公开(公告)号：CN118922582A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380026980.X

申请日：2023-03-17

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李承铉 ,  郑在善 ,  延昌峰 ,  金德铉

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种薄膜遮蔽剂、包含其的薄膜形成用组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件，其中，通过应用薄膜遮蔽剂以改善反应速度并适当降低薄膜生长率，从而即便在高温条件下在具有复杂结构的基板上形成薄膜，也能大幅提高阶梯覆盖性和薄膜的厚度均匀性，以形成无缝薄膜，并降低杂质，从而改善膜质。

公开(公告)号：CN118871617A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380026984.8

申请日：2023-02-10

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李承铉 ,  郑在善 ,  延昌峰 ,  陈齐俊 ,  曹德贤 ,  南知贤

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种遮蔽化合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制备的半导体基板及半导体器件，其中，提供规定结构的化合物作为遮蔽剂，基于所述遮蔽剂的吸附分布度差异，在基板上形成厚度均匀的堆积层作为遮蔽区域，从而减少薄膜的沉积速度，并适当地降低薄膜生长率，即使在结构复杂的基板上形成薄膜时，也具有能够显著提高台阶覆盖性(step coverage)及薄膜的厚度均匀性并减少杂质的效果。

公开(公告)号：CN117941031A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202280061565.3

申请日：2022-09-13

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 郑在善 ,  延昌峰 ,  李承铉 ,  金种文

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及膜质改良剂，利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，在薄膜沉积工艺中，利用规定结构的膜质改良剂，抑制副反应，并适当控制薄膜生长速率，去除薄膜中的工艺副产物，从而即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也能大幅提高阶梯覆盖率以及薄膜的厚度均匀性，减少腐蚀或劣化，并通过提高薄膜的结晶性，改善薄膜的电特性等。

公开(公告)号：CN116981795A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202280015910.X

申请日：2022-02-22

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 郑在善 ,  延昌峰 ,  李承铉 ,  南知贤 ,  赵成禹

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种辅助前体、薄膜前体组合物、利用其的薄膜形成方法以及通过该方法制造的半导体基板，提供包含对薄膜前体化合物表现出反应稳定性的预定结构的化合物作为辅助前体的薄膜前体组合物，在薄膜沉积工艺中利用所述薄膜前体组合物以抑制副反应，而且适当地控制薄膜生长率，并去除薄膜中的工艺副产物，从而即便在结构复杂的基板上沉积薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性、薄膜的厚度均匀性以及电阻率特性，减少腐蚀和劣化，改善薄膜的结晶度，从而改善薄膜的电学特性。

公开(公告)号：CN115735021A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202180046637.2

申请日：2021-07-16

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  金进喜 ,  郑在善 ,  金种文 ,  李承铉 ,  李锡宗

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明涉及薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，具体涉及作为由化学式1表示的化合物的薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，[化学式1]AnBmXoYiZj其中，所述A为碳或硅；所述B为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述X为键离解能为50～350KJ/mol的离去基团；所述Y与Z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；所述m为0～2n+1；所述i和j分别为0～3的整数。根据本发明，提供薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，其能够抑制副反应，以降低薄膜生长率，并去除薄膜内工艺副产物，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性以及薄膜的厚度均匀度。

公开(公告)号：CN115715334A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202180046634.9

申请日：2021-07-06

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  郑在善 ,  都昇哲 ,  王虎林

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂、利用其的蒙版保护薄膜形成方法以及由此制造的掩模，具体涉及作为由化学式1表示的化合物的蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂、利用其的蒙版保护薄膜形成方法以及由此制造的掩模，[化学式1]AnBmXoYiZj其中，所述A为碳或硅；所述B为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述X为氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)以及碘(I)中的一种以上；所述Y与Z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；所述m为0～2n+1；所述i和j为0～3的整数。根据本发明，能够提供一种蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂、利用其的蒙版保护薄膜形成方法以及由此制造的掩模，所述蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂不仅不会降低蒙版的透射率，而且还能够防止腐蚀或劣化，从而大幅延长采用其的掩模的寿命。

