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公开(公告)号：CN104977819A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510174089.8
申请日：2015-04-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G03F7/32 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及感光膜的设置方法、半导体装置的制造方法及电子设备。提供形状精度高地设置膜厚薄的区域的抗蚀膜的方法。该感光膜的设置方法具有：在基板主体(10)上设置光致抗蚀膜(15)，使用光透过率为3灰度以上的半色调掩膜(30)进行曝光，使光致抗蚀膜(15)显影的工序，显影后的光致抗蚀膜(15)具有第一光致抗蚀膜(16)和比第一光致抗蚀膜(16)厚的第二光致抗蚀膜(17)，在显影后的基板主体(10)上，在不除去光致抗蚀膜(15)而可以设置第二光致抗蚀膜(17)的位置设置第二光致抗蚀膜(17)。
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公开(公告)号：CN100394295C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200510089401.X
申请日：2005-08-05
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1368 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1255
Abstract: 本发明提供一种薄膜半导体装置的制造方法、薄膜半导体装置、其电光装置和其电子机器，无需增加制造工序，就能使电容元件的电介质膜的膜厚薄于TFT的栅极绝缘膜的膜厚。在TFT阵列基板(10)上构成积蓄电容(70)时，从抗蚀掩模(401)的开口(401a)向半导体膜(1a)的延伸部分(1f)中导入杂质，同时从该抗蚀掩模(401)的开口(401a)蚀刻电介质膜(2c)的表面。因此，无需增加制造工序，就能够使积蓄电容(70)的电介质膜(2c)的膜厚薄于(TFT30)的栅极绝缘膜(2a)的膜厚。
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公开(公告)号：CN1304886C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200410033873.9
申请日：2004-04-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 世良博
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L27/1214 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66757
Abstract: 本发明的课题是提供可与栅电极的形状或低浓度区(1b，1c)长度无关地高精度地控制低浓度区(1b，1c)长度的薄膜半导体器件的制造方法。首先，在基板(10A)上依次形成预定的图形的半导体膜(1)、栅绝缘膜(2)、和锥形形状的栅电极(3c)，以栅电极(3c)为掩模在半导体膜(1)中注入低浓度的杂质。其次，在形成了栅电极(3c)的透光性基板(10A)上形成了由2种以上的绝缘膜构成的层叠绝缘膜后，进行全面刻蚀，形成层叠绝缘膜(8x)，使至少1层的绝缘膜成为其宽度比栅电极(3c)的宽度宽且比半导体膜(1)的宽度窄的预定的图形。其次，以层叠绝缘膜(8x)为掩模在半导体膜(1)中注入高浓度的杂质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1755469A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510089401.X
申请日：2005-08-05
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1368 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1255
Abstract: 本发明提供一种薄膜半导体装置的制造方法、薄膜半导体装置、其电光装置和其电子机器，无需增加制造工序，就能使电容元件的电介质膜的膜厚薄于TFT的栅极绝缘膜的膜厚。在TFT阵列基板(10)上构成积蓄电容(70)时，从抗蚀掩模(401)的开口(401a)向半导体膜(1a)的延伸部分(1f)中导入杂质，同时从该抗蚀掩模(401)的开口(401a)蚀刻电介质膜(2c)的表面。因此，无需增加制造工序，就能够使积蓄电容(70)的电介质膜(2c)的膜厚薄于(TFT30)的栅极绝缘膜(2a)的膜厚。
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公开(公告)号：CN100451787C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200510106361.5
申请日：2005-09-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136213 , H01L27/1255
Abstract: 本发明提供对于在同一基板上形成的TFT和电容元件，可以确保高的耐电压的同时可以提高电容元件的静电电容的薄膜半导体装置、电光学装置和电子仪器。在TFT阵列基板(10)中，由于电介质膜(2c)在第1区域(1c)的外侧区域备有比第1区域(201c)膜厚更厚的第2区域(202c)，所以存储电容(70)的耐电压高。从而，电容元件(70)可以得到高的耐电压，同时可以将为增高耐电压而增厚电介质膜(2c)的膜厚导致的静电电容的降低限制在最小限度内。这样，对于在同一基板上形成的TFT(30)和电容元件(70)，可以确保高的耐电压，同时可以提高电容元件(70)的静电电容。
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公开(公告)号：CN1268974C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN03156003.2
申请日：2003-08-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1345 , G03F7/00
CPC classification number: H01L21/02118 , G02F1/133345 , G02F1/133504 , G02F1/133553 , G02F1/133555 , G03F7/0007 , G03F7/2024 , G03F7/40 , H01L21/02348 , H01L21/312 , H01L27/1248
Abstract: 本发明提供一种作为电光装置中使用的绝缘材料、又不会使显示特性降低的电光装置用绝缘层的制造方法。本发明的电光装置用绝缘层的制造方法，其特征在于包括对感光性树脂(绝缘层)的凸部形成层7，进行照度80mW/cm2或以上的曝光的曝光工序。通过这样的高照度的曝光对树脂进行脱色，制造的绝缘材料，对于波长400nm的色光显示出95%或以上的透过率。
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公开(公告)号：CN1755468A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510106361.5
申请日：2005-09-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136213 , H01L27/1255
Abstract: 本发明提供对于在同一基板上形成的TFT和电容元件，可以确保高的耐电压的同时可以提高电容元件的静电电容的薄膜半导体装置、电光学装置和电子仪器。在TFT阵列基板(10)中，由于电介质膜(2c)在第1区域(1c)的外侧区域备有比第1区域(201c)膜厚更厚的第2区域(202c)，所以存储电容(70)的耐电压高。从而，电容元件(70)可以得到高的耐电压，同时可以将为增高耐电压而增厚电介质膜(2c)的膜厚导致的静电电容的降低限制在最小限度内。这样，对于在同一基板上形成的TFT(30)和电容元件(70)，可以确保高的耐电压，同时可以提高电容元件(70)的静电电容。
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公开(公告)号：CN1488975A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03156003.2
申请日：2003-08-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1345 , G03F7/00
CPC classification number: H01L21/02118 , G02F1/133345 , G02F1/133504 , G02F1/133553 , G02F1/133555 , G03F7/0007 , G03F7/2024 , G03F7/40 , H01L21/02348 , H01L21/312 , H01L27/1248
Abstract: 本发明提供一种作为电光装置中使用的绝缘材料、又不会使显示特性降低的电光装置用绝缘层的制造方法。本发明的电光装置用绝缘层的制造方法，其特征在于包括对感光性树脂(绝缘层)的凸部形成层7，进行照度80mW/cm2或以上的曝光的曝光工序。通过这样的高照度的曝光对树脂进行脱色，制造的绝缘材料，对于波长400nm的色光显示出95％或以上的透过率。
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