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公开(公告)号：CN105283936A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480030101.1
申请日：2014-08-29
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: H01G9/2022 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种染料敏化太阳能电池的对电极活性物质的再活化方法、以及应用了该方法的染料敏化太阳能电池的再生方法、染料敏化太阳能电池的催化剂层、对电极、电解液及染料敏化太阳能电池，其中所述染料敏化太阳能电池的再生方法包括通过将被染料敏化太阳能电池的电解液中的氧化还原对还原的导电性高分子再生，能够使暂时降低的染料敏化太阳能电池的发电性能恢复至初始性能，可以防止染料敏化太阳能电池的发电性能的降低。本发明是一种染料敏化太阳能电池的对电极活性物质的再活化方法，其是对染料敏化太阳能电池的对电极活性物质进行再活化的方法，所述染料敏化太阳能电池具有由含有至少一种以上的导电性高分子作为对电极活性物质的催化剂层构成的对电极，该方法包括：通过化学氧化或电化学氧化对所述导电性高分子进行再氧化。
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公开(公告)号：CN105247637A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480031232.1
申请日：2014-09-12
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01G9/20
CPC classification number: H01G9/2068 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01G9/2095 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种染料敏化太阳能电池用电极的制造方法，包括具有：在基材上形成氧化物半导体多孔质膜而制作电极基材的工序；将上述电极基材浸渍于敏化染料溶液中而使敏化染料吸附于上述氧化物半导体多孔质膜的工序，其特征在于，在吸附上述敏化染料的工序中，将上述电极基材在以互不接触而重叠成多个层的状态浸渍于上述敏化染料溶液中。
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公开(公告)号：CN106575581A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580041719.2
申请日：2015-07-30
Applicant: 积水化学工业株式会社
Inventor： 大塚智弘
IPC: H01G9/20
CPC classification number: H01G9/2077 , H01G9/0029 , H01G9/2013 , H01G9/2059 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 一种太阳能电池的制造方法，其特征在于具有：在板状的第1电极上配置电解质的工序，将所述电解质供给到由沿着所述板状的第1电极的相互对置的一组侧边而设置的一对第1密封用部分所夹的区域；将在具有可挠性的板状基材的板面上形成有贯穿厚度方向而能够排出所述电解质的孔的第2电极从沿着所述侧边的方向的一端侧向另一端侧逐渐重叠到所述第1电极，在所述第1密封用部分处将所述第2电极和所述第1电极进行粘接的工序；和在跨越所述一对第1密封用部分之间沿着与所述侧边交叉的方向延伸、并且在沿着所述侧边的方向上空开间隔设定的一对第2密封用部分处，将所述第1电极和所述第2电极粘接，从而将填充了所述电解质的空间进行密封的工序，所述孔配置为位于所述一对第2密封用部分所夹的区域的外侧。
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公开(公告)号：CN106104729A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580015418.2
申请日：2015-01-14
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01G9/20
Abstract: 一种光电转换元件，具有：在一基板的板面上形成有透明导电膜且在所述透明导电膜的表面形成有半导体层的第一电极；在与所述一基板隔开间隔相对配置的另一基板的板面以与所述透明导电膜相对的方式形成有相对导电膜的第二电极；密封在第一电极与第二电极之间的电解质，所述一基板及所述另一基板的至少一方在将所述电解质密封的外周壁部的内侧弯折或弯曲，朝向相对配置的所述另一基板或者所述一基板突出。
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公开(公告)号：CN106030739A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580008650.3
申请日：2015-02-17
Applicant: 积水化学工业株式会社
Inventor： 大塚智弘
IPC: H01G9/20