公开(公告)号：CN115702257A

公开(公告)日：2023-02-14

申请号：CN202180043888.5

申请日：2021-06-22

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  郑在善 ,  边惠兰 ,  严泰泳 ,  李锡宗

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  C07F9/00

Abstract: 本发明涉及薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，具体涉及在20℃、1bar条件下为液体，并且，包含20～100重量％的由化学式1表示的配位化合物以及0～80重量％的烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物的薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，[化学式1]MXnLmYz其中，M为铌(Nb)、钨(W)或钼(Mo)；X为卤素元素；n为1～6的整数；L为烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物，或碳原子数为3～15且被一个以上的氮(N)、氧(O)、磷(O)或硫(S)取代的线性或环状饱和烃；m为1～3的整数；所结合的Y为胺；z为0～4的整数；n+z为3～6的整数。根据本发明，提供一种薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，该薄膜形成用前体在常温下为液态，挥发性强，因此沉积速度非常快，并且当注入到薄膜沉积腔室时，易于处理，尤其是热稳定性出色，因而能够制备出纯度高且台阶覆盖性优秀的薄膜。

公开(公告)号：CN112553599A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202010111582.6

申请日：2020-02-24

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  郑在善 ,  边惠兰 ,  宋泰浩 ,  金素贞 ,  李锡宗

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明涉及薄膜制造方法，其包括：步骤(ⅰ)，使由化学式1表示的薄膜形成用生长抑制剂吸附在基板表面；以及步骤(ⅱ)，使Ti类薄膜前体吸附在吸附有薄膜形成用生长抑制剂的基板表面。本发明通过抑制副反应，降低薄膜生长速率，并通过去除薄膜内工艺副产物，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也大幅提高阶梯覆盖率(step coverage)及薄膜的厚度均匀性。化学式1：AnBmXo其中，所述A为碳或硅，所述B为氢或碳原子数为1至3的烷基，所述X为卤素，所述n为1至15的整数，所述o为1以上的整数，m为0至2n+1。

公开(公告)号：CN115702257B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202180043888.5

申请日：2021-06-22

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  郑在善 ,  边惠兰 ,  严泰泳 ,  李锡宗

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  C07F9/00

Abstract: 本发明涉及薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，具体涉及在20℃、1bar条件下为液体，并且，包含20～100重量％的由化学式1表示的配位化合物以及0～80重量％的烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物的薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，[化学式1]MXnLmYz其中，M为铌(Nb)、钨(W)或钼(Mo)；X为卤素元素；n为1～6的整数；L为烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物，或碳原子数为3～15且被一个以上的氮(N)、氧(O)、磷(O)或硫(S)取代的线性或环状饱和烃；m为1～3的整数；所结合的Y为胺；z为0～4的整数；n+z为3～6的整数。根据本发明，提供一种薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，该薄膜形成用前体在常温下为液态，挥发性强，因此沉积速度非常快，并且当注入到薄膜沉积腔室时，易于处理，尤其是热稳定性出色，因而能够制备出纯度高且台阶覆盖性优秀的薄膜。

公开(公告)号：CN119736612A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411844279.1

申请日：2020-09-24

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  郑在善 ,  边惠兰 ,  宋泰浩 ,  金素贞 ,  李锡宗

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: 涉及薄膜制造方法，其包括：步骤(i)，使薄膜形成用生长抑制剂吸附在基板表面；以及步骤(ii)，使金属膜前体、金属氧化膜前体、金属氮化膜前体或硅氮化膜前体吸附在吸附有生长抑制剂的基板表面，薄膜形成用生长抑制剂由化学式1表示，金属为选自钨、钴、铬、铝、铪、钒、铌、锗、镧系元素、锕系元素、镓、钽、锆、钌、铜、钛、镍、铱以及钼中的一种以上。本发明通过抑制副反应，降低薄膜生长速率，并通过去除薄膜内的工艺副产物，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也大幅提高阶梯覆盖率及薄膜的厚度均匀性。化学式1：AnBmXo，其中A为碳或硅，B为氢或碳原子数为1至3的烷基，X为卤素，n为1至15的整数，o为1以上的整数，m为0至2n+1。