.0
申请日：2023-03-17
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种活化剂、利用其的薄膜形成方法、由此制造的半导体基板及半导体元件，通过提供规定结构的化合物作为活化剂，有效地取代被吸附的前体中的配体，以改善反应速度，并适当地降低薄膜生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高台阶覆盖性和薄膜的厚度均匀性，并且具有减少杂质的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118974312A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380024968.5
申请日：2023-02-28
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455 , C23C16/30
Abstract: 本发明涉及一种薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件，其中，使用由预定结构的膜生长/膜质改善化合物和特定介电常数的溶剂组成的薄膜改性组合物，在实施基于真空的薄膜工序时，适当地降低沉积膜的生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高阶梯覆盖性(step coverage)及薄膜的厚度均匀性，并且能够改善蚀刻膜的效率，显著减少杂质污染。
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公开(公告)号：CN118871616A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380026981.4
申请日：2023-03-17
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/34 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 本发明关于薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件，通过同时使用反应表面预处理剂和配体取代剂，有效地取代吸附前体的配体，以改善反应速度并适当降低薄膜生长率，从而即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜，也能大幅提高阶梯覆盖性以及薄膜的厚度均匀性，并减少杂质以改善膜质。
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公开(公告)号：CN118843710A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202380026655.3
申请日：2023-03-17
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 本发明涉及一种阶梯覆盖率改善剂、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件，其中，提供规定结构的化合物作为阶梯覆盖率改善剂，基于该化合物的吸附分布度的差异，在基板上形成厚度均匀的沉积层作为遮蔽区域，以减小薄膜的沉积速度，并且适当地降低薄膜生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高阶梯覆盖性和薄膜的厚度均匀性，并且具有减少杂质的效果。
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公开(公告)号：CN114599658B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202080074133.7
申请日：2020-10-28
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C07F5/00 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种铟前体化合物，利用该铟前体化合物的薄膜的制备方法及由此制备的基板，更加详细涉及由化学式1表示的铟前体化合物，利用该铟前体化合物的薄膜的制备方法及由此制备的基板。根据本发明，能够形成均匀的薄膜，并由于改善沉积速度而提高生产率，同时热稳定性和保存稳定性优秀，且易于处理。
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公开(公告)号：CN118234890A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280074078.0
申请日：2022-11-08
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/18 , C23C16/40 , C23C16/34 , H01L21/285 , C23C16/56
Abstract: 本发明涉及膜质改善剂、利用其的薄膜形成方法、由此制造的半导体基板及半导体器件，将规定结构的化合物作为膜质改善剂提供，并且在基板上形成钼基薄膜用屏蔽区域，以降低钼基薄膜的沉积速度，并控制薄膜生长率，从而即使在具有复杂结构的基板上使用常温下为固体的化合物来形成薄膜时，也能大幅提高台阶覆盖率以及薄膜的厚度均匀性，降低腐蚀或劣化，并提高薄膜的结晶性，以改善薄膜的电特性。
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