Abstract: 一种电气模块，具有在形成有第一导电膜的第一基板上形成有半导体层的光电极、具有形成有第二导电膜的第二基板的相对电极以及电解质，所述光电极和所述相对电极以在其之间形成内部空间的方式贴合并密封，所述电解质填充到所述内部空间，所述光电极与相对电极之间的密封部的至少一部分通过密封材料将所述第一导电膜和所述第二导电膜粘接而形成，所述第一导电膜及所述第二导电膜中的至少一方以电连续的状态从所述内部空间越过所述密封材料向所述内部空间的外侧延伸设置，且在延伸设置的部分的表面上以可与所述部分导通的状态配设有导电材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105723481A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201580002551.4
申请日：2015-03-19
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: H01G9/2068 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02B10/12 , Y02E10/542
Abstract: 一种色素敏化型太阳能电池单元的嵌入构造，具有将至少具有光电极、与该光电极相对设置的相对电极的色素敏化型太阳能电池单元插入到一对基材之间的构造，所述一对基材中的至少一方的内面侧构成为具有导电性的导电层，将所述导电层和所述光电极或所述相对电极电连接。
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公开(公告)号：CN101816064A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200880109735.0
申请日：2008-09-26
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种硅的蚀刻方法，其课题在于，使硅的蚀刻速度提高。其中，在氟系原料的CF4和Ar的混合气体中添加露点成为10℃～40℃的量的水，在大气压下进行等离子体化。将等离子体化后的气体和来自臭氧发生器13的含有臭氧的气体混合，得到反应气体。反应气体包含1vol％以上的臭氧、COF2等非自由基氟系中间物质和0.4vol％以上的HF等氟系反应物质，氟原子数(F)和氢原子数(H)的比为(F)/(H)＞1.8。将该反应气体喷射到温度10℃～50℃的硅膜91(被处理物)上。
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公开(公告)号：CN101617393A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200880005459.3
申请日：2008-02-20
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/67069 , H01L29/66765
Abstract: 本发明的抑制硅蚀刻中的处理不均，条均一性。在大致大气压下，从喷出口41向被处理物10喷出含有氟化氢和臭氧的处理气体，同时，使包括喷出口41的处理头39相对于被处理物10在左右往返或单程移动，蚀刻在被处理物10的表面形成的硅。以使在被处理物10的表面上形成的凝结层18的厚度t成为规定厚度以下的方式将所述移动速度设定为规定以上，优选设定为3～4m/分钟以上。
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公开(公告)号：CN109069980B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201780021046.3
申请日：2017-03-27
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: B01D53/047 , B01D53/053
Abstract: 本发明的目的在于提供一种气体分离方法及气体分离装置，其可兼顾除去对象气体成分的除去性能和回收对象气体成分的回收率。将原料气体g0供给至吸附单元10的一侧的吸附槽11导出透过气体g1。将另一侧的吸附槽12的压力设置为比吸附时的压力更低而导出脱吸气体g2。配合吸附单元10的运转周期，或根据所述原料气体g0的状态，将透过气体g1或脱吸气体g2中的、应该优先除去的优先除去对象气体成分在所述除去对象气体成分中的浓度或者分压比所述原料气体g0低的气体作为返回吸附单元10的返回气体。
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公开(公告)号：CN104541350B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201380042342.3
申请日：2013-08-23
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01G9/20
Abstract: 本发明提供一种电气模块的制造方法，该电气模块包括：第一电极，其在第一基板的板面形成透明导电膜，并在所述透明导电膜的表面形成半导体层；第二电极，其在第二基板的板面以与所述透明导电膜相对的方式形成相对导电膜；在形成于该第一电极与第二电极之间的空间内密封有电解质，所述电气模块的制造方法的特征在于，该电气模块的制造方法具有：粘贴工序，使所述透明导电膜与所述相对导电膜相对而使所述第一电极与所述第二电极粘贴；分割工序，自形成有所述透明导电膜的所述第一基板的背面或者形成有所述相对导电膜的所述第二基板的背面中的任一者施加超声波振动，使所述第一基板以及所述第二基板的位于被施加该超声波振动的位置的彼此相对的板面抵接而绝缘，并且将该第一基板与第二基板熔接，从而分割所述第一电极与所述第二电极。
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